(一)背景

因為flash價格變動，以及設(shè)備存儲空間大小的需求變更，經(jīng)常需要引入新的flash型號，以以往的項目開發(fā)經(jīng)驗，新flash引入后，較容易出現(xiàn)異常，具體異?？梢姟秐or flash 問題記錄列表》。其中問題原因有可能是flash本身原因，也有可能是我們設(shè)備存在干擾，還有可能是我們設(shè)備主控與flash器件之間存在兼容性問題。為避免將該類問題流到設(shè)備量產(chǎn)階段，需要對新引入的flash器件進(jìn)行可靠性測試。

所謂低功耗設(shè)備，也就是設(shè)備是接電池的，不是直接接常電的設(shè)備。該類設(shè)備的特點就是：電壓容易波動，經(jīng)常需要開關(guān)機(jī)，設(shè)備有時候還會處于低電量運(yùn)行。

(二)測試目的

將flash器件問題暴露在選型階段
降低新flash器件型號批量生產(chǎn)風(fēng)險

(三)可能的影響因素

一般flash器件出現(xiàn)異常，可能的影響因素有下面幾種:

A、用戶代碼對Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯誤改寫

這種情況一般出現(xiàn)在需要經(jīng)常對flash進(jìn)行增刪改操作的情況
對于低功耗設(shè)備，或是設(shè)備經(jīng)常需要開關(guān)機(jī)的設(shè)備，出現(xiàn)的概率會更高

B、電源失效

電源電壓的異?？赡軙?dǎo)致系統(tǒng)工作異常的現(xiàn)象，如輸出電壓小于芯片系統(tǒng)工作所需的最小電壓，輸出電壓不干凈，噪音嚴(yán)重等，這些很容易引起芯片內(nèi)部電路的邏輯紊亂，F(xiàn)lash的讀寫信號處于不穩(wěn)定狀態(tài)?？赡墚a(chǎn)生滿足Flash的寫操作，從而給系統(tǒng)帶來嚴(yán)重的損害。

這類問題在低功耗設(shè)備上比較經(jīng)常出現(xiàn)，因為用戶經(jīng)常忘記充電，電池電壓經(jīng)常放電到設(shè)備不能運(yùn)行，這中間就有一個不穩(wěn)定的過渡狀態(tài)。
這類問題有個解決方案，就是電池電壓掉到某個電壓值，設(shè)備就進(jìn)入低電模式，這可以避免這類問題的出現(xiàn)。但這可能會引入另外一個問題，就是設(shè)備電池電量檢測不是很準(zhǔn)，導(dǎo)致設(shè)備異常進(jìn)入低電模式。在電池容量比較小，同時設(shè)備功耗波動比較大的條件下，電池的容量是比較難測量準(zhǔn)確的。

C、系統(tǒng)時鐘不穩(wěn)定

無論對于內(nèi)部Flash還是外部Flash，系統(tǒng)時鐘的不穩(wěn)定，都將導(dǎo)致主控得不到可靠的工作時序信號，從而在讀寫Flash時產(chǎn)生不可預(yù)料的后果。

系統(tǒng)時鐘的不穩(wěn)定，主要是出現(xiàn)在設(shè)備上電和下電的這個過程，如果是板子有干擾，也可能一直存在。
該問題更多的可能需要硬件去處理

D、環(huán)境干擾

環(huán)境干擾的可能原因很多，如生產(chǎn)過程中的高溫焊接、靜電、使用環(huán)境的溫濕度，強(qiáng)磁場等，都可能影響到Flash或整個系統(tǒng)的穩(wěn)定。

E、磨損平衡

flash 器件存在一個擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)的限制，nor flash 一般的最小擦寫次數(shù)為10萬次，正常器件應(yīng)該超過該次數(shù)。

這里說的是最小擦寫次數(shù)，實際在辦公室環(huán)境測試，有可能可以擦寫到七八十萬次。

(四)測試方法設(shè)計

A、擦寫次數(shù)測試(磨損平衡)

以文件的形式，將文件系統(tǒng)放到flash上，進(jìn)行文件創(chuàng)建，寫入數(shù)據(jù)，校驗數(shù)據(jù)，擦除數(shù)據(jù)操作
直接對flash 的設(shè)備塊進(jìn)行擦寫數(shù)據(jù)校驗操作
讀寫操作至少10萬次，每次設(shè)備起來校驗上次寫入數(shù)據(jù)是否正常