電容，作為電路設(shè)計中不可或缺的器件，以其獨特的功能和廣泛的用途，在電子領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。它不僅是一種無源元件，更在多個方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，如旁路、去耦、濾波以及儲能等。此外，電容還廣泛應(yīng)用于振蕩、同步以及時間常數(shù)等電路功能的實現(xiàn)。其隔直流的特性，即阻止直流信號通過而允許交流信號通過，更是為電路設(shè)計帶來了極大的便利。

旁路電容的核心作用，濾除高頻噪聲，在電源網(wǎng)絡(luò)中，集成電路開關(guān)動作或信號跳變會產(chǎn)生高頻噪聲(如振鈴、毛刺)。旁路電容通過提供低阻抗路徑(理想情況下阻抗$Z=1/(2πfC)$)，將噪聲能量直接導(dǎo)入地平面，避免干擾其他電路模塊。例如，數(shù)字IC的電源引腳通常并聯(lián)0.1μF電容，可有效濾除100MHz以下的噪聲(參考Murata技術(shù)手冊)。

穩(wěn)定局部電壓，當(dāng)負(fù)載電流突變時(如CPU瞬間高負(fù)載)，電源線因寄生電感(典型值1-10nH/cm)會產(chǎn)生電壓跌落。旁路電容作為“微型儲能單元”，可在μs級時間內(nèi)釋放電荷補償壓降。例如，F(xiàn)PGA供電推薦每電源引腳配置10μF+0.1μF組合電容(Xilinx UG-583)。

關(guān)閉PMOS管，這一動作不會導(dǎo)致脈沖噪聲的產(chǎn)生，因為在此之前PMOS管一直處于打開狀態(tài)且沒有電流流過的。同時打開NMOS管，這時傳輸線、地平面、封裝電感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬間電流流過開關(guān)B，這樣在芯片內(nèi)部的地結(jié)點處產(chǎn)生參考電平點被抬高的擾動。該擾動在電源系統(tǒng)中被稱之為地彈噪聲(Ground Bounce，我個人讀著地tan)。

實際電源系統(tǒng)中存在芯片引腳、PCB走線、電源層、底層等任何互聯(lián)機都存在一定電感值，因此上面就IC級分析的SSN和地彈噪聲在進行Board Level分析時，以同樣的方式存在，而不僅僅局限于芯片內(nèi)部。就整個電源分布系統(tǒng)來說(Power Distribute System)來說，這就是所謂的電源電壓塌陷噪聲。因為芯片輸出的開關(guān)操作以及芯片內(nèi)部的操作，需要瞬時的從電源抽取較大的電流，而電源特性來說不能快速響應(yīng)該電流變化，高速開關(guān)電源開關(guān)頻率也僅有MHz量級。為了保證芯片附近電源在線的電壓不至于因為SSN和地彈噪聲降低超過器件手冊規(guī)定的容限，這就需要在芯片附近為高速電流需求提供一個儲能電容，這就是我們所要的退耦電容。

所以電容重要分布參數(shù)的有三個：等效串聯(lián)電阻ESR 等效串聯(lián)電感ESL 、等效并聯(lián)電阻EPR Rp 。其中最重要的是ESR、 ESL，實際在分析電容模型的時候一般只用RLC簡化模型，即分析電容的C、ESR、ESL。因為寄生參數(shù)的影響，尤其是ESL的影響，實際電容的頻率特性表現(xiàn)出阻抗和頻率成“V”字形的曲線，低頻時隨頻率的升高，電容阻抗降低;當(dāng)?shù)阶畹忘c時，電容阻抗等于ESR;之后隨頻率的升高，阻抗增加，表現(xiàn)出電感特性(歸功于ESL)。因此對電容的選擇需要考慮的不僅僅是容值，還需要綜合考慮其他因素。

所有考慮的出發(fā)點都是為了降低電源地之間的感抗(滿足電源最大容抗的條件下)，在有瞬時大電流流過電源系統(tǒng)時，不至于產(chǎn)生大的噪聲干擾芯片的電源地引腳。

電容的頻率特性

當(dāng)頻率很高時，電容不再被當(dāng)做集總參數(shù)看待，寄生參數(shù)的影響不可忽略。寄生參數(shù)包括Rs，等效串聯(lián)電阻(ESR)和Ls等效串聯(lián)電感(ESL)。電容器實際等效電路，其中C為靜電容，1Rp為泄漏電阻，也稱為絕緣電阻，值越大(通常在GΩ級以上)，漏電越小，性能也就越可靠。因為Pp通常很大(GΩ級以上)，所以在實際應(yīng)用中可以忽略，Cda和Rda分別為介質(zhì)吸收電容和介質(zhì)吸收電阻。介質(zhì)吸收是一種有滯后性質(zhì)的內(nèi)部電荷分布，它使快速放電后處于開路狀態(tài)的電容器恢復(fù)一部分電荷。

工作原理與頻率特性

1. 容抗與頻率的關(guān)系

旁路電容的阻抗隨頻率升高而降低，但在自諧振頻率(SRF)后因寄生電感(ESL)影響會轉(zhuǎn)為感性。例如：

- 0805封裝的0.1μF MLCC電容，SRF約20MHz(ESL約1nH)

- 相同封裝1μF電容的SRF降至5MHz(TDK參數(shù)手冊)。

2. 多電容并聯(lián)策略

為覆蓋寬頻段噪聲，常采用“大容量+小容量”組合：

- 10μF鋁電解電容：處理1kHz以下低頻紋波

- 0.1μF陶瓷電容：抑制10-100MHz噪聲

- 1nF高頻電容：針對GHz級干擾(如射頻電路)。

三、選型與布局要點

1. 關(guān)鍵參數(shù)選擇

- 容值：數(shù)字電路常用0.01-0.1μF，射頻電路需pF級

- 耐壓：至少為電源電壓1.5倍(如5V系統(tǒng)選10V規(guī)格)

- 材質(zhì)：高頻場景優(yōu)選NP0/C0G陶瓷(容溫穩(wěn)定性±30ppm/℃)。

2. PCB布局規(guī)范

- 盡量靠近IC電源引腳(距離<3mm)

- 優(yōu)先使用短而寬的走線以降低ESL

- 避免過孔打斷回流路徑(參考Intel PCB設(shè)計指南)。

儲能原理：電解電容普遍具備儲能功能。針對特定儲能需求的電容，其儲能機制主要基于雙電層電容和法拉第電容，即超級電容儲能。超級電容器，作為利用雙電層原理的電容器，在施加外加電壓時，正電極和負(fù)極板會分別存儲正負(fù)電荷，形成電場。在電場作用下，電解液與電極間的界面會產(chǎn)生相反的電荷，以維持電解液的內(nèi)電場平衡。這些正負(fù)電荷在兩極板的接觸面上以極短的間隙排列在相反位置，構(gòu)成雙電層，從而顯著增加電容量。

電容器旁路的基本原理，電容器旁路是一種將電容器串聯(lián)在電路元件旁邊的電路設(shè)計技術(shù)，它可以使電流更加順暢地通過電路。當(dāng)電路中出現(xiàn)高頻噪聲時，電容器旁路還具有減弱電磁干擾的作用。

電容器旁路的基本原理是利用電容器的等效電路模型消除高頻信號，提高電路的工作穩(wěn)定性。電容器旁路可以有效地減少高頻噪聲對信號的影響，提高電路的抗干擾能力。

電容器旁路在電源濾波中常用于實現(xiàn)對電源噪聲的抑制，提高設(shè)備的電源穩(wěn)定性。電源濾波電路通常是將電容器和電感器組成的低通濾波器，將高頻噪聲進行濾波，以保證設(shè)備正常工作。模擬電路中的電容器旁路，在模擬電路中，電容器旁路主要用于減弱高頻信號，保持信號的完整性。當(dāng)信號電路需要抑制高頻噪聲時，可以在輸入端、輸出端或信號通路中串聯(lián)電容器旁路，減弱或消除高頻噪聲對信號的干擾。

數(shù)字電路中的電容器旁路，在數(shù)字電路中，電容器旁路主要用于抑制電源中的高頻噪聲，保持電路的穩(wěn)定性。在數(shù)字電路晶片中，電容器旁路通常是由一個電容器和一個電阻器組成的低通濾波電路，以消除電源中的高頻噪聲。

放大器設(shè)計中的電容器旁路，在放大器設(shè)計中，電容器旁路常用于減弱設(shè)備的噪聲信號，提高信號的純度。在放大器輸入后級和輸出后級中插入電容器旁路，可以減弱電源噪聲對信號的影響，提高放大器的性能。