綜合韓聯(lián)社、koreatimes報(bào)道顯示，全球光刻機(jī)龍頭大廠ASML首席執(zhí)行官溫寧克(Peter Wennink)于今日在韓國(guó)首爾召開(kāi)的一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻機(jī)將于2024年開(kāi)始發(fā)貨，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間。

在今天的新聞發(fā)布會(huì)上，溫寧克還介紹了ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)的進(jìn)展，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始發(fā)貨，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格在3億至3.5億歐元之間。

眾所周知，目前ASML是全球最大的光刻機(jī)供應(yīng)商，同時(shí)也是唯一的EUV光刻機(jī)的供應(yīng)商。

由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(zhǎng)(13.5nm)相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)(193 nm)有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替。可以幫助芯片制造商繼續(xù)向7nm及以下更先進(jìn)制程工藝推進(jìn)的同時(shí)，進(jìn)一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻機(jī)可以支持芯片制造商將芯片制程推進(jìn)到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進(jìn)到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑(NA)的High-NA光刻機(jī)。

相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進(jìn)一步提升分辨率(根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高)，從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通過(guò)多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造)。

基于不同的市場(chǎng)情景，ASML預(yù)計(jì)會(huì)有巨大的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)來(lái)實(shí)現(xiàn)以下目標(biāo)：

2025年：年收入在約300億歐元至400億歐元之間，毛利率在約54%至56%之間;

2030年：年收入在約440億歐元至600億歐元之間，毛利率在約56%至60%之間。

最后，在股東回報(bào)方面，ASML宣布了一項(xiàng)新的股票回購(gòu)計(jì)劃，計(jì)劃回購(gòu)最高 120 億歐元的股票，在 2025 年的 12 月 31 日之前進(jìn)行。

Frédéric Schneider-Maunoury 強(qiáng)調(diào)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在積極發(fā)展當(dāng)中，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)世界的貢獻(xiàn)更是有目共睹，ASML 也會(huì)持續(xù)加碼投資臺(tái)灣，并支持臺(tái)灣的客戶群及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。他也再次感謝臺(tái)灣的大力支持，相信通過(guò)這些支持，可以一起貢獻(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)光明的未來(lái)。

臺(tái)灣行政院副院長(zhǎng)沈榮津表示，ASML明年7月即將動(dòng)工的北部投資案，將是ASML有史以來(lái)在臺(tái)灣最大投資案。

而針對(duì)相關(guān)投資案，ASML 晚間發(fā)出聲明指出，ASML 持續(xù)在全球和中國(guó)臺(tái)灣投資，為公司持續(xù)的成長(zhǎng)做準(zhǔn)備，以支援全球客戶及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，目前無(wú)法透漏新北投資案的相關(guān)細(xì)節(jié)。

在ASML臺(tái)灣林口工廠擔(dān)任量測(cè)機(jī)臺(tái)組裝工程師的Jason自豪地說(shuō)，ASML是全世界科技的領(lǐng)導(dǎo)品牌。他表示，林口廠有2成非技術(shù)職缺，加入ASML不是一定要有工程背景。

ASML臺(tái)灣區(qū)暨東南亞區(qū)財(cái)務(wù)長(zhǎng)何思穎先前曾表示，ASML臺(tái)灣有35%員工是非理工科系畢業(yè)，未來(lái)也會(huì)持續(xù)提供相關(guān)非理工職缺，在加入ASML后，會(huì)提供個(gè)人職涯發(fā)展與學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)，除了自我優(yōu)勢(shì)強(qiáng)化，更提供學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)提升員工的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)業(yè)知識(shí)。

ASML為半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供光刻機(jī)及相關(guān)服務(wù)，TWINSCAN系列是世界上精度最高，生產(chǎn)效率最高，應(yīng)用最為廣泛的高端光刻機(jī)型。全球絕大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商，都向ASML采購(gòu)TWINSCAN機(jī)型，比如英特爾(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、臺(tái)積電(TSMC)、中芯國(guó)際(SMIC)等。

ASML的產(chǎn)品線分為PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列現(xiàn)已停產(chǎn);AT系列屬于老型號(hào)，多數(shù)已經(jīng)停產(chǎn)。市場(chǎng)上的主力機(jī)種是XT系列以及NXT系列，為ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的機(jī)型，分為干式和沉浸式兩種，而NXT系列則是主推的高端機(jī)型，全部為沉浸式。

除了致力于開(kāi)發(fā)的TWINSCAN平臺(tái)外，ASML還在積極與IMEC, IBM等半導(dǎo)體公司合作，開(kāi)發(fā)下一代光刻技術(shù)，比如EUV(極紫外線光刻)，用于關(guān)鍵尺度在22納米甚至更低的集成電路制造。ASML已經(jīng)向客戶遞交若干臺(tái)EUV機(jī)型，用于研發(fā)和實(shí)驗(yàn)。同時(shí)，基于傳統(tǒng)TWINSCAN平臺(tái)的雙重曝光等新興技術(shù)，也在進(jìn)一步成熟和研發(fā)過(guò)程當(dāng)中。2007年末三星(Samsung)宣布成功生產(chǎn)的36納米閃存，基于的便是雙重曝光技術(shù)。