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亞洲芯片廠商第二季獲利增速強(qiáng)勁

*事件:海力士半導(dǎo)體、三星電子、東芝、爾必達(dá)記憶體二季度財(cái)報(bào)*時(shí)間:從7月22日(周四)起陸續(xù)公布*芯片價(jià)格上漲速度趨緩,從第四季起可能出現(xiàn)供過于求*智能手機(jī)、平板電腦將推動(dòng)下半年增長記者M(jìn)iyoungKim編譯王洋/龔芳/

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2010-07-20

芯片廠商晶片半導(dǎo)體海力士
爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NANDFlash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司（TIMC）

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2010-07-20

研發(fā)中心爾必達(dá) Flash NAND
臺(tái)積電雙管齊下8、12寸廠擴(kuò)產(chǎn)

臺(tái)積電2010年因應(yīng)市場需求積極擴(kuò)充產(chǎn)能，除落腳于中科第3座超大型12寸晶圓廠日前正式動(dòng)土，未來將直接投產(chǎn)28奈米制程，并加速22奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)外，位于大陸上海松江8寸廠亦同步擴(kuò)充產(chǎn)能，近期已擴(kuò)充產(chǎn)能達(dá)單月

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2010-07-20

臺(tái)積電晶圓廠 FAB SMC
第三季度DRAM價(jià)格或下滑

據(jù)韓國ETNEWS報(bào)導(dǎo)，過去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。據(jù)相關(guān)業(yè)者

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2010-07-20

DRAM 三星電子 ELECTRONICS 海力士
75V電壓等級的固鉭貼片電容器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首類具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

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2010-07-20

Vishay 電壓電容器貼片電容
車聯(lián)網(wǎng)引發(fā)網(wǎng)絡(luò)承載變革

從“互聯(lián)網(wǎng)”到“物聯(lián)網(wǎng)”，世界正以不同的方式相互連接;而從“車載信息”到“車聯(lián)網(wǎng)”，車與車之間也將相互連接，并成為人們相互交流的新途徑。在不久前舉行的“車聯(lián)

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2010-07-20

互聯(lián)網(wǎng) 移動(dòng)寬帶車聯(lián)網(wǎng)
激光蝕刻技術(shù)于傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻技術(shù)的比較

激光蝕刻技術(shù)比傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻技術(shù)工藝簡單、可大幅度降低生產(chǎn)成本，可加工0.15～1微米寬的線，非常適合于超大規(guī)模集成電路的制造。激光微調(diào)技術(shù)可對電阻進(jìn)行自動(dòng)精密微調(diào)，精度可達(dá)0.01%～0.002%，比傳統(tǒng)加工方法的

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2010-07-20

器件精度激光微米
華天科技逐步進(jìn)入高端封裝領(lǐng)域

華天科技(002185)于7月13日發(fā)布公告稱：公司曾在2010年第一季度報(bào)告中預(yù)計(jì)2010年1-6月實(shí)現(xiàn)的歸屬于母公司所有者的凈利潤為4800-5500萬元，現(xiàn)在修正為5900-6100萬元，相當(dāng)于公司2010年1-6月每股收益為0.16元。點(diǎn)評

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2010-07-20

RFID 封裝微電子封裝 LED封裝
GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

繼晶圓代工大廠臺(tái)積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì)中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺(tái)導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于

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2010-07-20

臺(tái)積電 EUV GLOBAL GLOBALFOUNDRIES
臺(tái)積電的Fab 15開工建設(shè)，年底合計(jì)處理能力將達(dá)24萬片/月

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）7月16日在臺(tái)中舉行了第三條300mm晶圓量產(chǎn)線“Fab 15”的動(dòng)工儀式，同時(shí)還公開了Fab 15的組建計(jì)劃以及增強(qiáng)其他300mm量產(chǎn)線晶圓處理能力的計(jì)劃等。據(jù)發(fā)布資料介紹，F(xiàn)ab 15的工廠概要如下。Fab 1

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2010-07-20

晶圓臺(tái)積電 TSMC FAB
TI模擬產(chǎn)能再擴(kuò)充　收購Spansion Japan兩座晶圓廠

看好市場前景，德州儀器(TI)又一次宣布擴(kuò)充模擬組件制造產(chǎn)能。繼加速美國德州 12吋晶圓廠量產(chǎn)之后，TI向 Spansion Japan 收購了兩座分別為8吋與12吋、位于日本會(huì)津若松(Aizu-Wakamatsu)的晶圓廠；后者的450名員工也

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2010-07-20

模擬晶圓廠 SPANSION
擴(kuò)大在臺(tái)投資　TSMC中科12吋廠動(dòng)工

臺(tái)積電(TSMC)日假臺(tái)中科學(xué)園區(qū)舉行第三座12吋超大型晶圓廠(GIGAFAB)──晶圓十五廠動(dòng)土典禮。晶圓十五廠是臺(tái)積電第二座具備28奈米制程能力的超大型十二吋晶圓廠，基地面積18.4公頃，總建筑面積430,000 平方公尺，預(yù)

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2010-07-20

臺(tái)積電晶圓廠 TSMC GENERAL
全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。

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2010-07-19

晶體管器件 BSP DIODES
基于RC正弦波振蕩電路的電子琴設(shè)計(jì)

介紹一種八音階微型電子琴的設(shè)計(jì)方法，它采用模擬電路中的RC正弦振蕩原理。設(shè)計(jì)出的電子琴音階頻率滿足國際標(biāo)準(zhǔn)，la調(diào)頻率滿足國際標(biāo)準(zhǔn)音c調(diào)頻率440 Hz。給出電路參數(shù)的選取方法和一組參考值。結(jié)果證明，用模擬電路方法制作電子琴結(jié)構(gòu)簡單，而且成本低廉。

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2010-07-19

正弦波振蕩電路 BSP RC 電子琴設(shè)計(jì)
自動(dòng)化測試解決之道構(gòu)建以軟件為核心的模塊化系統(tǒng)

如今，伴隨著測試需求的多樣化和復(fù)雜化，軟件定義的儀器系統(tǒng)已成為測試測量行業(yè)最重要的發(fā)展趨勢和主流技術(shù)。軟件定義的模塊化系統(tǒng)不僅可以幫助用戶在提高效率的同時(shí)降低測試成本，還能滿足未來不斷升級擴(kuò)展的需要。

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2010-07-19

軟件自動(dòng)化測試模塊化軟件定義

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亞洲芯片廠商第二季獲利增速強(qiáng)勁

爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

臺(tái)積電雙管齊下8、12寸廠擴(kuò)產(chǎn)

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75V電壓等級的固鉭貼片電容器（Vishay）

車聯(lián)網(wǎng)引發(fā)網(wǎng)絡(luò)承載變革

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GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

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TI模擬產(chǎn)能再擴(kuò)充　收購Spansion Japan兩座晶圓廠

擴(kuò)大在臺(tái)投資　TSMC中科12吋廠動(dòng)工

全新20V NPN及PNP雙極晶體管（Diodes）

基于RC正弦波振蕩電路的電子琴設(shè)計(jì)

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