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[導讀]近日,SK 海力士負責人在接受采訪時表示,準備在2020年發(fā)布DDR5內存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內存也開始策劃了,將在5~6年內研發(fā)。

近日,SK 海力士負責人在接受采訪時表示,準備在2020年發(fā)布DDR5內存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內存也開始策劃了,將在5~6年內研發(fā)。

 

 

在2018年末,SK海力士宣布完成首款DDR5 RAM芯片,該內存的速度為5200 MT/s,電壓為1.1 V,比上一代產品快60%。到2022年,海力士還將會推出DDR6-6400版本。

據(jù)介紹,SK海力士DRAM設計研究員在與韓國先驅報談論時表示第六代DDR內存將能夠達到DDR6-12000的數(shù)據(jù)傳輸性能,并預測DDR6將在五六年內開發(fā)。他還表示海力士正在討論“后DDR5”產品的幾個設計方案,其中一個是延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范,另一個方案則是將DRAM和 SOC處理技術相結合。

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