2026年3月27日的最新消息，三星電子公布了其超高密度固態(tài)硬盤(SSD)的最新技術(shù)路線圖，并展示了相關(guān)的封裝技術(shù)突破。

不過，需要明確的是，這里提到的“單顆芯片4TB”并非指我們?nèi)粘Ｊ褂玫氖謾C(jī)或電腦中的單一存儲(chǔ)芯片，而是指通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成的單顆封裝體。三星超高密度固態(tài)硬盤的EDSFF規(guī)格具備更薄、更寬、更快、更密集的特點(diǎn)。

基于這項(xiàng)超密集封裝技術(shù)，三星公布了其企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的發(fā)展規(guī)劃：

在產(chǎn)品演進(jìn)方面，第五代E3.S產(chǎn)品采用2Tb 32DP 16規(guī)格，實(shí)現(xiàn)128TB容量;而定于2027年問世的第六代E3.S產(chǎn)品將升級(jí)至2Tb 32DP 32規(guī)格，將單盤容量推向256TB。這一系列技術(shù)進(jìn)步標(biāo)志著三星在超高密度存儲(chǔ)領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)張。