壹倍科技近日完成數(shù)億元A+輪融資，本輪由國(guó)中資本、安芯投資、普華資本、廈金創(chuàng)新和思明科創(chuàng)基金共同投資，后浪資本作為早期投資人并擔(dān)任財(cái)務(wù)顧問(wèn)。本次融資所獲資金將主要用于市場(chǎng)拓展、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和保障交付。公司成立5年以來(lái)，共計(jì)完成5輪融資，目前累計(jì)融資額位列新創(chuàng)Micro-LED行業(yè)設(shè)備廠(chǎng)商第一，已引入國(guó)內(nèi)頭部財(cái)務(wù)投資機(jī)構(gòu)、國(guó)內(nèi)頭部產(chǎn)業(yè)資本和政府資本等多類(lèi)型股東，顯現(xiàn)出資本市場(chǎng)對(duì)于Micro LED行業(yè)發(fā)展前景的持續(xù)看好，和對(duì)于壹倍科技在Micro-LED設(shè)備領(lǐng)域成績(jī)的高度肯定。

伴隨著近兩年MicroLED終端產(chǎn)品的逐步落地，行業(yè)已經(jīng)從樣品驗(yàn)證階段過(guò)渡到了量產(chǎn)導(dǎo)入和降本階段。已經(jīng)上市的產(chǎn)品包括大尺寸電視（三星/海信/TCL/辰顯等）、手表（佳明 Fenix 8 Pro MicroLED）、車(chē)載顯示（Ams-Osram/馬瑞利 矩陣式大燈）和AR微顯示器（JBD 蜂鳥(niǎo)II）等，顯示應(yīng)用呈現(xiàn)多點(diǎn)開(kāi)花的局面。同時(shí)基于MicroLED的陣列光通訊技術(shù)也受到了臺(tái)積電、微軟和富士康等科技巨頭公司的密切關(guān)注和投入，有望成為高速可見(jiàn)光通訊（VLC）、芯片間光互連（D2D）及硅光共封裝光學(xué)（CPO）等前沿技術(shù)的理想解決方案。

站在LED、平板顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的交匯點(diǎn)，公司致力于成為Micro-LED行業(yè)全球領(lǐng)先的檢測(cè)技術(shù)和設(shè)備提供商。隨著巨量轉(zhuǎn)移和單片集成的技術(shù)路線(xiàn)趨于收斂，與下游客戶(hù)的密切合作過(guò)程中，公司的技術(shù)與產(chǎn)品線(xiàn)布局日益完善。自2022年7月推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)晶圓級(jí)PL巨量檢測(cè)設(shè)備后，又逐步拓展到了AOI位移量測(cè)和外延無(wú)圖形缺陷檢測(cè)等產(chǎn)品領(lǐng)域。至今已基本覆蓋大陸頭部廠(chǎng)商，同時(shí)積極開(kāi)拓臺(tái)灣客戶(hù)，布局日韓和歐美等海外市場(chǎng)，成為當(dāng)前環(huán)境下少有的前道設(shè)備出海案例。公司產(chǎn)品已完整覆蓋襯底-外延段-COW芯片-COC巨量轉(zhuǎn)移/微顯-MIP/Panel模組各個(gè)Micro-LED前道生產(chǎn)環(huán)節(jié)，提供全面的基于光致發(fā)光PL、高精度明/暗場(chǎng)、和多重光學(xué)檢測(cè)技術(shù)和產(chǎn)品。

Micro-LED發(fā)光性能缺陷檢測(cè)設(shè)備

作為國(guó)內(nèi)首家研發(fā)且目前唯一可量產(chǎn)Micro-LED發(fā)光性能缺陷檢測(cè)設(shè)備的廠(chǎng)商，PL光致發(fā)光產(chǎn)品線(xiàn)是壹倍科技首款面向市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，短短2年商業(yè)化時(shí)間，公司產(chǎn)品已完全覆蓋國(guó)內(nèi)全部頭部芯片廠(chǎng)、巨量轉(zhuǎn)移廠(chǎng)、面板廠(chǎng)和部分微顯示器廠(chǎng)。

Micro-LED行業(yè)中，PL光致發(fā)光檢測(cè)設(shè)備、巨量轉(zhuǎn)移/修補(bǔ)設(shè)備是Micro-LED大規(guī)模量產(chǎn)和降本的關(guān)鍵設(shè)備，已成為Micro-LED制程中評(píng)估芯片發(fā)光性能的核心技術(shù)手段，壹倍科技?xì)v時(shí)3年時(shí)間已完成對(duì)日本濱松、日本東麗和韓國(guó)Etamax等海外對(duì)標(biāo)廠(chǎng)商全面追趕，收獲了來(lái)自大陸、臺(tái)灣和海外客戶(hù)的訂單認(rèn)可。

該設(shè)備主要應(yīng)用于芯片廠(chǎng)COC制成、巨轉(zhuǎn)移廠(chǎng)COW制成和模組廠(chǎng)MIP制成中，其串聯(lián)Micro-LED晶圓整個(gè)圖形化到模組化之間的過(guò)程，通過(guò)非接觸、無(wú)損的方式提供芯片發(fā)光亮度、光譜分布、發(fā)光均勻性等檢測(cè)指標(biāo)，并為巨量轉(zhuǎn)移、巨量修復(fù)、分/混Bin、MIP模組化提供最為基礎(chǔ)的芯片性能數(shù)據(jù)。同時(shí)，該設(shè)備晶圓檢出速度可達(dá)15片/小時(shí)，晶粒檢測(cè)速度每小時(shí)可達(dá)數(shù)千萬(wàn)顆，在保證檢測(cè)精度和穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上，能夠充分滿(mǎn)足上下游其他環(huán)節(jié)節(jié)拍要求。

Micro-LED襯底及外延檢測(cè)設(shè)備

隨著MicroLED產(chǎn)業(yè)邁入量產(chǎn)，業(yè)界對(duì)于晶圓良率和成本的要求不斷提升。而大量的LED芯粒后道失效問(wèn)題均源于最初的襯底表面缺陷或外延層生長(zhǎng)不良。特別是隨著芯粒尺寸越來(lái)越小，甚至降至5μm以下(如AR微顯示應(yīng)用)，其對(duì)于外延層缺陷的敏感度越來(lái)越高，且存在多種類(lèi)型的亞表面晶體缺陷，這些缺陷采用傳統(tǒng)檢測(cè)手段無(wú)法檢出。

壹倍推出的Micro-LED襯底及外延專(zhuān)用檢測(cè)設(shè)備采用顯微光致發(fā)光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗場(chǎng)成像及寬光譜PL成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)透明樣品的無(wú)接觸、非破壞性和超快速的缺陷/亞表面缺陷檢出，提供不同維度檢測(cè)的缺陷Mapping、外延與器件疊圖Mapping與分區(qū)混Bin良率統(tǒng)計(jì)結(jié)果。

AOI轉(zhuǎn)移位移和缺陷量檢測(cè)設(shè)備

Micro-LED場(chǎng)景中的芯片缺陷檢測(cè)與量測(cè)具備明顯的行業(yè)特征：數(shù)據(jù)巨量、缺陷尺寸小、位置度信息敏感、檢測(cè)節(jié)拍要求極高等特點(diǎn)。對(duì)于傳統(tǒng)AOI廠(chǎng)商而言，進(jìn)入Micro-LED場(chǎng)景提供以傳統(tǒng)機(jī)器視覺(jué)為技術(shù)支撐的產(chǎn)品完全無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

壹倍科技AOI芯片缺陷量檢測(cè)設(shè)備，采用超寬場(chǎng)、高NA、顯微線(xiàn)掃光學(xué)成像系統(tǒng)與高通量圖像處理算法，結(jié)合系統(tǒng)誤差整合分析和校準(zhǔn)技術(shù)、運(yùn)動(dòng)與圖像像質(zhì)的自適應(yīng)補(bǔ)償技術(shù)，可以對(duì)Micro LED工藝制程中的COW以及巨量轉(zhuǎn)移前后的COC的晶圓進(jìn)行全面的精細(xì)檢查，同時(shí)具備亞微米級(jí)的全局位移量檢出能力，因此可以有效地對(duì)巨量檢測(cè)轉(zhuǎn)移工序良率進(jìn)行監(jiān)測(cè)和管控?？稍跀?shù)分鐘內(nèi)檢測(cè) Micro LED COW (Chip on Wafer)或COC (Chip on Carrier)晶圓上數(shù)千萬(wàn)顆芯粒的缺陷檢測(cè)或位置量測(cè)，最小可檢出亞微米級(jí)的缺陷和偏移。

壹倍科技技術(shù)轉(zhuǎn)化團(tuán)隊(duì)來(lái)自于香港中文大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)和中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理和材料專(zhuān)業(yè)，公司核心團(tuán)隊(duì)在光學(xué)和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域積累超過(guò)15年，基于材料體系理解、材料表征手段的掌握與核心光學(xué)系統(tǒng)自主的攻堅(jiān)克難，壹倍團(tuán)隊(duì)才能夠快速成為Micro-LED行業(yè)檢測(cè)設(shè)備國(guó)內(nèi)的代表性公司，并希望在未來(lái)能夠產(chǎn)品化更多真實(shí)解決終端客戶(hù)生產(chǎn)需求的關(guān)鍵工藝設(shè)備。