晶體管繼續(xù)縮小以后，性能瓶頸不再只來自溝道本身，很多損失先出現(xiàn)在熱和接觸兩端。器件看上去尺寸更先進，但如果熱出不去、載流子又過不了接觸界面，標稱驅動能力很快就會在實際工況里被吃掉。

自熱效應之所以在鰭式晶體管和更窄溝道結構里更突出，關鍵在于發(fā)熱體離絕熱材料更近、散熱路徑卻更窄。溝道通電后，熱先從溝道傳到源漏和鰭體，再嘗試穿過接觸、金屬和周圍介質散出；但淺溝槽隔離、埋氧層或高縱橫比鰭結構都會抬高等效熱阻，使局部溫升比平面器件更快積累。溫度一上去，載流子遷移率下降，飽和電流和跨導會先掉，緊接著偏置溫度不穩(wěn)定性、熱載流子和老化速率都會被推高。麻煩在于這種退化往往不是靜態(tài)參數(shù)里最先暴露的，很多設計在單管模型下看似滿足頻率和功耗，到了高占空比運算、熱點密集或局部并行切換時，才發(fā)現(xiàn)速度裕量被自熱悄悄吞掉。自熱還會干擾模型提取，因為脈沖測試與直流測試看到的遷移率并不一致；若庫模型只基于短脈沖條件，電路在長時間負載下的時序余量會被系統(tǒng)性高估。特別在密集標準單元區(qū)，熱耦合使單管問題變成鄰近單元一起升溫的問題。工程上不能只靠封裝散熱去兜底，因為結溫峰值先由器件內部熱阻決定，版圖上的熱點分散、功耗分區(qū)和工作負載調度同樣影響有效溫升。

接觸電阻上升則是另一個與縮放方向相反的難題。溝道越短，源漏接觸面積越小，金屬到半導體之間的比接觸電阻就越難繼續(xù)降。即便材料本身導電性足夠，硅化物形成窗口、摻雜激活深度、界面污染和線邊起伏都會把接觸面積進一步吃虛。結果是設計上縮短了溝道想換來更高驅動，實際卻被串聯(lián)電阻把外部可見電流拉回去。更糟的是，接觸電阻會和溫度、應力以及工藝波動耦合：局部溫升會改變界面散射，鰭寬離散會改變實際載流通道數(shù)，接觸孔輕微偏移也會在先進節(jié)點里造成明顯差別。到了接觸柵間距極窄時，接觸開口和源漏外延區(qū)的幾何關系也成了限制項。若為了降電阻而盲目增加應力外延或提高摻雜，又可能帶來結漏電上升和短溝道效應惡化，所以接觸優(yōu)化本身就是電阻、漏電和熱預算之間的折中。優(yōu)化接觸問題不能只盯材料替換，還要把接觸布局、界面清洗、摻雜輪廓和熱預算一起考慮，否則器件名義尺寸變小，系統(tǒng)可用性能卻未必同步提升。

半導體縮放走到深水區(qū)后，真正卡性能的常常不是溝道還能不能更短，而是熱能能否及時離開、載流子能否低損進入。把熱阻和接觸串聯(lián)電阻當成二級問題，先進結構的收益就會被提前抵消。