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[導(dǎo)讀]對(duì)于 CL1 和 CL2,建議使用 5pF 至 25pF 范圍(典型值)的高質(zhì)量外部陶瓷電容器,專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),并根據(jù)晶體或諧振器的要求進(jìn)行選擇(見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會(huì)指定負(fù)載電容,即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時(shí),必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容(10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計(jì))。

大家好,今天聊一下STM32晶振設(shè)計(jì)選型。

  1. 下載STM32F103 datasheet,Page1 找到與晶振相關(guān)的參數(shù),時(shí)鐘頻率4~16MHz;



2. MCU所需晶振參數(shù)定位到Page 51;從內(nèi)容上看,這是對(duì)外部時(shí)鐘源的參數(shù)要求,單顆MCU使用情形一般為有源晶振。有源晶振分為Clipped sine wave 和CMOS輸出,此處選擇CMOS output. OSC_IN為外部時(shí)鐘輸入pin,所有的參數(shù)都是圍繞OSC_IN開始的。

f=1~25 MHz,      外部有源晶振輸出頻率

0.7VDD<VHDD,   OSC_IN高電平輸入

VSS<VL<0.3VSS, OSC_IN低電平輸入

Tw>5ns, OSC_IN保持高/低電平時(shí)間(不同于保持時(shí)間)

Tr/Tf<20ns, OSC_IN上升/下降時(shí)間

Cin=5pF, OSC_IN引腳分布參數(shù)

45%55%,     一般為50%

-1uA<IL<1uA 輸入漏電流


首先看下有沒有推薦的型號(hào),Datasheet內(nèi)沒看到,但是不代表沒有,有的供應(yīng)商提供的EVB評(píng)估板會(huì)提供詳細(xì)的BOM。

此時(shí),可以看看常見的一些晶體供應(yīng)商,Refer to the application note AN2867 “Oscillator design guide for ST microcontrollers”

  • ABRACON

  • EPSON

  • KYOCERA

  • MICROCRYSTAL

  • MURATA

  • NDK

  • RIVER

無線通信應(yīng)用中,以EPSON  TG3225/TG2520為例,晶振頻率選擇25MHz.封裝可選2520或者3225,CMOS輸出,電源電壓3.3V。


3. 無源晶振


對(duì)于 CL1 和 CL2,建議使用 5pF 至 25pF 范圍(典型值)的高質(zhì)量外部陶瓷電容器,專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì),并根據(jù)晶體或諧振器的要求進(jìn)行選擇(見圖24)。CL1 和 CL2 通常大小相同。晶體制造商通常會(huì)指定負(fù)載電容,即 CL1 和 CL2 的串聯(lián)組合。在確定 CL1 和 CL2 的大小時(shí),必須包括 PCB 和 MCU 引腳電容(10 pF 可用作引腳和電路板總電容的粗略估計(jì))。



以上是STM32F103 datasheet給出的資料,很明顯的有價(jià)值的就是頻率典型值8MHz (4~16MHz)。


瀏覽ESPON無源晶振2022推廣產(chǎn)品(產(chǎn)品一定要已經(jīng)量產(chǎn)且在生命周期內(nèi),不然采購會(huì)找你麻煩,文末有ESPON 2022最新產(chǎn)品鏈接)


忽略車規(guī)級(jí)和商用,從頻率和封裝來看,F(xiàn)A-128/FA-20H/FA-238V等都可以選擇。


第二步看具體的參數(shù),以FA-128為例,驅(qū)動(dòng)功率=10uW, CL>6pF,如果選擇16MHz 可看具體的參數(shù)。


CL>6pF沒有具體參數(shù),此時(shí)最佳方式是聯(lián)系到ESPON或者代理咨詢到資料,如果沒有也可去立創(chuàng)商城/云漢芯城/貿(mào)澤/得捷電子等公開渠道搜索。

從上圖看出,

CL=9pF (晶體諧振電路的等效容抗)

CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray ,其中 Cstray 是引腳電容和電路板或走線 PCB 相關(guān)電容

前文建議CL1、CL2范圍5~15pF, Cstray=10pF,不過如果這樣計(jì)算,CL1,CL2是負(fù)值;

Cstray=6pF,則CL1=CL2=6pF;

Cstray=7pF,CL1=CL2=4pF;

可以放2個(gè)5.6pF電容,最終取值需供應(yīng)商匹配或自己根據(jù)相應(yīng)條件測(cè)試調(diào)整。


Datasheet中給出最大驅(qū)動(dòng)電流為1mA,

驅(qū)動(dòng)電流功率=10uW=i2·R1 R1是晶振的等效串聯(lián)電阻

f=16MHz,R1=ESR=200, i2=50nA<1mA

i2=1mA代入, R1=100<200 均沒有超出允許范圍。


這里對(duì)于頻率偏移沒有特殊的要求,用于時(shí)鐘的晶體相對(duì)于RF而言,年老化率偏低。如果需要對(duì)頻率偏移進(jìn)行計(jì)算,必須考慮常溫便宜,溫度變化偏移和年老化率;如果MCU內(nèi)部帶校準(zhǔn)功能的話,頻偏也會(huì)得到優(yōu)化。


公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù):MCUCG ,可獲取STM32晶體設(shè)計(jì)選型詳細(xì)文檔。

后臺(tái)回復(fù):EPSON晶體器件選型指南

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