SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)相對(duì)簡單，基本驅(qū)動(dòng)方法和IGBT,Si MOSFET等相同，驅(qū)動(dòng)電壓為+18V,關(guān)斷0V, 在規(guī)格范圍內(nèi)，施加負(fù)電壓時(shí)，設(shè)計(jì)會(huì)具有較高的抗噪性能。本文在簡要討論一下驅(qū)動(dòng)電路的具體典型形式基礎(chǔ)上，主要討論一下負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路。

在Si器件的驅(qū)動(dòng)時(shí)，可以通過脈沖變壓器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，如圖1所示。但是，由于正負(fù)電壓相同，所以其不適合SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)。

圖1 脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)

圖2 自舉電路驅(qū)動(dòng)

對(duì)于橋式電路來說，當(dāng)mosfet上管在關(guān)斷時(shí)，具有如圖2所示的電流回路，Low Side的mosfet關(guān)斷時(shí)，通過體二極管續(xù)流，此時(shí)注意體二極管的電壓較大，boot電容被充電到VG+VF，所以在設(shè)計(jì)時(shí)，注意不要將boot電容充電超過門極電壓的額定值,以免損壞。