日本厚木2025年9月29日 /美通社/ -- 截止到2025年3月31日為止，株式會社半導(dǎo)體能源研究所（SEL）山崎舜平博士在半導(dǎo)體器件、顯示器及模擬AI等領(lǐng)域共獲得20,120件專利，刷新了其自身保持的吉尼斯世界紀(jì)錄（TM）"作為發(fā)明人擁有的最多專利"稱號。這一成就超過了他之前的紀(jì)錄，2004年3,245件專利、2011年6,314件專利、2016年11,353件專利。

該紀(jì)錄于2025年7月9日由六位知識產(chǎn)權(quán)專家證明。山崎博士于2025年9月17日收到來自吉尼斯世界紀(jì)錄認(rèn)證官的紀(jì)錄證書。該紀(jì)錄包括1969年至2025年3月31日期間在日本、美國、韓國、中國和德國等國家獲得的專利。大名鼎鼎的"發(fā)明王"托馬斯?愛迪生（美國，1847-1931）一生共獲得2,332件專利，山崎博士已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了這一數(shù)字。

山崎舜平博士表示："該兩萬余件專利是近60年的研究成果。以該紀(jì)錄為動力，我們將繼續(xù)推動有助于防止全球變暖的超低功耗LSI及模擬AI等技術(shù)的發(fā)展。"

山崎舜平博士簡介
工學(xué)博士，株式會社半導(dǎo)體能源研究所（SEL）董事長兼首席執(zhí)行官

山崎舜平博士出生于1942年。1970年，他發(fā)明了被稱為"閃存"的非易失性存儲器的基本器件（41件專利，包括日本專利第886343號（日本已審專利申請公開第50-36955號）、美國專利第3,878,549號等基本發(fā)明）。1980年，他創(chuàng)立了SEL，并擔(dān)任代表董事。1997年，因在MOS LSI元件技術(shù)方面的創(chuàng)新，被日本政府內(nèi)閣府授予紫綬褒章。他發(fā)表了一種具有yA/微米（10的-24次方A/微米）量級的極低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體FET*1和*2。

他是IEEE終身會士，瑞典皇家工程科學(xué)院（IVA）外籍院士，世界陶瓷科學(xué)院（WAC）院士和電化學(xué)學(xué)會（ECS）會士。他獲得了同志社大學(xué)的名譽(yù)文化博士學(xué)位。同時，他也是同志社社友，該稱號授予對同志社做出杰出貢獻(xiàn)的人。