在高性能的應(yīng)用，如智能汽車(chē)、小型的醫(yī)療設(shè)備這個(gè)領(lǐng)域，需要高性能、高耐久性的電子系統(tǒng)，它的存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)會(huì)是什么樣的選擇方向和創(chuàng)新趨勢(shì)呢?2018年4月11日，在第七屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上，富士通電子元器件產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新以“富士通非易失性存儲(chǔ)器，是高性能和高耐久性設(shè)計(jì)要求的應(yīng)用電子系統(tǒng)的理想解決方案”為主題，跟我們分享了富士通的存儲(chǔ)技術(shù)。

目前，富士通主要有三大類(lèi)存儲(chǔ)器FRAM、NRAM、ReRAM。三類(lèi)存儲(chǔ)器都有各自的定位：FRAM用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存，還可替代NOR Flash;ReRAM可替代大容量EEPRPM。

馮逸新提到，F(xiàn)RAM有三大優(yōu)勢(shì)，一是高讀寫(xiě)入耐久性，寫(xiě)的次數(shù)比較多。二是高速寫(xiě)入，因?yàn)閷?xiě)入可以跟納米秒的速度相比。三是低功耗，一般在NOR Flash寫(xiě)和擦的時(shí)候需要一個(gè)升降電路，F(xiàn)RAM不需要，所以是低功耗。

富士通的FRAM產(chǎn)品有三大主要目標(biāo)市場(chǎng)：汽車(chē)電子系統(tǒng)、智能表計(jì)系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)。其中，車(chē)規(guī)級(jí)FRAM，是滿(mǎn)足汽車(chē)電子可靠性和無(wú)遲延要求的最佳存儲(chǔ)器選擇。如用在車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)中，可以實(shí)時(shí)和連續(xù)記錄當(dāng)前模式，操作履歷和GPS data等當(dāng)前數(shù)據(jù);用在電池管理系統(tǒng)(BMS)中，以每秒或每0.1秒去記錄電池單元得電壓、溫度和電流等當(dāng)前數(shù)據(jù)，監(jiān)控電池的短期和長(zhǎng)期的性能狀態(tài)。“在汽車(chē)上的市場(chǎng)將是巨大的，中國(guó)的一些客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始使用SPI 256Kbit 和I2C 256Kbit的FRAM。中國(guó)政府計(jì)劃在2020年以前普及新能源汽車(chē)到500萬(wàn)輛，另外主要國(guó)家(法國(guó)，印度，挪威和丹麥陸續(xù)發(fā)表減少燃油汽車(chē)，大力發(fā)展新能源汽車(chē)。”馮逸新說(shuō)到。

智能表計(jì)系統(tǒng)上，F(xiàn)RAM能夠?qū)崟r(shí)儲(chǔ)存通信歷史數(shù)據(jù)。富士通全球FRAM存儲(chǔ)器銷(xiāo)量在2016年就已經(jīng)超過(guò)33億片，其中面向世界電表客戶(hù)累計(jì)交貨4000萬(wàn)片。包括中國(guó)在內(nèi)世界主要的電表制造商都是FRAM產(chǎn)品的忠實(shí)擁躉，特別是三相電表中FRAM的應(yīng)用滲透率非常高。

目前針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的無(wú)線(xiàn)無(wú)電池的市場(chǎng)需求，富士通也在研發(fā)無(wú)線(xiàn)供電的低功耗嵌入式RFID芯片。FRAM應(yīng)用于RFID有以下幾個(gè)特點(diǎn)：一是耐輻射性，在強(qiáng)輻射的照射下數(shù)據(jù)仍然可以安全存儲(chǔ);二是低功耗和外部元器件供電，在不穩(wěn)定電源或者不需要電源狀態(tài)下，仍然可以實(shí)現(xiàn)高可靠的讀寫(xiě)應(yīng)用;三是快速讀寫(xiě)能力，提高標(biāo)簽的讀寫(xiě)吞吐量提高效率。還有，大容量可以滿(mǎn)足大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，同等的讀寫(xiě)距離使應(yīng)用更方便。

“另外，富士通和松下合作開(kāi)發(fā)了ReRAM，松下負(fù)責(zé)制造，一部分REROM松下自己做，F(xiàn)RAM我們做，通過(guò)化學(xué)氧化反應(yīng)，使里面的電阻最高、最低值兩個(gè)來(lái)定點(diǎn)計(jì)數(shù)據(jù)。第一代產(chǎn)品已經(jīng)出來(lái)了，主要用在助聽(tīng)器上。”馮逸新說(shuō)到。

NRAM是基于碳納米管(Carbon Nano Tube)的非易失性存儲(chǔ)器，富士通已從美國(guó)Nantero公司取得了NRAM的設(shè)計(jì)，生產(chǎn)和銷(xiāo)售的許可。它的技術(shù)特點(diǎn)一是讀寫(xiě)的速度比較快，讀寫(xiě)耐久性比NOR Flash高于1000倍;二是高可靠性，一般80度可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)達(dá)到1000年，一般300度時(shí)可達(dá)10年;還有耐高溫、低功耗性，待機(jī)模式的功耗接近于零，還有無(wú)限的擴(kuò)張性。

NRAM的價(jià)值在于它可以應(yīng)用在任何系統(tǒng)，不但可以做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，也可以做程序存儲(chǔ)，可以實(shí)現(xiàn)即開(kāi)即用。