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[導讀] IDW 2008 ( International Display Workshops)已于2008年12月3日至5日,于日本新潟縣(Niigata City) Toki Messe Convention Center 舉行,由The Institute of Image Information and Television Engineers (ITE)及T

IDW 2008 ( International Display Workshops)已于2008年12月3日至5日,于日本新潟縣(Niigata City) Toki Messe Convention Center 舉行,由The Institute of Image Information and Television Engineers (ITE)及The Society for Information Display(SID)所主辦,是顯示器相關產業(yè)每年年末的最后一場盛會,多家顯示器大廠以及相關的材料廠商藉此宣示其最新技術,學術界也藉以發(fā)表其研究成果。本次的研討會主要分為15項主題(表一),OLED為其中的一個研討會分項,除此之外,其它研討會分項中也有OLED的出現(xiàn),如Active Matrix Displays及Flexible Displays。本文主要就各家大廠和學術界的論文中觀察OLED產業(yè)的發(fā)展動向和趨勢,針對OLED 相關的材料、組件及制程上的最新發(fā)展做一個簡介。

前言
sony在2007年推出世界第一臺量產的OLED TV XEL-1,為市場注入了一劑強心針,OLED的研發(fā)競賽又開始加溫,然而2008年下半年全球金融海嘯爆發(fā)后,全球的消費力大減,LCD產業(yè)更面臨前所未有的挑戰(zhàn),與之競爭的OLED產業(yè)自然不能幸免,除了研發(fā)的腳步要加快之外,cost down的速度也是重要的關鍵之一。針對各家材料大廠對于OLED相關材料的最新研究成果以及面板廠商的最新制作技術,分別介紹如下。

(1) New singlet blue and green emitters for OLED applications --- Merck, Germany
Merck公司發(fā)表他們的OLED熒光材料,分別介紹天空藍(sky blue),深藍(deep blue)和綠光(green)材料。

(2) Novel Host Material Based on Benzodifuran with Ambipolar Charge Transport Properties --- Tokyo University, Japan
東京大學發(fā)表結構如圖一所示的主發(fā)光體材料CZBDF,其Tg點為162℃,熱穩(wěn)定性質良好,LUMO = 2.47 eV,HOMO = 5.79 eV。重要的是,此主發(fā)光體材料具有ambipolar的性質,由圖二可得知,其電子和電洞的傳輸速度都在~10-3,都相當高。


圖一、主發(fā)光體材料CZBDF的結構

(3) Systematic Development of Soluble OLED Materials at Merck --- Merck, Germany
Merck的可溶性OLED材料的組件結構皆為ITO /PEDOTPSS / HIL / LEP / Ba / Al。在其藍光組件中添加一定比例的單體,可以大幅增加組件的壽命,而且不改變發(fā)光的色純度,如圖二所示。更進一步控制分子量的大小在450000 g/mol以上時,可以增加組件的壽命至1200小時(1000nits)。


圖二、可溶性藍光OLED組件的壽命和發(fā)光亮度的關系

(4) 102 lm/W White Phosphorescent OLED --- UDC, USA
UDC發(fā)表兩個白光OLED組件,其發(fā)光效率分別為89 lm/W和102 lm/W,打破目前的世界紀錄,相當令人注目,但是詳細的材料和組件結構并未揭露。這兩個白光組件WOLED-1和WOLED-2的CIE坐標分別為(0.41, 0.46)和(0.48, 0.46),色溫則為3900K和2800K,其EL光譜如圖三。


圖三、白光組件的EL光譜


(5) Horizontal Dipping Method for Simple Fabricating OLEDs --- Kwangwoon University, Korea
一種新的solution-process的方法被提出,命為Horizontal Dipping (H-dipping),圖四為其示意圖,由調控圓柱體和基板的距離(h),以及基板的移動速度(V),可以準確的控制有機發(fā)光膜層的厚度和均勻性,組件結構為ITO / PEDOT:PSS / EL layer / CsF / Al,如圖五為其移動速度和膜層厚度的關系。在10cm x 10 cm的基板上,使用H-dipping的方法可以得到均勻度很高的膜層,平均粗糙度(roughness)只有0.897 nm。


圖四、H-dipping的示意圖


圖五、膜層厚度和基板移動速度的關系圖

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