更高速的 ADC 在轉(zhuǎn)換器輸出和接收機輸入之間有嚴格的時序要求;知道如何利用產(chǎn)品說明書數(shù)字來保證無錯誤數(shù)字傳輸。最近幾年,高速、高精度的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 變得疾速。在 2006 年,一款業(yè)界一流的 12-位轉(zhuǎn)換器才達
德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有集成數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 噪聲濾波器的 3.2 W 單聲道 D 類音頻放大器,與不具備該特性的器件相比,其可將編解碼器的噪聲銳降 82%。該 TPA2011D1 的集成型噪聲濾波器可取消對外部輸入濾波
Nvidia公布了強勁的季度數(shù)據(jù),但該顯示芯片巨頭稱公司仍然受代工廠商產(chǎn)能限制的困擾。據(jù)報道,Nvidia正在受其代工合作伙伴TSMC40nm產(chǎn)能短缺的困擾。TSMC40nm制程遇到了良率問題,但該公司稱主要問題已經(jīng)得到解決。Nv
據(jù)臺灣媒體報道,三星將擠下晶圓雙雄,成為蘋果最新平板計算機iPad微處理器A4的代工廠;蘋果還計劃未來iPhone、iPod處理器改由自行開發(fā)芯片、交給三星代工制造,恐使臺積電、聯(lián)電的蘋果代工版圖重整。紐約時報近期報
美商應(yīng)用材料(AppliedMaterials)公布2010會計年度第1季(2009年10月~2010年1月)財報,營收成長39%,同時,應(yīng)材也連續(xù)2季獲利,顯見應(yīng)材持續(xù)由經(jīng)濟衰退中復(fù)蘇。2010會計年度第1季應(yīng)材營收較前一年同期的13.3億美元,成
位定時參數(shù)對CAN總線網(wǎng)絡(luò)性能有著顯著影響,如果位定時有一點小錯誤都會導致總線性能嚴重下降。針對這一問題,本文通過對CAN總線位定時控制方法的分析,提出了一種有效獲得最優(yōu)位定時參數(shù)的方法。
歐勝微電子近日推出一款定義了行業(yè)發(fā)展方向的立體聲耳塞式耳機參考解決方案myZone™ WM182,該方案將歐勝獨有的前饋環(huán)境噪音消除(ANC)技術(shù)推進至大眾耳機市場。包括移動電話制造商等等在內(nèi)的世界領(lǐng)先消費電子公
該款定義了行業(yè)趨勢的WM8995芯片將多個歐勝成功的音頻組件結(jié)合于一體,提供了世界級音頻性能,極大地延長電池壽命和音樂回放時間,并且以更低的總成本實現(xiàn)更多的終端用戶功能。至關(guān)重要的是:WM8995可確保系統(tǒng)設(shè)計師
WM9090 和 WM9010是歐勝世界領(lǐng)先的音頻放大器系列產(chǎn)品的兩個最新成員,將被應(yīng)用于一系列全球最高集成度手機之中。這兩款芯片憑借其高效耳機和揚聲器的驅(qū)動器,提供了卓越的歐勝品質(zhì)音頻和超低功耗,從而獲得最佳音頻
芯??萍纪瞥鯟SU11xx系列超低功耗衡器SoC芯片,可用于降低電子衡器、精密測量及控制系統(tǒng)的待機功耗與工作功耗,并降低整體實現(xiàn)成本。芯海科技的CSU11xx系列超低功耗衡器SoC可用于開發(fā)太陽能電子秤,為衡器廠商在保證
臺灣經(jīng)濟部趕在農(nóng)歷年前對產(chǎn)業(yè)西進登陸松綁,友達、新奇美將以最快速度提出申請興建7.5代的新廠,包括花旗環(huán)球、摩根士丹利、大和證券、麥格理證券等外資,均認為有利股價。花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導體首席分析師陸行之
MEMS是多學科交叉融合的前沿技術(shù),是未來的主導產(chǎn)業(yè)之一。MEMS以其微型化的優(yōu)勢,在消費電子、醫(yī)療電子集汽車電子等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。近年來,我國整體MEMS市場得以迅速發(fā)展,市場亦得以豐收。伴隨著MEMS技術(shù)
在半導體電路技術(shù)國際會議“ISSCC 2010”的“Plenary Session”上,在“Sensing the Future”主旨下有四個特邀演講。原因是在CICC和ESSCIRC等半導體集成電路相關(guān)的主要學會上,生物和醫(yī)療應(yīng)用的發(fā)布成為兩大潮流。
東芝宣布,該公司的制造子公司東芝半導體(無錫)和南通富士通微電子已就設(shè)立合資公司事宜簽署了正式協(xié)議。東芝目前正在不斷提高SoC(system on a chip)后工序的海外生產(chǎn)比例并推進無廠化,此次設(shè)立合資公司也是該方
東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導體,開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點是可在250℃條件下連續(xù)使用,而且加工性較高。比如,SiC功率半導體元件(功率元件)可在硅功率元件所限定的200℃以上的高