根據(jù)微波電路設(shè)計的基本理論,詳細地論述了微帶發(fā)夾型濾波器的設(shè)計過程,及設(shè)計中各項參數(shù)的確定。并設(shè)計了一個抽頭線發(fā)夾型帶通濾波器,其中心頻率為1.75GHz,帶寬為100MH,完成了濾波器各參數(shù)值初值的確定,并結(jié)合ADS的優(yōu)化仿真功能,得出了滿足設(shè)計目標的版圖仿真結(jié)果,論證了設(shè)計理論的正確性,證明了此方法適合于工程應用。
運用一系列數(shù)字圖像處理技術(shù)對預先捕獲的高炮實彈射擊錄像進行分析,自動提取錄像中的目標,確立目標在屏幕中的位置。
圖像分割是圖像處理中的基礎(chǔ)難題,基于閾值的分割則又是圖像分割的最基本的難題之一,其難點在于閾值的選取。策略模式將不同的閾值選取算法封裝起來,使用戶可以針對不同的領(lǐng)域、不同的條件,選用不同的分割算法。
分析了脊位置對于脊位于窄邊的單脊波導本征值問題,并給出了脊位于窄邊的單脊波導的截止波長的一系列數(shù)據(jù)。
軍用激光靶系統(tǒng)是進行現(xiàn)代化軍事訓練的重要器械.本文根據(jù)部隊模擬射擊訓練的需求,設(shè)計了基于單片機和紅外接收管陣列的激光靶.其中,采用CAN總線將多個激光靶與監(jiān)控計算機連成通訊網(wǎng)絡(luò),構(gòu)成了激光靶網(wǎng)絡(luò)訓練系統(tǒng)。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有優(yōu)異的負載壽命、負載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal®箔四電阻網(wǎng)絡(luò) -- SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)。新的氣密SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)中每個電阻都在0.1W、+70℃下工作
Intersil公司宣布,推出首款采用該公司新的專利雙極工藝技術(shù)的運算放大器 --- ISL28207。Intersil的ISL28207是雙40V低功耗雙極精密運算放大器,具有出色的直流精度和極好的溫漂性能。器件的最大偏置電壓低至75μV,典
臺積電正在瘋狂地進行采購,近幾周公司半導體設(shè)備支出超過了2.5億美元。臺積電近期向Sokudo公司采購了約1980萬美元設(shè)備,向TEL采購了約1710萬美元設(shè)備。幾周前,公司還分別向Lam Research和Applied Materials采購了1
半導體景氣回升,臺灣IC制造產(chǎn)業(yè)感受最深,第2季臺系IC制造業(yè)產(chǎn)值新臺幣1,362億元,較上第1季成長69.2%,單季成長幅度冠于IC設(shè)計、IC封裝測試。而在IC制造領(lǐng)域,晶圓代工的產(chǎn)值為1,032億元,重返千億元水平,季成長高
奧地利微電子(austriamicrosystems)宣佈,該公司為樓氏電子(Knowles Acoustics)的SiSonic系列MEMS麥克風提供第10億顆高性能類比IC。 奧地利微電子的高性能類比ASIC是一個超低噪音、低功耗、低電壓的MEMS介面系統(tǒng),可
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)鉆石研究中心單結(jié)晶底板開發(fā)小組開發(fā)出了大型單結(jié)晶鉆石晶圓制造技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合運用了兩種技術(shù):由籽晶直接制造薄板狀鉆石單結(jié)晶的“直接晶圓化技術(shù)”,以及通過依次改變生長方向
美商國家儀器(NI)近日全新發(fā)表LabVIEW 2009,為最新版的圖形化系統(tǒng)設(shè)計(GSD)平臺,適用於測試、控制,與嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)。LabVIEW 2009新工具可針對重要測試軟體的開發(fā)、佈署,與維護作業(yè),簡化測試系統(tǒng)的複雜開
1 引言工程實踐中,我們往往需要對所設(shè)計的硬件電路進行設(shè)計檢驗以保證其正常運作,從而才能進一步支持基于該硬件的復雜程序的正確調(diào)試。這樣,特定的相應測試系統(tǒng)設(shè)計就顯得尤為重要,不僅可以保證硬件的健康度,更
孕龍科技發(fā)表全新匯流排協(xié)定分析模組Wiegand與SPI PLUS。此款模組,擁有多項特性;具有獨特的人性化操作介面,利用簡易的按鍵設(shè)定代替原先繁雜的功能,大量加快分析速度。利用匯流排解碼模組封包,以特有的圖樣化顯示
特瑞仕半導體 (總經(jīng)理:藤阪 知之,日本東京)推出了搭載防止逆流的功能的700mA高速瞬態(tài)響應LDO電壓調(diào)整器。XC6222系列是實現(xiàn)了高精度(±1%)、高紋波抑制比65dB@1kHz)、低壓差(120mV@300mA)、低消耗電流(10μA)、帶防