【2026年3月31日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的DC-DC轉(zhuǎn)換電壓調(diào)節(jié)(VR)解決方案產(chǎn)品組合，新增兩大產(chǎn)品系列，涵蓋數(shù)字電壓控制器與具有遙測(cè)功能的負(fù)載點(diǎn)(PoL)電壓調(diào)節(jié)器產(chǎn)品系列。全新的數(shù)字多相PWM降壓控制器XDPE1E與支持PMBus標(biāo)準(zhǔn)的負(fù)載點(diǎn)(PoL)TDA49720/12/06可幫助客戶在縮短設(shè)計(jì)周期、加速平臺(tái)落地的同時(shí)，提升每個(gè)機(jī)架的計(jì)算性能。

英飛凌推出面向多處理器AI平臺(tái)和先進(jìn)VR電感拓?fù)涞?環(huán)路和4環(huán)路數(shù)字多相PWM降壓控制器

新一代AI平臺(tái)正在將電源架構(gòu)推向新的極限：核心電源需要極高的電流密度和瞬態(tài)響應(yīng)速度，而日益增加的非核心電源則需要緊湊、高效的調(diào)節(jié)方案以及精準(zhǔn)的監(jiān)測(cè)與控制。英飛凌以可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合應(yīng)對(duì)這項(xiàng)端到端的挑戰(zhàn)，旨在簡(jiǎn)化VR設(shè)計(jì)、提高電路板空間利用率，并幫助客戶在處理器路線圖快速發(fā)展的情況下，進(jìn)行快速、可重復(fù)的部署。

針對(duì)可擴(kuò)展AI平臺(tái)靈活的數(shù)字多相控制

XDPE1E3G6A和XDPE1E496A是英飛凌專(zhuān)為多元處理器AI平臺(tái)和先進(jìn)VR電感拓?fù)渌瞥龅?環(huán)路和4環(huán)路數(shù)字多相PWM降壓控制器。這兩款控制器使客戶能夠通過(guò)單一、靈活的電源設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)算力擴(kuò)展，從而減少處理器因更新?lián)Q代所需的重新設(shè)計(jì)工作，并加速產(chǎn)品上市。產(chǎn)品提供高度可配置的相位分配和完全可編程的相位觸發(fā)順序，并支持多種協(xié)議，包括PMBus、AVSBus、SVID和SVI3，因此廣泛兼容主流處理器生態(tài)系統(tǒng)。其主動(dòng)瞬態(tài)響應(yīng)、快速DVID、自動(dòng)相位切換與PFM模式等數(shù)字功能，有助于應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)AI負(fù)載，而數(shù)字示波器、黑匣子記錄及完善的保護(hù)機(jī)制等內(nèi)置工具，可縮短測(cè)試時(shí)間并提高系統(tǒng)可靠性。

支持PMBus標(biāo)準(zhǔn)的集成式PoL：快速、可監(jiān)測(cè)的非核心電源

為滿足AI系統(tǒng)中日益增加的非核心電源需求，英飛凌新推出了具有支持PMBus標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字遙測(cè)功能的TDA49720/12/06系列全集成式PoL DC-DC降壓調(diào)節(jié)器。該系列提供6 A、12 A 和20 A三種規(guī)格及3 mm × 3 mm和3 mm × 3.5 mm兩種封裝，有助于大幅提升功率密度，并簡(jiǎn)化加速卡和服務(wù)器主板上的布局。PMBus遙測(cè)功能可精確報(bào)告輸出電壓、負(fù)載電流、輸入電壓和芯片內(nèi)部溫度等關(guān)鍵參數(shù)，在減少反復(fù)修改設(shè)計(jì)次數(shù)的同時(shí)支持系統(tǒng)優(yōu)化和可靠性監(jiān)測(cè)。其專(zhuān)有的谷值電流模式恒導(dǎo)通時(shí)間控制方案，可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)、逐周期電流限制，并支持全MLCC輸出電容設(shè)計(jì)。該系列產(chǎn)品支持2.7 V至16 V的輸入電壓，且可在-40 °C至150 °C范圍內(nèi)運(yùn)行。

這些新推出的電壓調(diào)節(jié)解決方案專(zhuān)為與英飛凌從電網(wǎng)到核心的各種AI服務(wù)器供電產(chǎn)品組合配合使用而優(yōu)化設(shè)計(jì)，包括固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器、高壓和中間總線轉(zhuǎn)換以及第二級(jí)DC轉(zhuǎn)換電源模塊。英飛凌充分發(fā)揮硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)，大幅提高產(chǎn)品效率、密度與可靠性，以經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的高品質(zhì)半導(dǎo)體器件、持續(xù)的設(shè)計(jì)支持以及可擴(kuò)展的產(chǎn)品性能為客戶提供通往下一代AI服務(wù)器平臺(tái)端到端電源架構(gòu)的明確路徑。