所謂CMOS (Complementary MOS)，是在集成電路設(shè)計(jì)中，同時(shí)采用兩種MOS器件：NMOS和PMOS，并通常配對(duì)出現(xiàn)的一種電路結(jié)構(gòu)。CMOS電路及其技術(shù)已成為當(dāng)今集成電路，尤其是大規(guī)模電路、超大規(guī)模集成電路的主流技術(shù)。CMOS結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是電路的靜態(tài)功耗非常小，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單規(guī)則，使得它可以用于大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路。

下圖為CMOS結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，為了能在同一硅材料(Wafer)上制作兩種不同類型的MOS器件，必須構(gòu)造兩種不同類型的襯底，圖中所示結(jié)構(gòu)是在N型硅襯底上，專門(mén)制作一塊P型區(qū)域(p阱)作為NMOS的襯底的方法。同樣地，也可在P型硅襯底上專門(mén)制作一塊N型區(qū)域(n阱)，作為PMOS的襯底。為防止源/漏區(qū)與襯底出現(xiàn)正偏置，通常P型襯底應(yīng)接電路中最低的電位，N型襯底應(yīng)接電路中最高的電位。為保證電位接觸的良好，在接觸點(diǎn)采用重?fù)诫s結(jié)構(gòu)。