意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質性能。

選擇正確的柵極驅動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著 SiC 技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的 STGAP 系列電氣隔離柵極驅動器在此成為必不可缺的一環(huán)。STGAP2SICS系列針對SiC MOSFET 的安全控制進行了專門優(yōu)化，并可在高達1200V的高壓下工作，使其成為節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅動器和控制裝置的絕佳選擇。從工業(yè)電動汽車充電系統(tǒng)到太陽能、感應加熱和汽車 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可簡化設計、節(jié)省空間并增強穩(wěn)健性和可靠性。

STGAP2SICSA 是一款符合汽車 AEC-Q100 標準的單通道柵極驅動器，優(yōu)化控制SiC MOSFET，其采用了節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝 (相關型號：STGAP2SICSAN) 和寬體 SO-8W 封裝 (相關型號：STGAP2SICSA)，通過精確PWM 控制提供強大的性能。

STGAP2SICSA 在柵極驅動通道和低壓控制之間具有電氣隔離，可在高達1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的電壓工作。其小于 45ns 的輸入到輸出傳播時間可確保高PWM 精度，并憑借±100V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 實現(xiàn)可靠的開關。內置保護包括欠壓鎖定 (UVLO)，防止SiC電源開關在低效率或不安全條件下運行，以及熱關斷，如果檢測到結溫過高，則將兩個驅動器輸出調低。

STGAP2SICSA 具有帶米勒鉗位功能的單輸出配置。單輸出增強了高頻硬開關應用的穩(wěn)定性，利用米勒鉗位來防止電源開關振蕩。

STGAP2SICSA 邏輯輸入低至3.3V并且與 TTL 和 CMOS 邏輯兼容，簡化了與主機微控制器或DSP的連接。該驅動器可在高達26V的柵極驅動電壓下的推拉電流高達4A。具有獨立輸入引腳的關斷模式有助于最大限度地降低系統(tǒng)功耗。

近日，ST宣布與致瞻科技（下文為ZINSIGHT）建立合作伙伴關系。ZINSIGHT作為全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產基于碳化硅方案的電動壓縮機控制器企業(yè)， ST第三代SiC MOSFET和隔離柵極驅動器技術在ZINSIGHT一流的電動壓縮機解決方案得以成功應用。