英飛凌針對 800 VDC 架構AI數(shù)據(jù)中心推出基于CoolGaN?的高壓 IBC 參考設計
【2026年3月31日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出兩款全新高壓中間總線轉換器(HV IBC)參考設計,幫助客戶加速向±400 V和800 V直流(VDC)供電的AI服務器電源架構轉型。這些參考設計采用英飛凌的650 V CoolGaN?開關,專為追求更高機架功率、更低配電損耗、更優(yōu)散熱性能的超大規(guī)模云服務提供商、電源架構提供商與服務器OEM廠商所設計。
英飛凌高壓中間總線轉換器(HV IBC)參考設計可幫助客戶加速向±400 V和800 V直流(VDC)供電的AI服務器電源架構轉型
新款參考設計針對兩種不同的架構進行開發(fā):800 VDC至50 V的設計作為下游48 V IBC 模塊的中間級,而800 VDC至12 V的設計則為緊湊型服務器主板提供直接的電壓轉換。針對定制化應用,英飛凌還提供數(shù)字控制器XDPP1188-200C,支持靈活的輸出電壓,包括48V、24V和12V。
英飛凌科技電源系統(tǒng)事業(yè)部副總裁Christian Burrer表示:“英飛凌持續(xù)走在AI供電領域的前沿。我們的HV IBC參考設計憑借高品質(zhì)的功率半導體與系統(tǒng)級設計專業(yè)知識,幫助客戶加速邁向高壓直流數(shù)據(jù)中心架構。通過展示完整、高效的實現(xiàn)方案,我們幫助客戶降低開發(fā)風險、提升功率密度,并實現(xiàn)大規(guī)模的能源效率提升?!?
此次推出的800 VDC或±400 V至50 V HV IBC參考設計專為下一代AI數(shù)據(jù)中心開發(fā),滿載效率超過98%。該設計采用英飛凌優(yōu)化的高壓和中壓CoolGaN?開關、EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器以及PSOC?微控制器,包含兩個3 kW 400 V至50 V轉換模塊,采用輸入串聯(lián)-輸出并聯(lián)(ISOP)配置。該架構可擴展至6 kW 持續(xù)功率設計(TDP),并支持在400 μs內(nèi)達到10.8 kW。利用PCB集成平面變壓器,多級同步整流器,以及全載條件下的軟切換來降低電磁干擾(EMI)。該緊湊型設計方案尺寸僅為60 x 60 x 11 mm,實現(xiàn)了2.5 kW/in3優(yōu)異的功率密度。
第二款參考設計是一個超薄HV IBC演示板,將800 VDC總線電壓直接轉換成12 V中間總線電壓。該設計提供6 kW TDP,且支持在400 μs內(nèi)達到10.8 kW的峰值功率。作為ISOP半橋LLC轉換器,它采用創(chuàng)新的矩陣變壓器設計,占板面積為130 mm × 40 mm,厚度僅為8 mm。其功率密度達到2.3 kW/in3以上,并支持創(chuàng)新的服務器主板散熱方案,峰值效率可達98.2%,而滿載效率可達97.1%。為滿足這些嚴苛的規(guī)格要求,該設計采用了英飛凌高效的650 V CoolGaN?和40 V OptiMOS? 7開關,搭配EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器和PSOC?微控制器。
這兩款HV IBC參考設計專為與英飛凌從電網(wǎng)到核心的各種AI服務器供電產(chǎn)品組合配合使用而優(yōu)化設計,包括固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器、高壓和中間總線轉換以及第二級DC轉換電源模塊。英飛凌充分發(fā)揮硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢,大幅提高產(chǎn)品效率、密度與可靠性,以經(jīng)過驗證的高品質(zhì)半導體器件、持續(xù)的設計支持以及可擴展的產(chǎn)品性能為客戶提供通往下一代AI服務器平臺端到端電源架構的明確路徑。





