C代碼

#include"my51.h"

#include"smg.h"

#include"ds18b20.h"

voidmain()//測試,6位數(shù)碼管顯示溫度值

{

u8i=0;

u16temp=0;

while(1)

{

temp=ds18b20_readTemperaData();

for(i=0;i<100;i++)

{

displaySMG(ds18b20_processTempData(temp));

}

}

}

C代碼

#ifndef_DS18B20_H

#define_DS18B20_H

#include"my51.h"

#include"smg.h"

externu8smgWela[7];//數(shù)碼管位選數(shù)據(jù)

sbitDQ=P2^2;//總線定義

boolds18b20_init();//初始化函數(shù)

u8*ds18b20_processTempData(u16temp);//將temp數(shù)據(jù)處理成數(shù)碼管可顯示數(shù)據(jù)

u16ds18b20_readTemperaData();//讀溫度

u8ds18b20_readByte();//讀一個(gè)字節(jié)

voidds18b20_writeByte(u8dat);//mcu向18b20寫一個(gè)字節(jié)

#endif

C代碼

#include"ds18b20.h"

/******************************************************************

當(dāng)主機(jī)總線t0時(shí)刻從高拉至低電平時(shí)就產(chǎn)生寫時(shí)間隙

從to時(shí)刻開始的1us之后,15us之前將所需寫的位送到總線上

DSl820在t0后的15-60us對(duì)總線采樣若低電平寫入的位是0,若高電平寫入的位是1

連續(xù)寫2個(gè)位之間的間隙應(yīng)大于1us

寫1,總時(shí)間大于60us,在t0開始延時(shí)1us就可以寫1,15us之后ic來采樣,采樣時(shí)間最大45us

寫0,總時(shí)間是60~120us,15~60us是ic在采樣,120以外就沒必要了,mcu總得釋放總線吧

不管寫1還是寫0,大于60us的話,ic肯定已經(jīng)采樣完成了,那mcu就可以釋放了

*******************************************************************/

voidds18b20_writeByte(u8dat)//mcu向ic寫一個(gè)字節(jié)

{

u8i;

u8tmep=dat;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=0;//產(chǎn)生讀寫時(shí)序的起始信號(hào)

_nop_();//要求至少1us的延時(shí)

DQ=dat&0x01;//對(duì)總線賦值,從最低位開始寫起

delayXus(10);//延時(shí)74us,寫0在60~120us之間釋放,寫1的話大于60us均可釋放

DQ=1;//釋放總線,為下一次mcu送數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備,

dat>>=1;//有效數(shù)據(jù)移動(dòng)到最低位,2次寫數(shù)據(jù)間隙至少需1us

}

}

/**************************************************************************

下降沿產(chǎn)生讀時(shí)序

整個(gè)讀時(shí)序必須至少有60us的持續(xù)時(shí)間,相鄰兩個(gè)讀時(shí)序必須要有至少1us的恢復(fù)時(shí)間

DS18B20在讀時(shí)序產(chǎn)生1us后輸出數(shù)據(jù)到總線上,也有可能需要2~3個(gè)微秒,但不會(huì)更多

而要求主機(jī)釋放總線和采樣總線等動(dòng)作要在15μs內(nèi)完成,那么讓mcu采樣的最佳時(shí)機(jī)

是讀時(shí)序產(chǎn)生后的5~13us之間,在15~60us這段時(shí)間是18b20的私有時(shí)間,它會(huì)在這段

時(shí)間內(nèi)的任意時(shí)刻釋放總線,是不穩(wěn)定期,我們不要讓mcu在這段時(shí)間里對(duì)總線操作

*******************************************************/

u8ds18b20_readByte()//mcu讀一個(gè)字節(jié)

{

u8i,value=0;

for(i=0;i<8;i++)

{

DQ=0;//起始信號(hào)

value>>=1;//順便延時(shí)3~4個(gè)機(jī)器周期

DQ=1;//mcu釋放總線

_nop_();_nop_();_nop_();//再延時(shí)3.3us

if(DQ)

{

value|=0x80;//保存高電平數(shù)據(jù),低電平的話不用保存,移位后默認(rèn)是0

}

delayXus(8);//延時(shí)60.76us

}

returnvalue;

}

u16ds18b20_readTemperaData()//讀取溫度值

{

u16temp=0;

if(ds18b20_init())

{

ds18b20_writeByte(0xcc);//寫指令:跳過rom檢測

ds18b20_writeByte(0x44);//寫指令:溫度轉(zhuǎn)換

//delayms(750);//轉(zhuǎn)換延時(shí)需要750ms以上,我們不等它

//首次轉(zhuǎn)換未完成時(shí),得到的初始化數(shù)據(jù)是85度,處理一下就可以了

//溫度轉(zhuǎn)換電路是硬件獨(dú)立的,不會(huì)阻塞初始化功能

if(ds18b20_init())

{

ds18b20_writeByte(0xcc);//寫指令:跳過檢測rom

ds18b20_writeByte(0xbe);//寫指令:讀取溫度值

temp=ds18b20_readByte();//先讀低8位數(shù)據(jù)

temp|=(u16)ds18b20_readByte()<<8;//再讀高8位數(shù)據(jù),然后合并

temp&=0x0FFF;//高4位數(shù)據(jù)反正沒用上,我們用來存放錯(cuò)誤碼

}

else

{

led5=0;//調(diào)試代碼

temp=0x2000;//錯(cuò)誤碼,初始化失敗

}

}

else

{

led6=0;//調(diào)試代碼

temp=0x1000;//錯(cuò)誤碼,初始化失敗,可能器件損壞

}

returntemp;

}

boolds18b20_init()//初始化

{

u8checkState=0;

DQ=1;//總線初始狀態(tài)