在數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等低負(fù)載運(yùn)行場景中，開關(guān)電源的輕載效率（<30%額定負(fù)載）直接影響整機(jī)能耗。傳統(tǒng)PWM控制模式下，開關(guān)損耗與靜態(tài)電流在輕載時占比超過50%，而突發(fā)模式（Burst Mode）與跳頻技術(shù)（Skip Cycle）通過動態(tài)調(diào)整開關(guān)頻率，可將輕載效率提升至85%以上。本文從原理、實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)及工程挑戰(zhàn)三個維度，解析兩種技術(shù)的協(xié)同優(yōu)化策略。

一、技術(shù)原理：動態(tài)調(diào)整開關(guān)行為的效率革命

1.1 突發(fā)模式（Burst Mode）：脈沖簇的“間歇作戰(zhàn)”

突發(fā)模式通過將開關(guān)動作集中為短時脈沖簇（Burst），并在低負(fù)載時暫停工作，顯著降低開關(guān)損耗：

工作機(jī)制：

當(dāng)輸出電流低于閾值（如10%額定負(fù)載）時，控制器進(jìn)入突發(fā)模式，以固定頻率（如100kHz）輸出多個開關(guān)脈沖（通常3~10個），隨后進(jìn)入休眠期（Sleep Period），直至輸出電壓跌落至下限再喚醒。

效率提升邏輯：

輕載時，開關(guān)損耗（

）與頻率成正比，而突發(fā)模式將有效開關(guān)頻率降低至脈沖簇頻率的1/10~1/100（如1kHz以下），使開關(guān)損耗減少90%以上。

典型案例：

在48V→12V/100A服務(wù)器電源中，啟用突發(fā)模式后，5%負(fù)載下的效率從72%提升至88%，空載功耗從1.2W降至0.3W。

1.2 跳頻技術(shù)（Skip Cycle）：頻率的“智能跳躍”

跳頻技術(shù)通過動態(tài)跳過部分開關(guān)周期，實(shí)現(xiàn)頻率與負(fù)載的線性匹配：

工作機(jī)制：

控制器根據(jù)負(fù)載電流實(shí)時調(diào)整開關(guān)頻率，當(dāng)電流低于閾值時，每N個時鐘周期跳過1個開關(guān)周期（如N=4時，實(shí)際頻率為原始頻率的75%）。

效率優(yōu)化路徑：

跳頻技術(shù)避免了突發(fā)模式的深度休眠，在保持較快動態(tài)響應(yīng)的同時，將開關(guān)頻率與負(fù)載需求強(qiáng)相關(guān)，使導(dǎo)通損耗（

）與開關(guān)損耗達(dá)到最優(yōu)平衡。

實(shí)測數(shù)據(jù)：

在24V→5V/10A工業(yè)電源中，采用跳頻技術(shù)后，20%負(fù)載下的效率從82%提升至89%，輸出紋波從50mV降至30mV。

二、實(shí)施要點(diǎn)：從設(shè)計(jì)到調(diào)試的關(guān)鍵控制

2.1 突發(fā)模式的核心參數(shù)設(shè)計(jì)

閾值設(shè)定：

突發(fā)模式啟動閾值（I

BURST_ON

）需高于系統(tǒng)靜態(tài)電流（如20mA），避免頻繁切換；退出閾值（I

BURST_OFF

）應(yīng)低于I

BURST_ON

的50%，形成遲滯窗口（Hysteresis），防止振蕩。

脈沖簇優(yōu)化：

脈沖數(shù)量需平衡效率與紋波：脈沖過多導(dǎo)致休眠期縮短，效率提升有限；脈沖過少則輸出紋波增大（如10個脈沖時紋波為3個脈沖的1/3）。

2.2 跳頻技術(shù)的頻率調(diào)度策略

分段線性控制：

將負(fù)載范圍劃分為多個區(qū)間（如0%~10%、10%~30%），每個區(qū)間采用不同的跳頻比例（N值），實(shí)現(xiàn)效率與響應(yīng)速度的平滑過渡。

軟啟動兼容性：

跳頻技術(shù)需與電源軟啟動電路協(xié)同，避免啟動階段因頻率突變導(dǎo)致輸出過沖（如通過DAC逐步調(diào)整N值）。

2.3 協(xié)同控制：突發(fā)模式+跳頻的混合方案

分級切換邏輯：

在極輕載（<5%）時啟用突發(fā)模式，中等輕載（5%~30%）時切換至跳頻技術(shù)，兼顧效率與動態(tài)性能。

數(shù)字控制優(yōu)勢：

采用數(shù)字電源芯片（如TI UCD3138、ADI LTC3883）可通過固件實(shí)現(xiàn)兩種模式的無縫切換，避免模擬電路的參數(shù)漂移問題。

三、工程挑戰(zhàn)與解決方案

3.1 輸出紋波抑制

突發(fā)模式紋波：

在休眠期，輸出電容放電導(dǎo)致電壓跌落，可通過增大輸出電容（如從100μF增至470μF）或并聯(lián)陶瓷電容（10μF X7R）降低紋波。

跳頻技術(shù)紋波：

頻率跳躍引起電感電流波動，需優(yōu)化電感值（如從10μH降至4.7μH）以匹配跳頻頻率范圍。

3.2 音頻噪聲消除

突發(fā)模式的低頻開關(guān)動作（<20kHz）可能產(chǎn)生可聞噪聲，解決方案包括：

頻率抖動：在突發(fā)模式中引入隨機(jī)頻率調(diào)制（如±5kHz），將噪聲能量分散至超聲頻段；

結(jié)構(gòu)加固：對電感、變壓器等磁性元件進(jìn)行灌封處理，減少振動噪聲。

3.3 動態(tài)響應(yīng)優(yōu)化

兩種技術(shù)均可能降低動態(tài)響應(yīng)速度，需通過以下措施補(bǔ)償：

前饋補(bǔ)償：在控制環(huán)路中引入輸入電壓前饋（如TI TMS320F2803x的電壓前饋模塊），提前調(diào)整占空比；

雙環(huán)路控制：在突發(fā)模式中并行電壓環(huán)與電流環(huán)，縮短過沖/跌落恢復(fù)時間（如從50μs降至10μs）。