1月18日，美國商務部部長霍華德?盧特尼克（Howard Lutnick）在美光紐約工廠奠基儀式上的表態(tài)，為本已沸騰的全球內存市場投下又一顆 “炸彈”：存儲芯片制造商若不選擇在美國本土建廠，將面臨高達 100% 的懲罰性關稅。

這一政策加碼，疊加 AI 算力需求爆發(fā)、存儲巨頭產能傾斜等既有矛盾，正將全球內存價格推向 “進一步失控” 的邊緣，下游產業(yè)與普通消費者將持續(xù)承壓。

內存市場供需失衡

從供需基本面來看，內存市場早已處于 “緊繃狀態(tài)”。需求端，AI 產業(yè)的爆發(fā)式增長徹底重塑了存儲市場邏輯。大模型訓練、數據中心擴容對高帶寬內存（HBM）和高性能 DRAM 的需求呈指數級攀升，華為等企業(yè)均指出，存儲已從 AI 的 “配套設施” 升級為 “核心基礎設施”。

據 TrendForce 數據，2025 年 9 月以來，DDR5 內存價格漲幅超 300%，DDR4 漲幅超 150%，部分高端服務器內存條單價逼近 5 萬元?！耙缓袃却鏃l堪比上海一套房” 的夸張描述，成為市場供需失衡的真實寫照。

而供給端的 “結構性收縮” 更讓矛盾雪上加霜。全球存儲行業(yè)呈現 “三巨頭壟斷” 格局 —— 三星、SK 海力士、美光合計占據超 90% 的 DRAM 市場份額，產能分配完全掌握在少數企業(yè)手中。為追逐更高利潤，三大巨頭紛紛將產能向 HBM 傾斜，其中美光已宣布停止向消費電子、PC 領域出貨 DDR4 內存，三星、SK 海力士也縮減了傳統 DRAM 產能，轉而優(yōu)先滿足 AI 服務器的高價訂單。

這種 “產能大挪移” 直接導致消費級內存供應缺口擴大，市場陷入 “有錢難拿貨” 的困境，為價格上漲埋下伏筆。

關稅大棒火上澆油

如今美國 “100% 關稅” 政策的出臺，無疑將這一困境推向極致。從當前巨頭布局來看，僅有美光明確在美國本土生產 DRAM，三星、SK 海力士雖有在美投資，但均不涉及核心內存生產線。其中，三星在美聚焦半導體前道和后道工序，SK 海力士 40 億美元的印第安納州項目僅覆蓋 2.5D 先進封裝與研發(fā)。

若新政落地，這兩家韓國巨頭將首當其沖，面臨 “要么承擔巨額關稅、要么斥資建廠” 的兩難選擇。

無論選擇哪條路，最終成本都將傳導至內存價格。若承擔關稅，三星、SK 海力士勢必將成本疊加到產品售價中，進一步推高全球內存報價；若選擇在美建廠，美國高昂的建設成本、人力成本與技術轉移成本，同樣會轉化為內存生產的隱性成本，最終反映在終端價格上?？萍济襟w Wccftech 分析指出，此舉將導致全球存儲供應鏈成本劇增，原本就處于歷史高位的內存價格，可能迎來新一輪 “失控式上漲”。

這種上漲壓力已開始向全產業(yè)鏈蔓延。下游終端領域，PC、手機廠商率先承壓。聯想、戴爾等筆電品牌已預告價格上漲 15%-20%，國產手機新品較上一代普遍漲價 100-600 元，中低端機型更是陷入 “降配保價” 的無奈選擇；智能汽車行業(yè)受沖擊更甚，蔚來創(chuàng)始人李斌直言 “內存漲價是 2026 年最大成本壓力”，智能座艙與自動駕駛系統對高容量內存的依賴，迫使車企與 AI 服務器廠商 “爭奪有限產能”，而國內車市白熱化的價格戰(zhàn)，讓車企幾乎沒有成本消化空間。

上漲周期或遠超預期

更嚴峻的是，內存價格的上漲周期可能遠超預期。一方面，存儲巨頭的擴產計劃存在 “時滯效應”：美光紐約工廠 2030 年才正式投產，三星、SK 海力士即便在美建廠，也需 3-5 年才能釋放產能；另一方面，AI 需求的增長仍在加速，英偉達新一代 AI 加速器 Vera Rubin 對 SSD 容量的需求是前代的 10 倍，2027 年僅這一款產品就將新增 1.152 億 TB 的存儲需求，持續(xù)擠壓消費級市場的產能空間。

目前業(yè)內專家判斷供應緊張局面至少需要兩年才能緩解，這意味著內存高價狀態(tài)可能持續(xù)至 2028 年。不過也有觀點指出，這一輪上漲周期可能會持續(xù)更長，因為不排除存儲大廠人為干擾市場供給。

在此背景下，美國關稅政策的本質，是將產業(yè)博弈的成本轉嫁給全球消費者與下游企業(yè)。在 AI 算力需求不可逆轉、存儲產能高度集中的背景下，100% 關稅的 “大棒” 不僅無法解決供需矛盾，反而會打破現有供應鏈平衡，讓本已飆升的內存價格徹底失去調控錨點。

對于普通消費者而言，未來一段時間內，“買電子產品更貴、換機周期更長” 或成常態(tài)；對于依賴外部存儲供應鏈的中國終端廠商，加快國產存儲替代、鎖定長期產能，已成為應對這場 “內存危機” 的必然選擇！