單片機(jī)控制的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)緩存器的控制電路
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由于單片機(jī)具有功能強(qiáng),使用靈活,體積小,性價(jià)比高等特點(diǎn),近年來在測(cè)控系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。而在許多場(chǎng)合,單片機(jī)作為下位機(jī),擔(dān)負(fù)著控制數(shù)據(jù)測(cè)量、采集和向上位機(jī)傳送的任務(wù),也即起著收集、緩沖和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的作用。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM具有容量大,價(jià)格低的特點(diǎn),適合于數(shù)據(jù)量比較大的單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng);但其不足之處在于,必須在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)行定時(shí)刷新。本節(jié)介紹一種單片機(jī)控制的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)緩存器,通過合理設(shè)計(jì)軟硬件,即可實(shí)現(xiàn)對(duì)DRAM的控制,特別適合性價(jià)比高的單片機(jī)系統(tǒng)。
控制電路
為了便于說明,給出單片機(jī)系統(tǒng)的部分組成電路,如圖1所示。單片機(jī)采用51系列的8031,外擴(kuò)16 KB的EPROM,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器采用1 MB的微機(jī)內(nèi)存,Jl為其插座及其各引腳信號(hào)。1 MB的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器行、列地址各用10位,即用10根地址線A0~A9。
DRAM的控制電路如圖2所示。其核心為一正沿觸發(fā)雙D觸發(fā)器74LS74,由8031和TO、Tl、PSEN和EN、WR信號(hào)控制其工作狀態(tài)。讀/寫數(shù)據(jù)時(shí),TO、Tl置高電平;刷新DRAM時(shí),TO置1,PSEN有效;當(dāng)T0、T1都置0時(shí),行、列選通關(guān)閉,禁止對(duì)DRAM讀/寫操作。





