綜合韓聯(lián)社、koreatimes報道顯示，全球光刻機龍頭大廠ASML首席執(zhí)行官溫寧克(Peter Wennink)于今日在韓國首爾召開的一場新聞發(fā)布會上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻機將于2024年開始發(fā)貨，每臺設(shè)備的價格將在3億至3.5億歐元之間。

在今天的新聞發(fā)布會上，溫寧克還介紹了ASML新一代High-NA EUV光刻機的進展，預計將于2024年開始發(fā)貨，每臺設(shè)備的價格在3億至3.5億歐元之間。

眾所周知，目前ASML是全球最大的光刻機供應商，同時也是唯一的EUV光刻機的供應商。

由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(13.5nm)相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)(193 nm)有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替。可以幫助芯片制造商繼續(xù)向7nm及以下更先進制程工藝推進的同時，進一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻機可以支持芯片制造商將芯片制程推進到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑(NA)的High-NA光刻機。

相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機，High-NA EUV光刻機將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進一步提升分辨率(根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高)，從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通過多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造)。

基于不同的市場情景，ASML預計會有巨大的增長機會來實現(xiàn)以下目標：

2025年：年收入在約300億歐元至400億歐元之間，毛利率在約54%至56%之間;

2030年：年收入在約440億歐元至600億歐元之間，毛利率在約56%至60%之間。

最后，在股東回報方面，ASML宣布了一項新的股票回購計劃，計劃回購最高 120 億歐元的股票，在 2025 年的 12 月 31 日之前進行。

Frédéric Schneider-Maunoury 強調(diào)，全球半導體產(chǎn)業(yè)正在積極發(fā)展當中，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)對世界的貢獻更是有目共睹，ASML 也會持續(xù)加碼投資臺灣，并支持臺灣的客戶群及全球半導體產(chǎn)業(yè)。他也再次感謝臺灣的大力支持，相信通過這些支持，可以一起貢獻半導體產(chǎn)業(yè)光明的未來。

臺灣行政院副院長沈榮津表示，ASML明年7月即將動工的北部投資案，將是ASML有史以來在臺灣最大投資案。

而針對相關(guān)投資案，ASML 晚間發(fā)出聲明指出，ASML 持續(xù)在全球和中國臺灣投資，為公司持續(xù)的成長做準備，以支援全球客戶及半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，目前無法透漏新北投資案的相關(guān)細節(jié)。

在ASML臺灣林口工廠擔任量測機臺組裝工程師的Jason自豪地說，ASML是全世界科技的領(lǐng)導品牌。他表示，林口廠有2成非技術(shù)職缺，加入ASML不是一定要有工程背景。

ASML臺灣區(qū)暨東南亞區(qū)財務長何思穎先前曾表示，ASML臺灣有35%員工是非理工科系畢業(yè)，未來也會持續(xù)提供相關(guān)非理工職缺，在加入ASML后，會提供個人職涯發(fā)展與學習機會，除了自我優(yōu)勢強化，更提供學習機會提升員工的產(chǎn)業(yè)專業(yè)知識。

ASML為半導體生產(chǎn)商提供光刻機及相關(guān)服務，TWINSCAN系列是世界上精度最高，生產(chǎn)效率最高，應用最為廣泛的高端光刻機型。全球絕大多數(shù)半導體生產(chǎn)廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，比如英特爾(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、臺積電(TSMC)、中芯國際(SMIC)等。

ASML的產(chǎn)品線分為PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列現(xiàn)已停產(chǎn);AT系列屬于老型號，多數(shù)已經(jīng)停產(chǎn)。市場上的主力機種是XT系列以及NXT系列，為ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的機型，分為干式和沉浸式兩種，而NXT系列則是主推的高端機型，全部為沉浸式。

除了致力于開發(fā)的TWINSCAN平臺外，ASML還在積極與IMEC, IBM等半導體公司合作，開發(fā)下一代光刻技術(shù)，比如EUV(極紫外線光刻)，用于關(guān)鍵尺度在22納米甚至更低的集成電路制造。ASML已經(jīng)向客戶遞交若干臺EUV機型，用于研發(fā)和實驗。同時，基于傳統(tǒng)TWINSCAN平臺的雙重曝光等新興技術(shù)，也在進一步成熟和研發(fā)過程當中。2007年末三星(Samsung)宣布成功生產(chǎn)的36納米閃存，基于的便是雙重曝光技術(shù)。