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當(dāng)前位置:首頁 > 技術(shù)學(xué)院 > 硬件微講堂
[導(dǎo)讀]二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。它具有單向?qū)щ娦阅?。給正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。給反向電壓時(shí),二極管截止。說簡(jiǎn)單些,就是PN結(jié),具有單向?qū)щ娦?。PN結(jié)具體的空穴、載流子、漂移和擴(kuò)展,就放一張圖,這里不作展開,自行腦補(bǔ)。

前面關(guān)于TVS管相關(guān)知識(shí),共計(jì)發(fā)了5篇文章:前3篇,屬于基礎(chǔ)篇;后2篇,屬于進(jìn)階,點(diǎn)擊下面鏈接即可查看:

①TVS管有幾種關(guān)鍵電壓?之間啥關(guān)系?

②TVS管和穩(wěn)壓管有哪些區(qū)別?尤其第3條!

③TVS管如何選型?

④干貨!TVS管的功率計(jì)算與選型+贈(zèng)書福利

⑤TVS管選型-技能進(jìn)階,特別是第2條!


關(guān)于TVS管的內(nèi)容,先暫時(shí)聊到這里,今天聊聊二極管吧。其實(shí)網(wǎng)上關(guān)于二極管的文章很多,搬來搬去,內(nèi)容都差不多,只把內(nèi)容“再收集”一下。昨天我也一直在想,怎么才能寫出點(diǎn)自己的東西,但發(fā)現(xiàn)很難跳出圈。既然我們是寫面試題的,還是以實(shí)際面試為切入點(diǎn)。


一道面試題




照例,先拋出來一道面試題:我們?cè)谶x擇二極管時(shí)應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注哪些參數(shù)?

這道題,比較偏基礎(chǔ)應(yīng)用,考察應(yīng)屆生的基礎(chǔ)最合適不過,所以面試中標(biāo)率很高。回答這個(gè)問題,不需要花哨的邏輯和技巧,只需要把積累的知道倒出來即可。但是如果你能稍微拓展一下,可能會(huì)讓面試官眼前一亮。


二極管的定義




二極管,Diode,看到百度百科給出的定義:

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。它具有單向?qū)щ娦阅?。給正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。給反向電壓時(shí),二極管截止。

說簡(jiǎn)單些,就是PN結(jié),具有單向?qū)щ娦浴N結(jié)具體的空穴、載流子、漂移和擴(kuò)展,就放一張圖,這里不作展開,自行腦補(bǔ)。



二極管關(guān)鍵參數(shù)




說到二極管的參數(shù),為了避免通篇的文字描述,同時(shí)增強(qiáng)工程應(yīng)用性,我們就拿一個(gè)實(shí)際的二極管做說明。


以哪個(gè)二極管為例呢?不知道。


去Nexpria官網(wǎng)看看,發(fā)現(xiàn)二極管有齊納二極管、開關(guān)二極管、肖特基二極管、整流二極管等這么幾種。在整流二極管里面隨便找一個(gè)好了。注意:這里并不是說二極管只有這幾種,而是這幾種相對(duì)重要。


為啥在“整流二極管”里面選呢?這個(gè)問題,留給屏幕前的你。



選擇“恢復(fù)整流管”,選擇“產(chǎn)品”,彈出如下界面,我們隨機(jī)選擇PNE20010ER。對(duì)的,確實(shí)是隨機(jī)!



其實(shí)我完全可以直接拿一個(gè)Datasheet過來講,但為什么我要講從獲取規(guī)格書的過程?我想傳遞的是,授人以魚不如授人以漁。我要講的不止是幾個(gè)參數(shù),更多的是一整套的獲取和分析方法。


打開Datasheet中,首頁看到一個(gè)表格,如下圖,里面有If、Vr、Vf、Ir。



If:Forward Current,最大正向(工作)電流,表征允許通過的最大正向平均電流;


Vr:Reverse Voltage,最大反向(工作)電壓,表征所能承受的最大反向電壓;


Vf:Forward Voltage,正向壓降,表征正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的電壓。通常說明Vf時(shí)需要備注對(duì)應(yīng)的If,如上圖@If=1A;


Ir:Reverse Current,二極管在未擊穿時(shí)的反向電流,也就是我們常說的二極管的漏電流(Leakage Current)。注意說Ir時(shí)也需要備注對(duì)應(yīng)的Vr,如上圖@Vr=200V。


有些小伙伴可能會(huì)提到怎么沒有擊穿電壓Vbr?別著急。


在上面表格中看到Vr最大值為200V,是從反向不擊穿維度。我們換一個(gè)角度,從擊穿維度來看,最小擊穿電壓Vbr為200V,從page5的Table 7也可以得到驗(yàn)證。



于是可以得出,Vbr:Breakdown Voltage,最小擊穿電壓,近似約等于最大反向電壓Vr。


二極管的關(guān)鍵參數(shù),差不多就這些,還有么?

如果你認(rèn)為這樣就完事了,那只能說明你理解的還不夠。


二極管動(dòng)態(tài)特性-Cd




上面小節(jié)說的If、Vr、Vf、Ir,分別體現(xiàn)了二極管的不同特性。我們可以用一張圖同時(shí)體現(xiàn),如下圖所示。但我想說的是,它們之所以可以用一張圖同時(shí)體現(xiàn),是因?yàn)樗鼈兌加幸粋€(gè)共同特點(diǎn):屬于二極管的靜態(tài)特性。


(圖片來自網(wǎng)絡(luò))


那二極管有動(dòng)態(tài)特性么?當(dāng)然!

細(xì)心的小伙伴,在Datasheet的Table 7上觀察到Cd和Trr,這兩個(gè)就是。



Cd:極間電容,是反映二極管中PN結(jié)電容效應(yīng)的關(guān)鍵參數(shù)。在高頻電路或開關(guān)電路中必須考慮Cd的影響。


只是單純地說Cd,并沒有什么意思,我想很多小伙伴都知道二極管存在電容。但我想表達(dá)Cd和勢(shì)壘電容的關(guān)系。


學(xué)過模電的小伙伴,應(yīng)該知道二極管PN結(jié)的電容效用包括擴(kuò)散電容和勢(shì)壘電容,有如下關(guān)系式:



①當(dāng)PN結(jié)正偏時(shí),P區(qū)的電子和N區(qū)的空穴隨著正向電壓的增加而增加,擴(kuò)散電容較大,此時(shí)擴(kuò)散電容起主要作用,而勢(shì)壘電容較小,可以忽略;

②當(dāng)PN結(jié)反偏時(shí),勢(shì)壘區(qū)隨著外部反向電壓Vr的增加而增寬,隨著Vr減小而變窄。此時(shí)PN結(jié)表現(xiàn)出的電容效應(yīng)主要是勢(shì)壘電容,其主導(dǎo)作用。

(關(guān)于擴(kuò)散電容和勢(shì)壘電容的內(nèi)容不做展開,感興趣的小伙伴可自行腦補(bǔ)模電基礎(chǔ))



細(xì)心的小伙伴,會(huì)看到上圖中Cd的測(cè)試條件“Vr=4V,f=1MHz”,是反向偏置電壓,信號(hào)頻率1MHz條件測(cè)的(貌似這是行業(yè)規(guī)范,再換一份規(guī)格書,也是這么測(cè)試的)。按照上面說的,PN結(jié)反偏時(shí)勢(shì)壘電容主導(dǎo)。此時(shí)Datasheet上的Cd實(shí)際上是勢(shì)壘電容,跟擴(kuò)散電容關(guān)系不大。


二極管動(dòng)態(tài)特性-Trr




上面說完了Cd和勢(shì)壘電容的關(guān)系,那擴(kuò)散電容呢?就妥妥地被拋棄了?


當(dāng)然沒有,這不是還有Trr么!


Trr:Reverse Revcoery Time,反向恢復(fù)時(shí)間。


定量來看,是從PN結(jié)電壓反偏開始到二極管電流回落到反向恢復(fù)電流Irm的1/10所需要的時(shí)間。


定性來看,反向恢復(fù)時(shí)間是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起。Trr就是PN結(jié)在正向?qū)ㄆ骷鎯?chǔ)的電荷消耗掉所需要的時(shí)間。而正向?qū)ㄆ骷鎯?chǔ)的電荷正是受PN結(jié)正偏期間所積累的擴(kuò)散電容的影響。即:反向恢復(fù)時(shí)間Trr與擴(kuò)散電容強(qiáng)相關(guān)。


(圖片來自網(wǎng)絡(luò))


講完了Trr和擴(kuò)散電容的關(guān)系,再說下Trr有什么用?


直白些,就是Trr越小,二極管在遇到交流信號(hào)時(shí)恢復(fù)到正常狀態(tài)的時(shí)間越短。這樣在高頻電路開關(guān)電路中,就有很好的應(yīng)用場(chǎng)景。這也是為什么有一類二極管叫快恢復(fù)二極管(FRD),Trr可以做幾十納秒;還有一種二極管叫肖特基二極管(SBD),Trr可以做到幾納秒。


總結(jié)




聊到這里,今天要和大家聊的內(nèi)容也差不多了。今天寫了2500字,我們簡(jiǎn)單梳理下。


今天聊的問題是:我們?cè)谶x擇二極管時(shí)應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注哪些參數(shù)?

其實(shí)回答起來也簡(jiǎn)單,概括起來就兩句話:

①靜態(tài)特性:If、Vr、Vf、Ir;

②動(dòng)態(tài)特性:Cd、Trr。


但如果只回答這些,顯得有些單薄。如果知識(shí)儲(chǔ)備足夠的話,可以適當(dāng)擴(kuò)展,這樣可以帶給面試官一些意外收獲。比如,你可以聊聊:


③Vr和Vbr的關(guān)系;

④靜態(tài)特性所對(duì)應(yīng)的曲線及各自所在位置;

⑤Cd通常的測(cè)試條件及與勢(shì)壘電容的關(guān)系;

⑥Trr的定量分析和定性分析;

⑦Trr與擴(kuò)散電容的關(guān)系及Trr的作用;

等等這些,都是你自由發(fā)揮的切入點(diǎn)。不需要都講,只需要從③-⑦里面挑出來兩條做擴(kuò)展,我覺得就已經(jīng)可以加分。


怎么樣?一個(gè)簡(jiǎn)短的問題,給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里,能否晉升到陸地神仙境,一劍開天門,就看你的造化了!


關(guān)注“硬件微講堂”,硬件路上不慌張!


知識(shí)星球




為了深度鏈接鐵桿粉絲,提升溝通的效率和質(zhì)量,硬件微講堂開通了知識(shí)星球。能做什么呢?簡(jiǎn)單說一下:

①盡享原創(chuàng)干貨文章,包括但不限于公眾號(hào)上的付費(fèi)文章;

②盡情地有針對(duì)性的提問,不限次數(shù);

③求職簡(jiǎn)歷修改,畢竟號(hào)主也看過一些簡(jiǎn)歷,面過一些人;

④不定期的技術(shù)分享,形式可能線上,也可能是線下;

⑤也是最重要的,技術(shù)成長路上的一路陪伴。


知識(shí)傳遞和技術(shù)積累這條道路,其實(shí)閱讀、聽課、看視頻等等行為,本身并不會(huì)產(chǎn)生太大價(jià)值。真正產(chǎn)生價(jià)值的是在知識(shí)傳遞和技術(shù)積累之后的思考,思考之后的決策以及決策之后的行動(dòng)只有持續(xù)且正確的行動(dòng),才能形成知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)上的積累和進(jìn)階。


所以,我更想做的不是一味輸出干貨,而是能夠陪同真正有成長需求的小伙伴一起思考、決策和行動(dòng)。在這一系列操作中,夯實(shí)理論基礎(chǔ),增強(qiáng)工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),讓我們的每一步精進(jìn)都有跡可循。所以這就需要有一個(gè)高質(zhì)量的圈子--知識(shí)星球。


星球的早鳥價(jià):99。

后面成員每增加10人,單價(jià)增加20,依次類推。封頂?shù)氖?,后面再說。畢竟也可能壓根沒人報(bào),用不著想封頂?shù)氖隆?br />


有意愿和我一同精進(jìn)的,可以加入。

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