本文以數(shù)字溫度傳感器DSl8B20為例，介紹一種實(shí)用和簡(jiǎn)單的編程方案。

1  DS18B20的精簡(jiǎn)編程考慮

測(cè)溫分辨率：通過(guò)設(shè)置配置寄存器，DS18B20有0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.062 5℃幾種溫度可供選擇。如果不作選擇，缺省值為12位，即最高分辨率0.062 5℃，這樣可省去相關(guān)寫(xiě)EEPROM的命令。圖1為溫度格式。



溫度報(bào)警高限TH和低限TL：如果設(shè)置了TH和TL，DS18B20將在溫度高于TH或低于TL時(shí)做出響應(yīng)。這要用到寫(xiě)入EEPROM的命令，將可改寫(xiě)RAM(Scratchpad RAM)拷入EEPROM。其實(shí)，在很多應(yīng)用場(chǎng)合，這樣的報(bào)警設(shè)置完全可以在MASTER(如單片機(jī))中完成，從而節(jié)省DS18B20的編程。這只要不使用報(bào)警搜索命令(Alarm search command)即可。

光刻ROM(lasered ROM)命令：一共有6個(gè)。對(duì)于只要單個(gè)DS18B20的場(chǎng)合，如果不考慮讀ROM中的序列號(hào)代碼，不允許報(bào)警等功能，只要進(jìn)行測(cè)溫的話(huà)，用一個(gè)跳過(guò)ROM(Skip ROM)命令就足夠了。

RAM有關(guān)的命令：一共有6個(gè)。如果在DS18B20的電源端專(zhuān)配電源，不設(shè)置高低溫報(bào)警，只需使用“ConvertT”和“Read Scratch”命令即可。前者開(kāi)始進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換(時(shí)間約需750 ms)，后者將溫度值及循環(huán)冗余校驗(yàn)碼CRC等9字節(jié)讀入MASTER(如單片機(jī))。

關(guān)鍵時(shí)序：盡管測(cè)量時(shí)可以作上述簡(jiǎn)化，但DS18B20的時(shí)序必須嚴(yán)格遵循。最苛刻的時(shí)間要求應(yīng)是讀時(shí)槽(read time slots)：MASTER在數(shù)據(jù)線(xiàn)上發(fā)出一個(gè)下降沿表示讀時(shí)槽開(kāi)始，時(shí)間至少保持1μs，然后停止驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)。DS18B20在數(shù)據(jù)線(xiàn)上輸出約15 μs的數(shù)據(jù)。在這一時(shí)間段內(nèi)，MASTER必須及時(shí)采樣數(shù)據(jù)線(xiàn)。這樣的定時(shí)要求與之相連的單片機(jī)必須工作在較高的頻率，如主頻為32 kHz就無(wú)法滿(mǎn)足15μs內(nèi)完成采樣的要求。

2  一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的程序設(shè)計(jì)方案

采用上述精簡(jiǎn)方案后，基于單片機(jī)PIC16F628A(主頻為4 MHz)實(shí)現(xiàn)的測(cè)溫程序如下：



到此開(kāi)始讀9個(gè)字節(jié)scratchpad，并檢查CRC。如無(wú)誤，再次調(diào)用rp子程序復(fù)位DS18B20，結(jié)束本次測(cè)量；如出錯(cuò)，轉(zhuǎn)出錯(cuò)處理子程序。為使系統(tǒng)具有一定的容錯(cuò)能力，出錯(cuò)時(shí)也可將上述程序再試一遍，如連續(xù)3次都出現(xiàn)CRC檢查錯(cuò)則轉(zhuǎn)出錯(cuò)處理子程序。