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[導(dǎo)讀]目前常用的圖像傳感器為電荷耦合器件(Charge Couple Device,CCD),分為線陣CCD和面陣CCD兩種。前者用于尺寸和位移的測量,后者用于平面圖形和文字的傳遞等。目前面陣CCD已作為數(shù)碼相機(jī)(DC)、數(shù)碼攝像機(jī)(DV)以

目前常用的圖像傳感器為電荷耦合器件(Charge Couple Device,CCD),分為線陣CCD和面陣CCD兩種。前者用于尺寸和位移的測量,后者用于平面圖形和文字的傳遞等。目前面陣CCD已作為數(shù)碼相機(jī)(DC)、數(shù)碼攝像機(jī)(DV)以及各種數(shù)碼攝像頭和工業(yè)視覺系統(tǒng)等。貼片機(jī)中用于識別PCB基準(zhǔn)和檢測元器件的照相機(jī),就屬于用于工業(yè)視覺系統(tǒng)。

(1)CCD的作用原理

是由許多光敏像元組成的。每一個像元就是一個MOS(金屬一氧化物一半導(dǎo)體)電容器,如圖1所示。在P型硅襯底上通過氧化形成一層S102,再在SiO2表面蒸鍍一層金屬層(多晶硅)作為電極。P型硅中的多數(shù)載流子是帶正電荷的空穴,少數(shù)載流子是帶負(fù)電荷的電子。當(dāng)電極上施加正電壓時,其電場能夠透過SiO2絕緣層對這些載流子進(jìn)行排斥或吸引。于是,帶正電荷的空穴被排斥到遠(yuǎn)離電極處,帶負(fù)電荷的電子被吸引到緊靠S102層的表面上來。這種現(xiàn)象便形成了對電子而言的陷阱,電子一旦進(jìn)入就不能復(fù)出,故又稱為電子勢阱。


圖1 CCD基本結(jié)構(gòu)示意圖

當(dāng)一束光線投射到MOS電容上時,光子穿過多晶硅電極及SiO2層,進(jìn)入P型硅襯底,光子的能量被半導(dǎo)體吸收,產(chǎn)生電子一空穴對,這時出現(xiàn)的電子被吸引并儲存在勢阱中。射入的光線越強(qiáng),勢阱中收集的電子就越多,從而實(shí)現(xiàn)了光和電的轉(zhuǎn)換。而勢阱中的電子處于被儲存狀態(tài),即使停止光照,一定時間內(nèi)也不會損失,這就實(shí)現(xiàn)了對光照的記憶。

(2)面型傳感器的構(gòu)成

面型傳感器通常稱為圖像傳感器。如圖2所示,由光電二極管的二維陣列組成的面型傳感器。為了取出各光電二極管的電荷,配置了在圖的垂直方向進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移的垂直CCD。來自光電二極管的電荷通過場效應(yīng)管(轉(zhuǎn)移控制柵)的控制被垂直CCD讀入。轉(zhuǎn)移到垂直CCD的電荷然后向水平CCD轉(zhuǎn)移,進(jìn)行水平方向的傳送,最后信號從MOS場效應(yīng)管讀出。讀出各光電二極管電荷的脈沖由3部分組成,即由加到控制柵上的脈沖、加到各CCD像素上的脈沖以及加在輸出MOS場效應(yīng)管柵極上的聯(lián)合控制脈沖。


圖2 CCD構(gòu)成的視覺傳感器示意圖

在上面所介紹的實(shí)例中,光電二極管部分(感光部分)和CCD部分(轉(zhuǎn)移部分)是在半導(dǎo)體襯底上同一體制作出來的,這種電荷轉(zhuǎn)移方式稱為行間(Inter-line)、轉(zhuǎn)移方式。這種方式有利于得到高速度的圖像處理。但由于每個像素上不感光部分占用了較大的面積,感光效率不高。與行間方式相對應(yīng),感光部分與轉(zhuǎn)移部分分離制作的方式稱為幀轉(zhuǎn)移方式。

(3)與圖像處理技術(shù)的結(jié)合

照相機(jī)只能將二維光強(qiáng)度分布轉(zhuǎn)換成一連續(xù)隨時間變化的模擬電信號(稱為圖像信號),但僅此還不是人類視覺器官能感知的視覺信號。為得到視覺信號,必須依靠計算機(jī)作進(jìn)一步的信號處理。通常圖像信號被轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號,這些數(shù)字信號很容易存儲在計算機(jī)的存儲器中,然后根據(jù)需要進(jìn)行圖像處理。

貼片機(jī)視覺檢測系統(tǒng)有專用的圖像處理系統(tǒng),根據(jù)像素分布、亮度和顏色等信息,轉(zhuǎn)變成數(shù)字化信號,圖像處理系統(tǒng)對這些信號進(jìn)行各種運(yùn)算來抽取目標(biāo)的特征,如面積、數(shù)量、位置和長度,再根據(jù)預(yù)設(shè)的允許度和其他條件輸出結(jié)果,包括尺寸、角度、個數(shù)、合格/不合格和有/無等,實(shí)現(xiàn)自動識別功能。

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