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[導(dǎo)讀] 單片機(jī)的時鐘信號用來提供單片機(jī)片內(nèi)各種微操作的時間基準(zhǔn),復(fù)位操作則使單片機(jī)的片內(nèi)電路初始化,使單片機(jī)從一種確定的初態(tài)開始運行。時鐘電路:8031單片機(jī)的時鐘信號通常用兩種電路形式得到:內(nèi)部振蕩

單片機(jī)的時鐘信號用來提供單片機(jī)片內(nèi)各種微操作的時間基準(zhǔn),復(fù)位操作則使單片機(jī)的片內(nèi)電路初始化,使單片機(jī)從一種確定的初態(tài)開始運行。

時鐘電路:
8031單片機(jī)的時鐘信號通常用兩種電路形式得到:內(nèi)部振蕩方式和外部振蕩方式。
在引腳XTAL1和XTAL2外接晶體振蕩器(簡稱晶振)或陶瓷諧振器,就構(gòu)成了內(nèi)部振蕩方式。由于單片機(jī)內(nèi)部有一個高增益反相放大器,當(dāng)外接晶振后,就構(gòu)成了自激振蕩器并產(chǎn)生振蕩時鐘脈沖。內(nèi)部振蕩方式的外部電路如下圖所示。
圖中,電容器Col,C02起穩(wěn)定振蕩頻率、快速起振的作用,其電容值一般在5-30pF。晶振頻率的典型值為12MH2,采用6MHz的情況也比較多。內(nèi)部振蕩方式所得的時鐘情號比較穩(wěn)定,實用電路中使用較多。
外部振蕩方式是把外部已有的時鐘信號引入單片機(jī)內(nèi)。這種方式適宜用來使單片機(jī)的時鐘與外部信號保持同步。外部振蕩方式的外部電路如下圖所示。

由上圖可見,外部振蕩信號由XTAL2引入,XTAL1接地。為了提高輸入電路的驅(qū)勸能力,通常使外部信號經(jīng)過一個帶有上拉電阻的TTL反相門后接入XTAL2。

基本時序單位:

單片機(jī)以晶體振蕩器的振蕩周期(或外部引入的時鐘周期)為最小的時序單位,片內(nèi)的各種微操作都以此周期為時序基準(zhǔn)。
振蕩頻率二分頻后形成狀態(tài)周期或稱s周期,所以,1個狀態(tài)周期包含有2個振蕩周期。振蕩頻率foscl2分頻后形成機(jī)器周期MC。所以,1個機(jī)器周期包含有6個狀態(tài)周期或12個振蕩周期。1個到4個機(jī)器周期確定一條指令的執(zhí)行時間,這個時間就是指令周期。8031單片機(jī)指令系統(tǒng)中,各條指令的執(zhí)行時間都在1個到4個機(jī)器周期之間。
4種時序單位中,振蕩周期和機(jī)器周期是單片機(jī)內(nèi)計算其它時間值(例如,波特率、定時器的定時時間等)的基本時序單位。下面是單片機(jī)外接晶振頻率12MHZ時的各種時序單位的大小:
振蕩周期=1/fosc=1/12MHZ=0.0833us

復(fù)位電路:

當(dāng)MCS-5l系列單片機(jī)的復(fù)位引腳RST(全稱RESET)出現(xiàn)2個機(jī)器周期以上的高電平時,單片機(jī)就執(zhí)行復(fù)位操作。如果RST持續(xù)為高電平,單片機(jī)就處于循環(huán)復(fù)位狀態(tài)。
根據(jù)應(yīng)用的要求,復(fù)位操作通常有兩種基本形式:上電復(fù)位和上電或開關(guān)復(fù)位。
上電復(fù)位要求接通電源后,自動實現(xiàn)復(fù)位操作。常用的上電復(fù)位電路如下圖A中左圖所示。圖中電容C1和電阻R1對電源十5V來說構(gòu)成微分電路。上電后,保持RST一段高電平時間,由于單片機(jī)內(nèi)的等效電阻的作用,不用圖中電阻R1,也能達(dá)到上電復(fù)位的操作功能,如下圖(A)中右圖所示。

 

上電或開關(guān)復(fù)位要求電源接通后,單片機(jī)自動復(fù)位,并且在單片機(jī)運行期間,用開關(guān)操作也能使單片機(jī)復(fù)位。常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路如上圖(B)所示。上電后,由于電容C3的充電和反相門的作用,使RST持續(xù)一段時間的高電平。當(dāng)單片機(jī)已在運行當(dāng)中時,按下復(fù)位鍵K后松開,也能使RST為一段時間的高電平,從而實現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。
根據(jù)實際操作的經(jīng)驗,下面給出這兩種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。
上圖(A)中:Cl=10-30uF,R1=1kO
上圖1.27(B)中:C:=1uF,Rl=lkO,R2=10kO

單片機(jī)復(fù)位后的狀態(tài):

單片機(jī)的復(fù)位操作使單片機(jī)進(jìn)入初始化狀態(tài),其中包括使程序計數(shù)器PC=0000H,這表明程序從0000H地址單元開始執(zhí)行。單片機(jī)冷啟動后,片內(nèi)RAM為隨機(jī)值,運行中的復(fù)位操作不改變片內(nèi)RAM區(qū)中的內(nèi)容,21個特殊功能寄存器復(fù)位后的狀態(tài)為確定值,見下表。
值得指出的是,記住一些特殊功能寄存器復(fù)位后的主要狀態(tài),對于了解單片機(jī)的初態(tài),減少應(yīng)用程序中的韌始化部分是十分必要的。
說明:表中符號*為隨機(jī)狀態(tài);
A=00H,表明累加器已被清零;

特殊功能寄存器初始狀態(tài)特殊功能寄存器初始狀態(tài)A00HTMOD00HB00HTCON00HPSW00HTH000HSP07HTL000HDPL00HTH100HDPH00HTL100HP0~P3FFHSBUF不定IP***00000BSCON00HIE0**00000BPCON0*******B

PSW=00H,表明選寄存器0組為工作寄存器組;
SP=07H,表明堆棧指針指向片內(nèi)RAM 07H字節(jié)單元,根據(jù)堆棧操作的先加后壓法則,第一個被壓入的內(nèi)容寫入到08H單元中;
Po-P3=FFH,表明已向各端口線寫入1,此時,各端口既可用于輸入又可用于輸出;
IP=×××00000B,表明各個中斷源處于低優(yōu)先級;
IE=0××00000B,表明各個中斷均被關(guān)斷;

系統(tǒng)復(fù)位是任何微機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的第一步,使整個控制芯片回到默認(rèn)的硬件狀態(tài)下。51單片機(jī)的復(fù)位是由RESET引腳來控制的,此引腳與高電平相接超過24個振蕩周期后,51單片機(jī)即進(jìn)入芯片內(nèi)部復(fù)位狀態(tài),而且一直在此狀態(tài)下等待,直到RESET引腳轉(zhuǎn)為低電平后,才檢查EA引腳是高電平或低電平,若為高電平則執(zhí)行芯片內(nèi)部的程序代碼,若為低電平便會執(zhí)行外部程序。

51單片機(jī)在系統(tǒng)復(fù)位時,將其內(nèi)部的一些重要寄存器設(shè)置為特定的值,(在特殊寄存器介紹時再做詳細(xì)說明)至于內(nèi)部RAM內(nèi)部的數(shù)據(jù)則不變。


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