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[導(dǎo)讀]Fidelix的加入對東芯無異于錦上添花,需要強(qiáng)調(diào)的是,F(xiàn)idelix在韓國是繼三星、海力士之后的第三大存儲器芯片生廠商。因此,東芯半導(dǎo)體有著和主流市場接觸和競爭的機(jī)會,也有了引領(lǐng)國內(nèi)存儲技術(shù)發(fā)展的使命。是目前國內(nèi)唯一可以同時提供NAND/ NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。

全球DRAM、NAND存儲芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷,三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢賺得盆滿缽滿。受制于資金和技術(shù)上的缺陷,我國本土的芯片制造企業(yè)仍然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品落后。存儲是一個體量驚人的大市場,沒有一個企業(yè)可以獨(dú)吞這個蛋糕,業(yè)內(nèi)預(yù)計,中小容量存儲芯片市場規(guī)模將保持在60億-100億美元,物聯(lián)網(wǎng)和智能終端的快速發(fā)展將不斷擴(kuò)大對中小容量存儲芯片的需求。行業(yè)格局的演變以及存儲大廠廣泛專注于大容量的市場,為東芯這樣專注中小容量存儲芯片的半導(dǎo)體公司創(chuàng)造了歷史性的發(fā)展機(jī)遇。

避開巨頭,走小容量存儲領(lǐng)域

東芯半導(dǎo)體有限公司(下稱“東芯”)成立于2014年11月26日,是東方恒信資本控股集團(tuán)有限公司通過下屬企業(yè)發(fā)起設(shè)立的中國半導(dǎo)體設(shè)計公司。東芯半導(dǎo)體在成立不到半年的時間內(nèi)就于2015年4月22日收購了韓國知名半導(dǎo)體廠商Fidelix的股權(quán),成為其第一大股東和實(shí)際控制人。Fidelix的加入對東芯無異于錦上添花,需要強(qiáng)調(diào)的是,F(xiàn)idelix在韓國是繼三星、海力士之后的第三大存儲器芯片生廠商。因此,東芯半導(dǎo)體有著和主流市場接觸和競爭的機(jī)會,也有了引領(lǐng)國內(nèi)存儲技術(shù)發(fā)展的使命。是目前國內(nèi)唯一可以同時提供NAND/ NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。

公司發(fā)展史簡介:

2014年11月東芯半導(dǎo)體有限公司成立;

2015年6月收購韓國知名半導(dǎo)體廠商Fidelix15.28%的股權(quán),成為第一大股東;

2015年 1Gb SRI NAND芯片在國內(nèi)知名晶圓代工廠38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

2016年7月 4Gb SLC NAND芯片在國內(nèi)知名晶圓代工廠24nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

2017年3月獲得上海市集成電路行業(yè)協(xié)會理事單位榮譽(yù);同年50nm NOR Flash Wide Range 在國內(nèi)知名晶圓代工廠成功流片;9月 2Gb SPI NAND芯片在國內(nèi)知名晶圓代工廠38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片;

 

2018年7月完成億元級A輪融資;

在CITE 2019第七屆中國電子信息博覽會上東芯半導(dǎo)體展出了不少NOR和NAND產(chǎn)品,東芯產(chǎn)品應(yīng)用廣泛,在各種工業(yè)及消費(fèi)類電子上都可以使用。產(chǎn)品主要分為SPI NOR,PPI NAND,SPI NAND,DDR,LPDDR,MCP六大系列。

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東芯半導(dǎo)體展位一角

SPI NOR: 可提供具有通用SPI接口不同規(guī)格的存儲器,性價比高,應(yīng)用廣泛。

PPI NAND: 自主設(shè)計,密度大,壽命長,適用于大數(shù)據(jù)讀寫,可以采用不同封裝方式以便更靈活設(shè)計,應(yīng)用廣泛。

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SPI/PPI NAND產(chǎn)品展示

SPI NAND:業(yè)內(nèi)獨(dú)創(chuàng)的單芯片方案,同時帶有內(nèi)部ECC。使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時,節(jié)約了空間提高了穩(wěn)定性,還提升了性價比。

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SPI NAND產(chǎn)品展示

DDR3:標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口, 具有8n-bit prefetch DDR架構(gòu),8個內(nèi)部bank,在網(wǎng)絡(luò)通信,消費(fèi)電子,智能終端,物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。LPDDR1及LPDDR2系列產(chǎn)品。LPDDR1電壓低至1.8V,LPDDR2電壓更低至1.2V,適合在移動互聯(lián)網(wǎng)中類似智能終端,可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品中使用。

MCP:Flash和DDR合并封裝,簡化走線設(shè)計,節(jié)省空間,核心電壓1.8V,不僅可用于常見有源器件,更可滿足目前移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對低功耗的需求。

中小容量存儲界的黑馬,集齊NAND/DRAM/NOR召喚神獸

在小容量閃存芯片開發(fā)方面,東芯半導(dǎo)體優(yōu)勢在于:一是,東芯在國內(nèi)是目前少數(shù)能同時開發(fā)NAND/NOR/MCP/DRAM的芯片設(shè)計廠家;二是,堅持自主研發(fā),擁有自主知識產(chǎn)權(quán),目前已推出16Mb~128Mb SPI NOR產(chǎn)品并逐步形成系列;1Gb~4Gb PPI/SPI NAND系列產(chǎn)品。三是,東芯可提供完整的芯片應(yīng)用解決方案,致力于產(chǎn)業(yè)化,并提供完善、周到的技術(shù)支持服務(wù)。

在市場策略方面,東芯與一些主流平臺廠商展開了認(rèn)證與合作,比如MTK8516,全志R16等。此外,東芯較看中物聯(lián)網(wǎng)、智能家電以及人工智能相關(guān)領(lǐng)域。其所有的主流規(guī)格都有高低電壓的產(chǎn)品,其中低功耗電壓就是針對相關(guān)領(lǐng)域中大量無源設(shè)備對功耗比較敏感而設(shè)計。此外東芯與中芯國際有著良好的合作,能得到一定量的產(chǎn)能供應(yīng),并且東芯已經(jīng)打入到了華為的存儲器供應(yīng)鏈當(dāng)中。

未來發(fā)展方向

未來,東芯半導(dǎo)體將以兩條市場主線進(jìn)行產(chǎn)品和技術(shù)研究,利用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,加大研制力度,通過從性能、質(zhì)量、成本等方面的優(yōu)勢提升,縮短與國外競爭對手的差距,改變受制于國外的不利影響,實(shí)現(xiàn)存儲芯片國產(chǎn)化進(jìn)程。

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