繼晶圓代工大廠臺(tái)積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國(guó)時(shí)間14日于SEMICON West展會(huì)中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺(tái)導(dǎo)入位于美國(guó)紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。

由于浸潤(rùn)式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺(tái)與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過(guò)浸潤(rùn)式微影機(jī)臺(tái)采用的是 193nm波長(zhǎng)的光源，走到22奈米已達(dá)光學(xué)極限，因此業(yè)界發(fā)展出采用13.5nm波長(zhǎng)的EUV光源，僅浸潤(rùn)式微影光源的14分之1。

目前包括英特爾(Intel)、臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等半導(dǎo)體大廠皆已向設(shè)備廠艾斯摩爾(ASML)采購(gòu)EUV機(jī)臺(tái)，投入EUV技術(shù)的研發(fā)。

Global Foundries資深研發(fā)副總Gregg Bartlett表示，Global Foundries不同于多數(shù)同業(yè)采購(gòu)預(yù)產(chǎn)(pre-production)設(shè)備，而是直接采購(gòu)量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)于2012年下半導(dǎo)入位于紐約的12寸廠中，預(yù)計(jì)2014~2015年間進(jìn)入量產(chǎn)。

Global Foundries于6月初在臺(tái)灣宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，目前興建中的紐約Fab 8原本預(yù)計(jì)2010下半年啟用，未來(lái)將增加40%廠房空間，每月產(chǎn)能由4.2萬(wàn)片增加到6萬(wàn)片，制程技術(shù)由28奈米延伸至22~20奈米，新產(chǎn)能將在 2012年上線(xiàn)，并于2013年開(kāi)始量產(chǎn)。

Gregg Bartlett進(jìn)一步指出，雖然浸潤(rùn)式微影技術(shù)能夠?qū)⒅瞥掏七M(jìn)到22/20奈米，然而成本高且復(fù)雜度也高，因此需要其它的技術(shù)，而EUV就是最好的替代方案。

他也表示，Global Foundries是EUV LLC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的的初創(chuàng)成員之一，曾參與多項(xiàng)EUV研發(fā)的重要里程碑，其中包括首款EUV測(cè)試芯片的生產(chǎn)，因此Global Foundries將繼續(xù)維持領(lǐng)先地位，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)走向EUV的量產(chǎn)?！?/p>

Global Foundries主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的臺(tái)積電于2010年2月宣布，臺(tái)積電將取得ASML的EUV微影設(shè)備，并安裝在竹科12寸廠Fab 12超大晶圓廠(GigaFab)中，用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)。

EUV技術(shù)由于設(shè)備投資金額高昂，加上所需的光罩成本亦相當(dāng)高昂，然而浸潤(rùn)式雙重曝光(double patterning)復(fù)雜度大增，因此目前在22奈米制程，哪里個(gè)技術(shù)會(huì)是主流尚無(wú)定論，而臺(tái)積電也同時(shí)在發(fā)展無(wú)光罩(maskless)的電子束 (E-beam)技術(shù)，因此也讓發(fā)展較晚的電子束技術(shù)，扭轉(zhuǎn)情勢(shì)成為22奈米以下制程的候選技術(shù)之一。

然而隨ASML的6臺(tái)EUV設(shè)備即將陸續(xù)出貨，屆時(shí)其量產(chǎn)成果將成為業(yè)界的重要指標(biāo)，EUV是否能成為主流技術(shù)，未來(lái)1~2年將是重要關(guān)鍵。

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