SiC MOSFET的驅(qū)動相對簡單，基本驅(qū)動方法和IGBT,Si MOSFET等相同，驅(qū)動電壓為+18V,關(guān)斷0V, 在規(guī)格范圍內(nèi)，施加負電壓時，設(shè)計會具有較高的抗噪性能。本文在簡要討論一下驅(qū)動電路的具體典型形式基礎(chǔ)上，主要討論一下負壓驅(qū)動電路。

在Si器件的驅(qū)動時，可以通過脈沖變壓器進行驅(qū)動，如圖1所示。但是，由于正負電壓相同，所以其不適合SiC MOSFET的驅(qū)動。

圖1 脈沖變壓器驅(qū)動

圖2 自舉電路驅(qū)動

對于橋式電路來說，當(dāng)mosfet上管在關(guān)斷時，具有如圖2所示的電流回路，Low Side的mosfet關(guān)斷時，通過體二極管續(xù)流，此時注意體二極管的電壓較大，boot電容被充電到VG+VF，所以在設(shè)計時，注意不要將boot電容充電超過門極電壓的額定值,以免損壞。