※截至2023年9月14日 ROHM調(diào)查

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新開發(fā)出在智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域應(yīng)用日益廣泛的硅電容器。利用ROHM多年來積累的硅半導(dǎo)體加工技術(shù)，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更小的尺寸和更高的性能。

隨著智能手機(jī)等應(yīng)用的功能增加和性能提升，業(yè)界對于支持更高安裝密度的小型元器件的需求日益高漲。硅電容器采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)，與多層陶瓷電容器（MLCC）相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點。由于其穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性，這種產(chǎn)品的應(yīng)用越來越廣泛。ROHM預(yù)測硅電容器的市場規(guī)模將在2030年增長至3000億日元※，約達(dá)到2022年規(guī)模的1.5倍，因此采用自有的半導(dǎo)體工藝開發(fā)出小型且高性能的硅電容器。

ROHM的硅電容器采用能以1μm為單位進(jìn)行加工的自有微細(xì)化技術(shù)RASMID?*1，消除了外觀成型過程中的缺陷，并實現(xiàn)了±10μm以內(nèi)的高精度尺寸公差。由于產(chǎn)品尺寸波動很小，因此能夠支持更窄的安裝間距；另外通過將連接電路板的背面電極擴(kuò)大至封裝的邊緣部位，還提高了安裝強(qiáng)度。

第一波產(chǎn)品“BTD1RVFL系列”的尺寸僅為0402（0.4mm×0.2mm），是業(yè)界超小尺寸的表面貼裝型量產(chǎn)硅電容器。與0603尺寸的普通產(chǎn)品相比，其安裝面積減小約55%，僅為0.08mm2，非常有助于應(yīng)用產(chǎn)品的小型化。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置TVS保護(hù)器件，可確保出色的ESD*2耐受能力，減少浪涌對策等電路設(shè)計工時。

“BTD1RVFL系列”包括電容量為1000pF的“BTD1RVFL102”和電容量為470pF的“BTD1RVFL471”，已從2023年8月開始以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格：800日元/個，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）。

ROHM計劃于2024年面向高速和大容量通信設(shè)備等領(lǐng)域開發(fā)高頻特性優(yōu)異的第二波系列產(chǎn)品。另外，ROHM還將致力于開發(fā)適用于服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品，以進(jìn)一步擴(kuò)大應(yīng)用范圍。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

?智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、小型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、光纖收發(fā)器等

＜術(shù)語解說＞

*1) RASMID?

ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統(tǒng)方法完全不同的ROHM自有新工藝方法，實現(xiàn)了小型化和驚人的尺寸精度（±10μm以內(nèi)）的超小型產(chǎn)品系列。

?RASMID?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

*2) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）

當(dāng)人體與電子設(shè)備等帶電物體接觸時，會產(chǎn)生靜電（浪涌）。這種靜電（浪涌）會導(dǎo)致電路和設(shè)備發(fā)生誤動作或損壞。