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ST與清華大學(xué)建立長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

意法半導(dǎo)體與清華大學(xué)深圳研究生院達(dá)成建立長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。從2002年建立ASIC專用集成電路合作研究中心開始，本戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂代表雙方的合作關(guān)系已進(jìn)入第二階段。意法半導(dǎo)體將在數(shù)字多媒體芯片和應(yīng)用

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2010-06-18

ST 意法半導(dǎo)體應(yīng)用軟件 ASIC
新款高速模擬光耦（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd，采用厚度為2.0mm的低外形封裝，其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的P

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2010-06-18

模擬封裝 Vishay 光耦
歐洲最大RFID技術(shù)產(chǎn)品制造商落戶無錫

西班牙普萊默集團(tuán)日前就傳感技術(shù)研發(fā)中心及傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地的設(shè)立，和無錫新區(qū)簽約。據(jù)介紹，項(xiàng)目建成后瞄準(zhǔn)無錫地區(qū)規(guī)模最大的傳感技術(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)基地這一目標(biāo)。普萊默集團(tuán)是一家擁有50多年歷史的跨國企業(yè)，總部

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2010-06-18

研發(fā)中心傳感技術(shù) 低頻 RFID技術(shù)
無錫新區(qū)傳感器產(chǎn)業(yè)基地初露崢嶸

新區(qū)正全力打造一個(gè)讓物聯(lián)網(wǎng)更“耳聰目明”的新產(chǎn)業(yè)——傳感器產(chǎn)業(yè)。截至6月14日，已有50余家國際知名傳感器企業(yè)在新區(qū)落戶，并形成了2億只的年生產(chǎn)規(guī)模，新區(qū)也由此成為國內(nèi)重要的傳感器生產(chǎn)基

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2010-06-18

物聯(lián)網(wǎng) 傳感器產(chǎn)業(yè) IP PIC
日本研發(fā)出人機(jī)交互技術(shù) 肢體動作可控制家電

瑞薩電子株式會社與Morpho公司日前共同開發(fā)出可通過揮手、轉(zhuǎn)動等直觀的手勢動作控制電視等家電設(shè)備的人機(jī)交互技術(shù)。據(jù)介紹，為實(shí)現(xiàn)肢體動作控制電器的功能需要拍攝操作者的影像，并實(shí)時(shí)進(jìn)行復(fù)雜的圖像處理，例如：識

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2010-06-18

移動人機(jī)交互控制圖像處理
京元電產(chǎn)能利用率處高檔　第3季有機(jī)會逐月往上

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)一片旺季的榮景，IC測試廠京元電子目前LCD驅(qū)動IC和邏輯IC測試產(chǎn)能利用率維持高檔水平，預(yù)期第3 季營運(yùn)有機(jī)會逐月攀高，單月營收可望具有挑戰(zhàn)歷史新高的實(shí)力。惟因新產(chǎn)能的機(jī)臺交期遞延，加上基期墊高，

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2010-06-18

電子內(nèi)存驅(qū)動IC IC測試
GCL硅晶圓JIT策略啟動　尚德、天和、旺能吳江廠為首選

保利協(xié)鑫(GCL)旗下太陽能多晶硅廠徐州中能投入太陽能硅晶圓領(lǐng)域后，開始在合作的太陽能電池廠旁建立切晶廠，為電池廠爭取運(yùn)送時(shí)間及減少庫存成本，成為大陸太陽能市場首創(chuàng)的實(shí)時(shí)生產(chǎn)(Just In Time；JIT)以提升競爭

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2010-06-18

電力太陽能電池多晶硅硅晶圓
硅格調(diào)幅80%，第5家調(diào)高資本支出IC封測廠

IC封測廠硅格（6257）日前股東會順利通過配發(fā)1.2元現(xiàn)金股利，該公司董事長黃興陽并在股東會上宣布調(diào)高今年度資本支出，他表示，由于公司現(xiàn)有廠房及設(shè)備均已不敷需求，因此今年度的資本支出也將從原先的規(guī)畫16.4億元提

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2010-06-18

MEMS IC QFN BLUETOOTH
并全智科﹖日月光：子虛烏有

法人圈昨（17）日盛傳封測大廠日月光（2311）將以換股方式，合并功率放大器（PA）測試廠全智科（3559），收購價(jià)格約落在28元至30元，全智科昨日股價(jià)開盤不久就放量攻上漲停。不過，日月光財(cái)務(wù)長董宏思已否認(rèn)有此

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2010-06-18

功率放大器組件 5G手機(jī) 3G手機(jī)
IDT關(guān)廠下單臺積

混合信號芯片大廠美商艾迪特科技（IDT）去年與晶圓代工龍頭臺積電（2330）簽訂代工合約后，IDT已于2月完成對臺積電制程認(rèn)證，5月起正式下單，制程大于0.35微米產(chǎn)品下單臺積電Fab3，小于0.35微米產(chǎn)品則下單臺積電Fab8

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2010-06-18

晶圓廠微米 IDT FAB
思源Laker系統(tǒng)獲TSMC 28nm參考流程認(rèn)證

思源科技(SpringSoft)宣布，Laker系統(tǒng)獲得臺積電(TSMC)開發(fā)的28nm模擬與混合訊號(AMS)參考流程1.0認(rèn)證通過。將 Laker 系統(tǒng)整合在 TSMC 參考流程，產(chǎn)生具 LDE (layout dependent effect)認(rèn)知功能的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方法，可

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2010-06-18

芯片設(shè)計(jì) 模擬 TSMC AMS
臺積電新推標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫　邏輯區(qū)塊面積減15%

臺積電(TSMC)新推出縮減尺寸的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫，與目前的標(biāo)準(zhǔn)組件數(shù)據(jù)庫相較，能有效減少系統(tǒng)單芯片邏輯區(qū)塊15%的面積。該組件數(shù)據(jù)庫適用臺積電 65奈米低耗電制程與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)流程，芯片設(shè)計(jì)者可采用此新推出的縮減

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2010-06-18

數(shù)據(jù)庫臺積電組件 RIM
如何計(jì)算接地環(huán)路電感和算出阻尼雙極點(diǎn)的上升時(shí)間

在圖3.4中，接地環(huán)路的尺寸是1IN*3IN。這類探頭的接地導(dǎo)線典型的尺寸是美國線規(guī)（AWG）24，線徑為0.02IN。采用附錄C的電感計(jì)算公式，對于矩形回路，得到的電感應(yīng)該是：該電路的LC時(shí)間常數(shù)為：對于這類臨界阻尼雙極點(diǎn)

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2010-06-17

信號電路電感接地
如何估算LC電路的Q值

圖3.4中有一個(gè)與信號源相串聯(lián)的電阻，這個(gè)電阻可以作為任何門電路驅(qū)動被測信號時(shí)的輸出阻抗的模型。對于TTL或高性能的CMOS驅(qū)動器，這個(gè)源端阻抗大允為30歐。對于ECL系統(tǒng)，輸出阻抗大約為10歐。LC電路的Q值，或者說諧

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2010-06-17

電阻數(shù)字信號 LC電路 HZ
探頭接地環(huán)路的自感

當(dāng)采用常規(guī)的10：1示波器探頭測量數(shù)字設(shè)備時(shí)，性能劣化的主要因素來源于其接地導(dǎo)線的自感。廠商提供的探頭性能指標(biāo)，是將測試夾具直接連接到探頭頂尖和探頭外屏蔽層測量得到的數(shù)據(jù)。探頭帶寬的測量在沒有使用接地引線

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2010-06-17

電流回路接地示波器探頭

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