意法半導(dǎo)體發(fā)布GaN參考設(shè)計,面向家電與工業(yè)驅(qū)動電機(jī)控制應(yīng)用
2026年4月2日,中國—意法半導(dǎo)體 EVSTDRVG611MC氮化鎵(GaN)電機(jī)控制參考設(shè)計主打家電和工業(yè)驅(qū)動設(shè)備,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達(dá)600W以上,確保終端設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,同時降低物料成本。
該參考設(shè)計是一個交鑰匙開發(fā)板,即插即用,上電后即可開始評測,板載意法半導(dǎo)體 STDRIVEG611GaN 柵極驅(qū)動芯片、分立式 GaN 功率晶體管和混合信號微控制器 STM32G431。開發(fā)板是一塊兩層印刷電路板,尺寸為 108mm×110mm,性價比高,物料清單、原理圖及 Gerber 文件均可在st.com官網(wǎng)直接下載。
意法半導(dǎo)體的GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和驅(qū)動芯片正在顛覆功率轉(zhuǎn)換技術(shù)市場,能夠讓充電器、電源適配器和服務(wù)器電源的能效和功率密度達(dá)到傳統(tǒng)硅解決方案無法企及的水平。EVSTDRVG611MC參考設(shè)計中的 STDRIVEG611 柵極驅(qū)動器專為硬開關(guān)電路優(yōu)化設(shè)計,助力 GaN 技術(shù)在電機(jī)控制領(lǐng)域普及應(yīng)用,搭配 650V、75mΩ 規(guī)格的 GaN 晶體管,可幫助家電設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的能效等級、體積更小的電控模塊和更高的系統(tǒng)可靠性。
EVSTDRVG611MC板使用直流電源,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達(dá) 600W 以上,在加裝散熱器后,最大功率有進(jìn)一步提升空間,靈活可變的功率范圍使其適配洗衣機(jī)等家電和工業(yè)伺服驅(qū)動裝置,以及其他無刷直流 (BLDC)電機(jī)應(yīng)用場景。STDRIVEG611柵極驅(qū)動器采用 5mm×4mm QFN小封裝,STM32微控制器STM32G431集成三路運(yùn)放,支持三路分流電阻采樣,為客戶提供一個有市場競爭力的物料清單。Arm® Cortex®-M4內(nèi)核可以實(shí)時運(yùn)行復(fù)雜控制算法,以滿足電機(jī)高轉(zhuǎn)速控制需求。
工程師可借助 ST Motor Control Workbench 工具快速評估 EVSTDRVG611MC 開發(fā)板,開始應(yīng)用開發(fā)。該工具包含電機(jī)特性分析、性能監(jiān)測等功能,支持自動生成固件,大幅縮短產(chǎn)品上市周期。用戶可以在無感電機(jī)控制方案中采用FOC磁場定向控制(矢量控制算法),也可以在有感電機(jī)控制架構(gòu)中采用FOC,以平穩(wěn)精準(zhǔn)地控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),支持霍爾傳感器、增量式 / 絕對值編碼器等多種反饋方案。





