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英特爾第三季度凈利18.56億美元 同比下滑8%
在截至9月26日的第三財(cái)季，英特爾的凈利潤(rùn)為18.56億美元，每股攤薄收益34美分。這一業(yè)績(jī)不及去年同期，2008年第三季度，英特爾的凈利潤(rùn)為20.14億美元，每股攤薄收益36美分。英特爾第三季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為25.79億美元，低
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Hynix開始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量
Yonhap News報(bào)導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運(yùn)算速度則較DDR2增加近1倍。 Hynix表示，該公司計(jì)劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)
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歐盟提出新的WEEE和RoHS指令修訂草案
事件影響： RoHS指令的修訂將涵蓋所有電子電氣設(shè)備 WEEE指令修訂草案制定了報(bào)廢電子電氣設(shè)備須達(dá)到的各項(xiàng)要求 2009年9月3日，歐盟理事會(huì)秘書處向歐盟成員國(guó)代表提出新的RoHS指令和WEEE指令修訂草案文
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3個(gè)通道數(shù)據(jù)接口的微型ESD保護(hù)陣列（Maxim）
Maxim推出可對(duì)3個(gè)通道數(shù)據(jù)接口提供高達(dá)±15kV (人體模式) ESD保護(hù)的二極管陣列MAX14541E。6pF (典型值)的低輸入電容可防止高速應(yīng)用中的信號(hào)失真。同時(shí)，IC極低的漏電流(小于1nA)最大程度地減小了對(duì)終端設(shè)備的影響，使
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恩智浦SmartMX芯片助推埃及福利計(jì)劃
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布其SmartMX接觸式安全芯片中標(biāo)埃及政府的家庭福利卡項(xiàng)目，該福利計(jì)劃旨在為低收入家庭購(gòu)買食品等提供補(bǔ)貼。這項(xiàng)由埃及社會(huì)團(tuán)結(jié)部和行政發(fā)展部聯(lián)合實(shí)施的項(xiàng)目，通過與卡片制造
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物聯(lián)網(wǎng)空前火熱 RFID及傳感器技術(shù)將決定市場(chǎng)成敗
物聯(lián)網(wǎng)概念是泡沫還是機(jī)遇一夜之間，“物聯(lián)網(wǎng)”概念成為了股市最為熱門的話題，而“物聯(lián)網(wǎng)”概念個(gè)股本周以來?yè)屟鄣谋憩F(xiàn)也吸引了市場(chǎng)人士的高度關(guān)注，以遠(yuǎn)望谷為代表的板塊龍頭本周的漲幅更是高
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李毅中稱中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)全球規(guī)模第二
在近日出席一次會(huì)議時(shí)，工信部部長(zhǎng)李毅中表示，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)總規(guī)模僅次于美國(guó)，居世界第二位，下一步將把信息通信領(lǐng)域作為六大要培育的新興支柱產(chǎn)業(yè)?！ ±钜阒惺窃诔鱿袊?guó)工程院“未來20年的工程科技與經(jīng)濟(jì)社
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新技術(shù)導(dǎo)入 封測(cè)角色更吃重
趁著DRAM價(jià)格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn)，新制程與過去相較最大的不同，就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤(rùn)式微影（immersion lithography）及銅制程導(dǎo)線（copper interconnect）等兩大新技術(shù)。 由于技
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聯(lián)電新加坡廠擴(kuò)產(chǎn)，積極布建45/40納米制程
相關(guān)文章最高可達(dá)20層的PCB為更小巧便攜設(shè)計(jì)錦上添花再生能源與節(jié)能技術(shù)潛力可期，聯(lián)電成立投資子公司簡(jiǎn)化客制IC設(shè)計(jì)，思源科技與聯(lián)電推出65納米套件臺(tái)積電與聯(lián)電欲削減成本 強(qiáng)制員工休無薪假臺(tái)灣晶圓代工雙雄2月財(cái)報(bào)
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晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增
因應(yīng)景氣翻揚(yáng)，晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競(jìng)賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴(kuò)充將是2009~2010年重點(diǎn)，而臺(tái)積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務(wù)，加上太陽(yáng)能產(chǎn)廠將動(dòng)工，
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計(jì)量模擬前端器件（Microchip）
Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出面向計(jì)量應(yīng)用的新一代模擬前端器件（AFE）。MCP3901 AFE具有高達(dá)91dB信噪比和失真（SINAD）的雙16位/24位高精度Δ-Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），內(nèi)部集成了可編程增益
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地下水動(dòng)態(tài)水位信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
針對(duì)地下水位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的下位機(jī)架設(shè)成本和低功耗要求，設(shè)計(jì)了一種低功耗地下水位采集終端，采用了GSM/GPRS網(wǎng)絡(luò)的SMS短消息服務(wù)作為與上位機(jī)系統(tǒng)的接口，解決了遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)的數(shù)據(jù)通信的問題。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，測(cè)量的結(jié)果的絕對(duì)誤差小于0.16%，4節(jié)堿性電池可以維持一年以上的正常工作。
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全球第四家量產(chǎn)LED照明芯片落戶廣東
旨在打破國(guó)外技術(shù)壟斷的我國(guó)首家、全球第四家量產(chǎn)型ＬＥＤ照明芯片核心設(shè)備制造項(xiàng)目，1月19日落戶廣東佛山市南海區(qū)。這意味著制約我國(guó)ＬＥＤ照明產(chǎn)業(yè)瓶頸的核心裝備可望實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。 ＬＥＤ產(chǎn)品由于節(jié)能環(huán)保而應(yīng)用越
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智能型漏電繼電器的設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)了基于PIC18F6585單片機(jī)的智能型漏電繼電器；闡述了智能型漏電繼電器的硬件結(jié)構(gòu)和工作原理，同時(shí)對(duì)軟件設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和描述。該繼電器可靠性高，具有自診斷、數(shù)據(jù)通信、故障報(bào)警等多種功能。
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Nvidia官司纏身 暫停為英特爾開發(fā)芯片組
Nvidia日前宣布，暫時(shí)停止為英特爾新處理器開發(fā)芯片組，直至雙方之間的授權(quán)糾紛得以解決。 Nvidia在一份聲明中稱：“英特爾面向消費(fèi)者和市場(chǎng)錯(cuò)誤地聲稱我們并未獲得新的DMI總線授權(quán)，使我們無法繼續(xù)為英特爾未來的處
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