該可擴展平臺中的第一款產(chǎn)品是一個三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導通損耗特性，導通電阻為3.25毫歐(mOhm)，同時具有低開關損耗特性，在600V/300A時導通和關斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個輕質的鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板進行水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓(經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測試)。

內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源(每相1個)，可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt(> 50KV/μs)的抗擾性可實現(xiàn)功率模塊的快速開關和低開關損耗。還具備欠壓鎖定(UVLO)、有源米勒鉗位(AMC)、去飽和檢測和軟關斷(SSD)等保護功能，以確保一旦發(fā)生故障時可以安全地驅動功率模塊并提供可靠的保護。