功率MOSFET的參數(shù)，分為靜態(tài)參數(shù)及動態(tài)參數(shù)，此處以MSC750SMA170B為例說明，如下圖1為靜態(tài)參數(shù)。

圖1 靜態(tài)參數(shù)說明

IGSS為柵源極的漏電流，一般測試方式為，設(shè)置漏極和源極短路，在柵極和源極之間施加不同的電壓得到柵源漏電流。從上述靜態(tài)特性指標(biāo)中，可以看出規(guī)格為+-100nA.

圖2 IGSS測試說明

IDSS為漏極漏電流，一般測試方式為，設(shè)置柵源電壓為0，在漏源之間施加不同的電壓測試其漏極的漏電流，此處在規(guī)格中可以看出，在1700V的Vds電壓下，常溫下其漏電流為100uA,而在高溫下，結(jié)溫125C時，這項(xiàng)測試規(guī)格為500uA.

圖3 IDSS測試說明

VBR(DSS)是指漏源擊穿電壓，即保證器件在漏極和源極之間阻斷的最大電壓，其中分為VBR(DSS)和VBR(DXS), 前者是柵極核源極之間短路時測試得到的漏極最大電壓，而后者是柵極核源極施加反向偏置時測試得到的漏極最大電壓。

從上圖1中可知，此項(xiàng)規(guī)格按照柵源短路的條件測試，VBR(DSS)，其規(guī)格為最小1700V.

圖4 VBR(DSS)測試說明

上圖表示在短路VGS時測試DS的擊穿電壓的測試電路圖。

綜上，以上簡單介紹MOSFET的靜態(tài)參數(shù)測試方式。