這種的特點是
1 輸出結構類似 OC門，輸出低電平時，內部NMOS導通，驅動能力較強(800uA)；輸出高電平靠內部上拉電阻，驅動能力弱(60uA)。
2 永遠有內部電阻上拉(P0口除外)，高電平輸出電流能力很弱，所以即使IO口長時間短路到地也不會損壞IO口
(同理，IO口低電平輸出能力較強,作低電平輸出時不能長時間短路到VCC)
3 作輸入時，因為OC門有"線與"特性,必須把IO口設為高電平(所以按鍵多為共地接法)
4 作輸出時，輸出低電平可以推動LED(也是很弱的)，輸出高電平通常需要外接緩沖電路(所以LED多為共陽接法)
5 軟件模擬OC結構的總線反而比較方便-----例如 IIC總線
* P0口比較特殊，做外部總線時，是推挽輸出，做普通IO時沒有內部上拉電阻，所以P0口做按鍵輸入需要外接上拉電阻。
* OC門:三極管的叫集電極開路，場效應管的叫漏極開路，簡稱開漏輸出。具備"線與"能力,有0得0。
* 為什么設計成輸出時高電平弱，低電平強----是考慮了當年流行的TTL器件輸入特性
AVR的真正雙向IO結構就復雜多了，單是控制端口的寄存器也有4個 PORTx.DDRx,PINx,SFIOR(PUD位)，不過功能也強勁多了
作為通用數(shù)字I/O 使用時，所有AVR I/O 端口都具有真正的讀- 修改- 寫功能。
這意味著用SBI 或CBI指令改變某些管腳的方向( 或者是端口電平、禁止/ 使能上拉電阻) 時不會無意地改變其他管腳的方向( 或者是端口電平、禁止/ 使能上拉電阻)。
輸出緩沖器具有對稱的驅動能力，可以輸出或吸收大電流，直接驅動LED。
所有的端口引腳都具有與電壓無關的上拉電阻。
并有保護二極管與VCC 和地相連。
* (很多數(shù)字器件都有保護二極管，在低功耗應用時要考慮保護二極管的電流倒灌的影響)
每個端口都有三個I/O存儲器地址:
數(shù)據(jù)寄存器 – PORTx
數(shù)據(jù)方向寄存器 – DDRx
端口輸入引腳 – PINx。
數(shù)據(jù)寄存器PORTx和數(shù)據(jù)方向寄存器DDRx為讀/ 寫寄存器，而端口輸入引腳PINx為只讀寄存器。
但是需要特別注意的是，對PINx 寄存器某一位寫入邏輯"1“ 將造成數(shù)據(jù)寄存器相應位的數(shù)據(jù)發(fā)生"0“ 與“1“ 的交替變化。
當寄存器MCUCR 的上拉禁止位PUD置位時所有端口引腳的上拉電阻都被禁止。
在( 高阻態(tài)) 三態(tài)({DDxn, PORTxn} = 0b00) 輸出高電平({DDxn, PORTxn} = 0b11) 兩種狀態(tài)之間進行切換時，
上拉電阻使能({DDxn, PORTxn} = 0b01) 或輸出低電平({DDxn,PORTxn} = 0b10) 這兩種模式必然會有一個發(fā)生。
通常，上拉電阻使能是完全可以接受的，因為高阻環(huán)境不在意是強高電平輸出還是上拉輸出。
如果使用情況不是這樣子，可以通過置位SFIOR 寄存器的PUD 來禁止所有端口的上拉電阻。
在上拉輸入和輸出低電平之間切換也有同樣的問題。
用戶必須選擇高阻態(tài)({DDxn,PORTxn} = 0b00) 或輸出高電平({DDxn, PORTxn} = 0b10) 作為中間步驟。
不論如何配置DDxn，都可以通過讀取PINxn 寄存器來獲得引腳電平
PINxn寄存器的各個位與其前面的鎖存器組成了一個同步器。
這樣就可以避免在內部時鐘狀態(tài)發(fā)生改變的短時間范圍內由于引腳電平變化而造成的信號不穩(wěn)定。
其缺點是引入了延遲。
AVR IO具備多種IO模式:
1 高阻態(tài) ，多用于高阻模擬信號輸入，例如ADC數(shù)模轉換器輸入,模擬比較器輸入
2 弱上拉狀態(tài)(Rup=20K~50K)，輸入用。為低電平信號輸入作了優(yōu)化，省去外部上拉電阻，例如按鍵輸入，低電平中斷觸發(fā)信號輸入
3 推挽強輸出狀態(tài)，驅動能力特強(>20mA),可直接推動LED，而且高低驅動能力對稱.
使用注意事項：
寫用PORTx,讀取用PINx
實驗時，盡量不要把管腳直接接到GND/VCC,當設定不當，IO口將會輸出/灌入 80mA(Vcc=5V)的大電流,導致器件損壞。
作輸入時：
1通常要使能內部上拉電阻，懸空(高阻態(tài))將會很容易受干擾。(表面看好像是51的抗干擾能力強，是因為51永遠有內部電阻上拉，)
2盡量不要讓輸入懸空或模擬輸入電平接近VCC/2，將會消耗太多的電流，特別是低功耗應用場合------CMOS電路的特點
3讀取軟件賦予的引腳電平時需要在賦值指令out 和讀取指令in 之間有一個時鐘周期的間隔，如nop 指令。
4功能模塊(中斷，定時器)的輸入可以是低電平觸發(fā)，也可以是上升沿觸發(fā)或下降沿觸發(fā)。
5用于高阻模擬信號輸入，切記不要使能內部上拉電阻，影響精確度。例如ADC數(shù)模轉換器輸入,模擬比較器輸入
作輸出時：
采用必要的限流措施，例如驅動LED要串入限流電阻
復位時:
復位時內部上拉電阻將被禁用。如果應用中(例如電機控制)需要嚴格的電平控制，請使用外接電阻固定電平
休眠時:
作輸出的，依然維持狀態(tài)不變
作輸入的，一般無效，但如果使能了第二功能(中斷使能)，其輸入功能有效。例如 外部中斷的喚醒功能。
AVR的C語言IO操作:
AVR的C語言基于ANSI C，沒有像51那樣擴展了位操作(布爾操作)，雖然匯編指令里面有SBI/CBI/SBIC/SBIS指令
所以需要采用 位邏輯運算 來實現(xiàn)，這是必須要掌握的。
IO口和功能寄存器的操作方法一樣,但對于部分功能寄存器的讀寫有特殊要求，請參看手冊。
不必考慮代碼效率的問題，如果可能，GCCAVR會自動優(yōu)化為SBI/CBI/SBIC/SBIS指令,跟匯編的效率是一樣的。
例如 iom16.h 里面定義了 #define PA7 7
(這標準頭文件定義了MCU的所有官方定義(包括寄存器，位，中斷入口等)，但管腳的第二功能沒有定義)
想PA7為1 PORTA|=(1< 想PA7為0 PORTA&=~(1< 想PA7取反 PORTA^=(1< 想檢測PA7是否為1 if (PINA&(1< 想檢測PA7是否為0 if !(PINA&(1< * << 為左移運算符，不懂的就要好好復習C語言基礎了。 注意IO操作的順序: //上電默認DDRx=0x00,PORTx=0x00 輸入，無上拉電阻 假設PA口驅動LED的負極，低電平燈亮 初始化方法1: 初始化方法2: 模擬OC結構的IIC總線的技巧: 雖然AVR大多帶有硬件IIC接口，但也有需要使用軟件模擬IIC的情況 可以通過使用外部上拉電阻+控制DDRx的方法來實現(xiàn)OC結構的IIC總線。 IIC的速度跟上拉電阻有關，內部的上拉電阻阻值較大(Rup=20K~50K)，只能用于低速的場合 #define SDA 0 //PC0
PORTA=0xFF; //內部上拉，高電平
DDRA=0xFF; //輸出高電平---------燈一直是滅的
DDRA=0xFF; //輸出低電平--------燈被錯誤點亮了
PORTA=0xFF; //輸出高電平--------馬上被熄滅了，時間很短(1個指令不到uS時間)，燈閃了一下，眼睛無法察覺
但要是這個IO口是控制炸藥包的點火信號呢？工控場合要考慮可靠性的問題
#define SCL 1 //PC1
(程序初始化設定 SDA和SCL都是 PORT=0,DDR=0)
#define SDA_0() DDRA|=(1<
使用上面的SDA_0()/SDA_1()/SCL_0()/SCL_1()宏即可，直觀，而且效率跟匯編是一樣的
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