1.前言
每年,越來(lái)越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。. 高功率密度、低自放電率和易于充電使它們成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今,從口袋里的手機(jī)到電動(dòng)汽車,每天都有數(shù)百萬(wàn)人開車上班由鋰離子電池供電。盡管這些電池具有許多優(yōu)點(diǎn),但也帶來(lái)了某些風(fēng)險(xiǎn)和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),如果不能成功緩解,可能會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的結(jié)果。我認(rèn)為沒有人會(huì)很快忘記爆炸性的 Galaxy S7 設(shè)備平板電腦以及隨后在 2016 年的召回。
2.電池保護(hù)方案
降低此類破壞性事件風(fēng)險(xiǎn)的一種常見方法是將 MOSFET 放置在充電和放電路徑中,當(dāng)電池電壓被認(rèn)為是在一個(gè)指定的安全范圍,或者 IC 在充電或放電期間檢測(cè)到過(guò)電流浪涌(見圖 1)。
圖 1:簡(jiǎn)化的單節(jié)鋰離子電池保護(hù)電路
因?yàn)檫@不是一個(gè)快速開關(guān)應(yīng)用,所以你真的只需要考慮最壞情況下的傳導(dǎo)損耗,這使得 MOSFET 的選擇標(biāo)準(zhǔn)類似于負(fù)載開關(guān)的選擇標(biāo)準(zhǔn)。但是有一些獨(dú)特的考慮需要單獨(dú)討論以突出那些特定于電池保護(hù)的注意事項(xiàng)。
由于電池保護(hù) MOSFET 完全增強(qiáng)并持續(xù)傳導(dǎo)電流,或者完全關(guān)閉以斷開電池電壓與其他電子設(shè)備的連接,因此在考慮用于此應(yīng)用的 FET 時(shí),我們幾乎可以忽略開關(guān)參數(shù)。相反,就像根據(jù)電流處理能力選擇負(fù)載開關(guān) FET 一樣,電阻和封裝類型是兩個(gè)最重要的考慮因素。考慮到這一點(diǎn),將電池保護(hù)分為不同類型的終端設(shè)備所需的三層電流并分析用于每個(gè)層的 FET 類型是有意義的。
第一層是使用一到兩個(gè)電池供電的低功耗個(gè)人電子產(chǎn)品,如手機(jī)、平板電腦、智能手表或個(gè)人健康追蹤器。這些設(shè)備在充電和放電時(shí)消耗的電流量可能高達(dá)幾安培,也可能低至幾百毫安。眾所周知,個(gè)人電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)師一直在努力減少產(chǎn)品的尺寸(和重量),一代又一代,因此他們選擇 FET 來(lái)保護(hù)電池的標(biāo)準(zhǔn)是它們盡可能小,同時(shí)仍然能夠處理最大的充電和放電電流。有時(shí),這意味著 FemtoFET? N 溝道 MOSFET 等芯片級(jí)器件是不錯(cuò)的選擇。
由于在這些應(yīng)用中 FET 通常背靠背放置,從而阻塞充電和放電路徑(如上圖 1 所示),有時(shí)將兩個(gè)器件集成到一個(gè)公共漏極配置中的單個(gè)封裝中是最節(jié)省空間的解決方案(圖 2) )。TI 擁有許多集成的背對(duì)背器件,可提供芯片級(jí)封裝和小型四方扁平無(wú)引線 (QFN) SON3x3 塑料封裝。
圖 2:集成到單個(gè)封裝中的公共漏極配置 FET 的示意圖
第二層電池供電設(shè)備是多節(jié)手持無(wú)繩電動(dòng)工具,如電鉆、修剪器、小鋸和家用電器(如機(jī)器人真空吸塵器)。這些設(shè)備仍然對(duì)尺寸很敏感,但以相當(dāng)高的電流為電池充電,通常高于 10A。因此,設(shè)計(jì)人員通常使用電阻最低的 D2PAK、TO-220 或在某些情況下使用 QFN 封裝。必要時(shí),可以并行使用多個(gè)設(shè)備,尤其是對(duì)于鏈鋸和綠籬修剪機(jī)等大型工具,但將 FET 的數(shù)量保持在最低限度以保持較小的外形尺寸仍然很重要。與電機(jī)控制 FET 一樣,給定封裝中電阻最低的器件通常更可?。环駝t你會(huì)選擇一個(gè)較小的包。
第三層最高功率的電池充電應(yīng)用是電動(dòng)汽車,如電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車,甚至電動(dòng)汽車和公共汽車。在這一點(diǎn)上,電流和功率水平可能很大(數(shù)百安培,幾千瓦的功率),并且確實(shí)沒有辦法將多個(gè) FET 并聯(lián)用于充電和放電路徑。我見過(guò)設(shè)計(jì)人員在大型電路板上并聯(lián)了數(shù)十個(gè) FET,通常使用 D2PAK、安裝在散熱器上的 TO-220 或其他熱增強(qiáng)型封裝設(shè)備(圖 3)。除了設(shè)計(jì)較小的電動(dòng)自行車外,尺寸通常不是問(wèn)題,電流處理能力是游戲的名稱。同樣,這意味著只選擇電阻最低的 FET。所需的 FET 數(shù)量是電阻、最高環(huán)境溫度以及電路板和系統(tǒng)作為孔的熱阻抗的函數(shù)。
圖 3:數(shù)十個(gè) D2PAK FET 并聯(lián)在一塊大型 PCB 上,用于為電動(dòng)汽車的電池充電和放電
關(guān)于在電動(dòng)汽車中使用電池保護(hù) FET 的最后一個(gè)注意事項(xiàng)——確定最終應(yīng)用是否需要 Q101 級(jí) FET 至關(guān)重要。Q101 是汽車電子委員會(huì)的汽車認(rèn)證等級(jí)(集成電路的 Q100 分立等效物),它對(duì)質(zhì)量和可靠性的要求比商業(yè)級(jí)設(shè)備的強(qiáng)制性要求要嚴(yán)格得多。我們的設(shè)備是否需要 Q-101 認(rèn)證取決于最終應(yīng)用和許多其他因素,從客戶的標(biāo)準(zhǔn)到車輛運(yùn)營(yíng)所在國(guó)家/地區(qū)的立法。
電動(dòng)自行車和電動(dòng)滑板車通常不太可能需要 Q-101,但情況并非總是如此。最好在圍繞 FET 構(gòu)建設(shè)計(jì)之前找出這一點(diǎn),而這些 FET 無(wú)法放入最終終端設(shè)備中。TI 在其產(chǎn)品組合中不提供任何符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 FET,因此如果有此要求,我們的 FET 解決方案必須來(lái)自其他地方。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制,使其成為...
關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)