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[導讀] 摘 要:研究了門控時鐘技術在130 nm工藝、基于高閾值標準單元庫下的低功耗物理實現(xiàn)方法。詳細闡述了多級門控時鐘技術的作用機制和參數(shù)的設置方法,給出了基于門控時鐘的后端實現(xiàn)流程,著重分析了插入門控時鐘對時鐘

  摘 要:研究了門控時鐘技術在130 nm工藝、基于高閾值標準單元庫下的低功耗物理實現(xiàn)方法。詳細闡述了多級門控時鐘技術的作用機制和參數(shù)的設置方法,給出了基于門控時鐘的后端實現(xiàn)流程,著重分析了插入門控時鐘對時鐘偏移的影響并提出解決方案。在中芯國際130 nm工藝下用synop sys公司的DC, IC Comp iler, PT,VCS等工具完成物理實現(xiàn)。在10 M時鐘下,總功耗降低22. 6 % ,面積也有所減小。

  集成電路工藝節(jié)點的提升帶來了芯片集成度的極大提高,同時也導致了功耗的急速增加。另外,市場對電子設備的大量需求使得系統(tǒng)功耗成為系統(tǒng)性能的一個重要指標,功耗的高低成了芯片廠商競爭力的焦點之一,功耗控制與管理已成為絕大多數(shù)芯片廠商首要考慮的問題。SoC設計的功耗包含兩部分:靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。靜態(tài)功耗主要由泄漏電流引起,在130 nm工藝下,靜態(tài)功耗相對較小,可以忽略不計。動態(tài)功耗主要包括短路功耗和翻轉(zhuǎn)功耗,是本設計*耗的主要組成部分。短路功耗即內(nèi)部功耗,指由器件內(nèi)部由于P管和N管在某一瞬間同時導通引起的瞬時短路引起。翻轉(zhuǎn)功耗由CMOS器件的輸出端負載電容充放電引起。芯片工作時,很大一部分功耗是由于時鐘網(wǎng)絡的翻轉(zhuǎn)消耗的,如果時鐘網(wǎng)絡較大,這部分引起的功耗損失會很大。在眾多低功耗技術中,門控時鐘對翻轉(zhuǎn)功耗和內(nèi)部功耗的抑制作用最強。本文主要講述門控時鐘技術的具體實現(xiàn)。另外,基于高閾值單元具有較低的功耗,設計采用高閾值單元庫。

  1 門控時鐘技術的基本原理

  對于一個設計中的寄存器組,經(jīng)DC編譯后一般會生成如圖1所示的電路。由圖1可以看出,當EN為1時, DATA_ IN的值由多路開關傳至寄存器組的數(shù)據(jù)輸入端,當CLK上升沿來臨時,傳至DATA_OUT。當EN為0時, OUTPUT保持不變。但由于時鐘信號CLK的翻轉(zhuǎn),寄存器組會持續(xù)在CLK的上升沿來臨時讀取數(shù)據(jù)輸入端的數(shù)據(jù),而這時讀取的數(shù)據(jù)是不變的,這就消耗了額外的功耗。

 


圖1 帶有多路開關的同步使能寄存器

  為保證此時寄存器組不受時鐘翻轉(zhuǎn)的影響,可在EN信號為0時關斷寄存器組的時鐘輸入端,使其不受CLK端的變化而變化,這一操作可通過門控時鐘技術來實現(xiàn),如圖2所示。圖中的門控單元由一個Latch和一個與門組成。門控單元也可以采用非latch結(jié)構(gòu),直接由與門或或門組成。但由于這種電路會引發(fā)毛刺,故此處采用基于Latch的門控單元電路。插入門控時鐘后,當EN為1時, Latch單元在時鐘低電平時將EN鎖存至ENL,時鐘上升沿來臨時, ENCLK隨CLK變化,寄存器組執(zhí)行正常的讀入讀出操作。當EN為0時,寄存器時鐘輸入端ENCL保持為0,不隨源時鐘CLK的翻轉(zhuǎn)而變化,故此時寄存器組不消耗額外功率。

  由此可見,插入門控時鐘能消除寄存器組冗余翻轉(zhuǎn)引發(fā)的內(nèi)部功耗,同時由于多路選擇器組被一個基于latch的門控單元代替,所以也減小了電路的面積。

  另外,為了進一步減小設計的功耗,可采用一些特定的門控技術。目前應用比較廣泛的有多級門控時鐘,層次化門控時鐘等。在多級門控時鐘技術中,一個門控單元還可用來驅(qū)動其他一個或一組門控單元。這樣就通過分級控制減少了門控單元的數(shù)目,而且這種方法可組合盡可能多的寄存器組使得門控單元向頂層靠近,節(jié)省更多功耗。


圖2 基于latch的門控單元電路

  2 門控時鐘的物理實現(xiàn)

  電路在功能仿真通過后,開始進行寄存器級綜合。采用高閾值標準單元庫和多級門控時鐘技術相結(jié)合,在RTL階段插入門控時鐘單元,并在布局布線時在IC Comp iler中進行了基于門控時鐘的布局布線優(yōu)化,布局布線正確完成仿真通過后,在PT中做靜態(tài)時序分析并進行最終的功耗分析。以下分三個部分講述。

  2. 1 時鐘門控的RTL級實現(xiàn)

  在RTL級,門控時鐘的實現(xiàn)不需要對設計本身進行修改,而只需在綜合腳本中加入一些控制項。

  本文采用多級門控時鐘,相關的腳本如圖3 所示。

  圖中,傳統(tǒng)的綜合流程用實線標出。虛線部分為門控時鐘的操作。

  控制項set_clock_gating_ STyle是門控時鐘的核心。它的參數(shù)大小決定門控時鐘的質(zhì)量,對功耗的優(yōu)化效果和對CTS的影響。目前尚無完備的體系介紹如何設置控制項以使門控效果達到最優(yōu)。本設計中有以下各個參數(shù)的設置方法。

  


圖3 門控時鐘的基本描述

  首先確定時序單元的類型。為了避免非Latch單元易產(chǎn)生毛刺的缺點,此處選定時序單元的類型為Latch。由于庫中提供基于鎖存器的門控單元,固正邊沿邏輯positive_edge_ logic采用工藝庫提供的專用單元。采用集成單元的優(yōu)勢在于不僅不需要設置門控單元輸入端建立時間和保持時間,因為集成單元的時序信息在單元庫中已有說明,而且有效緩解了插入門控單元對延時帶來的不利影響。以下重點闡述實驗中bitwIDTh, fanout和stage的確立方法。

  fanout的大小對功耗和時序都有影響。數(shù)值越大則表示一個門控單元可承受較多的負載,即代表越節(jié)省功耗,需要的門控單元也越少,但對門控單元輸入端建立時間的要求也就更加嚴格。位寬決定一組寄存器能被門控的最小寬度。級數(shù)則確定多級門控時鐘的最大級數(shù)。本設計在這三個參數(shù)的選取上,主要是依據(jù)設計本身對功耗的要求,結(jié)合綜合時的時序約束和單元庫中門控單元的時延信息加以估計,確定一個粗略的數(shù)值范圍。fanout的值在滿足時序的前提下,不經(jīng)編譯就可確定,方法如下:首先按約束文件中的扇出值約束此處fanout,然后insert_clock_tree,加入時序約束并傳遞至門控時鐘,用re_port_clock_gating– multi_stage查看報告,重點關注第1項。發(fā)現(xiàn)fanout按約束文件取值為15時,門控單元的數(shù)目達到61個, fanout取值為20或更高時,門控單元數(shù)目為41,見表1,而被門控的寄存器數(shù)目卻保持不變,多級門控單元的數(shù)目也由fanout取值為15時的7級減小到當前的6級。由于門控單元也會消耗相當大功耗,因此在被門控的寄存器數(shù)目相同的情況下門控單元數(shù)越少就越節(jié)省功耗。因此確定fanout為20。

  num_stages最初取值為2,插入門控時鐘后的報告顯示平均級數(shù)為1. 4,其值增至3時,平均級數(shù)為2. 3,如表1 所示。從對時鐘網(wǎng)絡的平衡性來講,stage值為2時要優(yōu)于取值為3時的情況,但結(jié)合其后的編譯,綜合考慮時序面積功耗因素,折衷考慮選定stage為3。

  bitwidth初值為3,經(jīng)過編譯,得出了功耗和延時信息。以此為基準,根據(jù)設計改變bitwidth數(shù)值,然后再編譯,對比功耗延時。發(fā)現(xiàn)當bitwidth取值為5時,設計的各個性能指標達到最優(yōu)。

  通過以上試驗,得出下列結(jié)論: 對門控時鐘而言,若不考慮設計的平衡性,插入的門控單元越少且被門控的寄存器越多, 門控的效果就越好, 反之亦然。

  經(jīng)編譯,查看時序功耗報告,在滿足電路性能指標情況下, RTL級代碼經(jīng)綜合生成層次化門級網(wǎng)表和門級時序約束文件。

  為查看門控單元在不同設置下的插入情況,用report_clock_gating– multi_stage得到表1所示報告。

  從中可知,有23. 68 %的寄存器沒有被門控,原因在于位寬, 使能等不滿足門控要求, 對設計無影響。

表1 門控時鐘總結(jié)


  2. 2 時鐘門控的版圖級實現(xiàn)

  在布局布線階段,基于門控時鐘的功耗優(yōu)化流程主要如下:在布局之前,設置set_power_op tiONs–clock_gating true,之后在布局、時鐘樹綜合和布線階段的主要命令中添加選項- power即可。上述設置可實現(xiàn)最基本的門控時鐘布局布線,但在本設計中生成的時鐘網(wǎng)絡分布不均勻,而且skew很大。需要采取額外的優(yōu)化措施來消除其帶來的不利影響。

  門控單元的加入給CTS帶來的影響主要有兩個方面,一方面會造成整個時鐘網(wǎng)絡分布不平衡,另一方面導致時鐘偏移增大。單采用上述措施,時鐘偏移最大可達到1. 11,見圖4中的第二項,嚴重偏離了不采用門控時鐘時的偏移量0. 12。在優(yōu)化時鐘偏移上,目標有三個方面:構(gòu)造一個相對平衡的時鐘網(wǎng)絡,使得在各個層上,層的各個分支上的單元數(shù)目相近;減小時鐘偏移至可承受范圍;盡量保持功耗同只采用門控時鐘而不優(yōu)化時鐘偏移狀況下的功耗相近或更小。

  


圖4 各種操作方式下的時鐘偏移

  分析引起skew偏大的原因,通過在ICC中跟蹤路徑,查看時鐘網(wǎng)絡電路圖,發(fā)現(xiàn)時鐘層分布極不均勻,分支節(jié)點最大相差6 層。在具體時序路徑中,兩條路徑延時過大,插入了許多不必要的buffer,為構(gòu)造一個平衡的時鐘樹,減小skew并減少對功耗的影響,在CTS階段采取了三個措施。

  第一,設置set_clock_tree_op tions– LOGIC_ level_bal2ance為true。CTS的操作模式有三種: 模塊模式,頂層模式,邏輯級平衡模式。默認為模塊模式。

  此處選取邏輯級平衡模式可得到最佳的skew,但對功耗有一定影響。第二,復制門控單元。主要是通過修正ICG輸出端的DRC來平衡扇出,并添加緩沖單元來驅(qū)動沒有被門控的寄存器使得整個時鐘樹的結(jié)構(gòu)更加平衡。首先設置cts_push _down_ buffer為true。然后sp lit_ clock _ gate – ob2jects { 3 . / latch} – gate_ sizing– gate_ relocation。

  并且在時鐘樹綜合時結(jié)合使用- inter_clock_bal2ance選項。最后,為了彌補功耗優(yōu)化方面的不足,在CTS完畢之后用p synop t– power。不采用門控時鐘、采用門控時鐘但不做skew優(yōu)化、采用門控時鐘且進行skew優(yōu)化三種情況下的skew見圖4。由此可見,優(yōu)化后的skew較原來相比雖有所增大,但要遠小于優(yōu)化前的設計。

  2. 3 功耗測量過程及實驗結(jié)果分析

  布局布線完成后,導出網(wǎng)表到VCS中進行后仿,并得到分析功耗所需的saif文件。將此saif文件和布局布線后帶有實際延時信息的網(wǎng)表讀入PT中,加以適當?shù)臅r序約束進行功耗分析,得到如圖5所示的分析結(jié)果。

  由圖5可知, 采用門控時鐘技術后的設計總體功耗下降了22. 6 %。其中, 開關功耗下降了63. 2 % ,內(nèi)部功耗下降了21. 9 %,體現(xiàn)了引入門控時鐘技術的優(yōu)勢,因為門控時鐘主要用于降低動態(tài)功耗,泄露功耗略有下降??偣挠稍瓉淼? mW降低至778 uW,功耗降低效果非常明顯。除此之外,芯片核的面積也略有減小。

 

  


圖5 布局布線完成后的功耗分析結(jié)果

  3 結(jié)語

  越來越多低功耗設計方法的出現(xiàn)為低功耗設計提供了無限的空間。門控時鐘技術作為當前比較成熟的一種低功耗方法,已經(jīng)得到普遍應用。本設計全面講述了門控時鐘的后端實現(xiàn)方法,并提出了一種門控控制項的設置方法,解決了由其引起的時鐘偏移問題,對VLSI深亞微米低功耗電路物理層的實現(xiàn)有一定的實用價值。


 

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