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[導(dǎo)讀]本文介紹一種應(yīng)用于μModule?穩(wěn)壓器的精準(zhǔn)串聯(lián)主動電壓定位(AVP)實(shí)現(xiàn)方法。借助該方法,可獲得快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),大幅節(jié)省電路板空間,實(shí)現(xiàn)全陶瓷電容式解決方案。與分流AVP設(shè)計相比,這種串聯(lián)AVP可提供非常準(zhǔn)確的負(fù)載線精度,從而大幅提高輸出電壓精度。文中提供了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的測量結(jié)果。

摘要

本文介紹一種應(yīng)用于μModule®穩(wěn)壓器的精準(zhǔn)串聯(lián)主動電壓定位(AVP)實(shí)現(xiàn)方法。借助該方法,可獲得快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),大幅節(jié)省電路板空間,實(shí)現(xiàn)全陶瓷電容式解決方案。與分流AVP設(shè)計相比,這種串聯(lián)AVP可提供非常準(zhǔn)確的負(fù)載線精度,從而大幅提高輸出電壓精度。文中提供了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的測量結(jié)果。

引言

主動電壓定位(AVP)或主動下垂技術(shù)能夠調(diào)節(jié)電源輸出:輕載時維持較高輸出電壓,重載時維持較低輸出電壓。實(shí)現(xiàn)AVP控制技術(shù)的一大好處是可以改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)并降低輸出電容,因為AVP為電源響應(yīng)負(fù)載瞬變提供了更多空間。μModule穩(wěn)壓器是完整、經(jīng)過測試且合格的封裝電源解決方案。對于電信和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,μModule穩(wěn)壓器憑借快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、極小的電路板占用空間及全陶瓷電容式解決方案而備受青睞。然而,使用傳統(tǒng)非AVP控制技術(shù)很難滿足所有要求。

本文介紹了一種精準(zhǔn)串聯(lián)AVP實(shí)現(xiàn)方法,在反饋控制環(huán)路中添加兩個電阻。這種串聯(lián)AVP方法的優(yōu)勢在于,負(fù)載線精度幾乎與gm放大器增益變化無關(guān);而對于分流AVP1等其他AVP實(shí)現(xiàn)方法,如果gm放大器增益的變化較大,負(fù)載線精度將降低。實(shí)現(xiàn)這種串聯(lián)AVP后,輸出電容可減少多達(dá)50%,同時峰峰輸出電壓瞬態(tài)也略有改善。由于電容減少50%,因此僅需要陶瓷電容,由此可以大幅提高系統(tǒng)可靠性并優(yōu)化成本,因為鋁電解電容的可靠性遠(yuǎn)低于陶瓷電容,而且成本更高。

實(shí)現(xiàn)AVP控制技術(shù)的另一個好處在于,當(dāng)負(fù)載電流較大時,可以降低輸出電壓,從而降低負(fù)載功耗。LTM4650-2示例顯示,凈功耗節(jié)省為1.4 W或5.6%,大大節(jié)省了功耗并延長了電池續(xù)航時間。

串聯(lián)AVP實(shí)現(xiàn)

AVP是指穩(wěn)壓器的輸出電壓根據(jù)負(fù)載電流的變化而動態(tài)調(diào)整的一種方式,而如果采用傳統(tǒng)方法(非AVP),輸出電壓在所有負(fù)載下始終固定在標(biāo)稱值VOUT,如圖1所示。如果采用AVP方法,當(dāng)輸出電流增加時,輸出電壓逐漸降低。在輕載條件下,輸出電壓設(shè)為調(diào)節(jié)至略高于標(biāo)稱值,而在重載條件下,輸出電壓設(shè)為調(diào)節(jié)至略低于標(biāo)稱值。1 當(dāng)負(fù)載電流突然增加時,輸出電壓從高于標(biāo)稱值的電平開始,因此輸出電壓可以下降更多幅度并保持在額定電壓范圍內(nèi)。當(dāng)負(fù)載電流突然減小時,輸出電壓從低于標(biāo)稱值的電平開始,因此輸出電壓可以有更多的過沖并保持在額定電壓范圍內(nèi)。對于所有負(fù)載電流范圍,輸出電壓應(yīng)限制在額定電壓限值內(nèi)(VMAX和VMIN之間)。

圖1.采用AVP的VOUT與采用傳統(tǒng)方法(非AVP)的固定標(biāo)稱值VOUT。

圖2顯示AVP串聯(lián)補(bǔ)償電路。內(nèi)部基準(zhǔn)電壓(VREF)和VOUT反饋分別連接到誤差放大器的正輸入和負(fù)輸入。與RHI連接的VHI(或INTVCC)向放大器輸出(ITH或COMP)提供適當(dāng)?shù)闹绷麟妷?,以防止輸出進(jìn)入飽和狀態(tài)。RLO(反饋電阻)位于輸出(ITH)和負(fù)輸入(或FB)之間。因此,RLO決定了gm放大器增益。RHI和RLO值應(yīng)遠(yuǎn)高于R1和R2。

負(fù)載線公式1:

Ki是電流檢測增益,RSENSE是電流檢測電阻值(或DCR檢測的電感DCR值)。

與AVP分流補(bǔ)償電路1相比,串聯(lián)補(bǔ)償電路的優(yōu)勢在于負(fù)載線取決于R1/RLO增益,幾乎與誤差放大器跨導(dǎo)(gm)的容差無關(guān)。IC工藝和設(shè)計多種多樣。遺憾的是,一些IC的gm值在器件間的差異高達(dá)±30%,而且分流補(bǔ)償電路AVP的負(fù)載線與1/gm增益成正比。因此,分流AVP的負(fù)載線較差。

圖2.AVP串聯(lián)補(bǔ)償電路。

LTM4650-2穩(wěn)壓器上的AVP解決方案

在LTM4650-2(電流模式同步降壓穩(wěn)壓器)上,標(biāo)稱1 V輸出能夠提供25 A負(fù)載,瞬態(tài)窗口約為±8%(160 mV pp)。在這種傳統(tǒng)穩(wěn)壓器(非AVP)上,需要外部RC濾波電路來實(shí)現(xiàn)快速II型控制環(huán)路補(bǔ)償。輸出端有一組5個100 μF陶瓷電容和2個470 μF POSCAP。當(dāng)負(fù)載階躍為19 A(滿載的75%)且擺率為19 A/μs時,瞬態(tài)響應(yīng)為136 mV pp,如圖3所示。

圖3.非AVP電路的負(fù)載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為136 mV pp,COUT1 = 5× 100 μF陶瓷電容,COUT2 = 2× 470 μF POSCAP電容。

如圖4所示,實(shí)現(xiàn)AVP時,在COMP上應(yīng)用了AVP補(bǔ)償電路,但不需要RC補(bǔ)償。在半載(12.5 A)條件下,通過微調(diào)R2,特意將輸出電壓設(shè)為標(biāo)稱值(1 V)。對于負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),獲得了95 mV pp的VOUT,如圖5所示。瞬態(tài)性能已得到改善。當(dāng)輸出電壓設(shè)為1 V且電流為25 A(滿載)時,負(fù)載功率為25 W。通過將輸出電壓降低至0.945 V(25 A負(fù)載時),負(fù)載功率現(xiàn)在為23.6 W,單個輸出的功耗節(jié)省現(xiàn)在為1.4 W。對于兩個輸出,凈功耗節(jié)省總計為2.8 W。

圖4.采用AVP的電路(串聯(lián)補(bǔ)償電路)。

圖5.采用AVP的電路(圖4)的負(fù)載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為95 mV pp。COUT1 = 5× 100 μF陶瓷電容,COUT2 = 2× 470 μF POSCAP電容。

采用AVP實(shí)現(xiàn)方案時,兩個POSCAP可替換為兩個陶瓷電容,因此COUT1上共使用7個100 μF陶瓷電容。使用陶瓷電容的優(yōu)勢是等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)更低、成本更低、尺寸更小、性能更可靠。瞬態(tài)性能已改善,測量結(jié)果是VOUT為104 mV pp,如圖6所示。

圖6.采用AVP的電路的負(fù)載瞬態(tài)波形,輸出電壓瞬態(tài)為104 mV pp。COUT1 = 7× 100 μF陶瓷電容。

表1顯示了上述測量的非AVP(基準(zhǔn))、AVP和僅使用輸出陶瓷電容的AVP的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)V p-p,以供比較。

表1.非AVP、AVP和僅使用輸出陶瓷電容的AVP之間的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)V p-p比較

結(jié)論

在LTM4650-2 μModule穩(wěn)壓器上實(shí)現(xiàn)AVP串聯(lián)補(bǔ)償電路不僅提高了瞬態(tài)響應(yīng)性能,還降低了高負(fù)載條件下的負(fù)載功耗。輸出電容需要小于50%。因此,可以用陶瓷電容代替POSCAP,從而降低成本并最大限度減少占用的電路板空間。這種AVP電路也適用于許多其他具有外部補(bǔ)償引腳和外部RC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的μModule穩(wěn)壓器(例如LTM4630-1、LTM4626、LTM4636、LTM8055-1等)。

參考文獻(xiàn)

1 Robert Sheehan,“主動電壓定位可減少輸出電容”,凌力爾特,1999年。

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