一年前的一場山火肆虐了美國加利福尼亞州，在持續(xù)18天的地獄般炙烤后，山火所經過的一切，都被燒成了焦土。

致命山火不僅破壞了加州的自然環(huán)境，還導致了一家公司的破產——加州調查人員認定該州歷史上致死人數最多的山火是由美國能源巨頭PG&E的設備引發(fā)的。由于無法負擔高達300億美元的潛在賠償責任，PG&E宣布破產重組。

現在，PG&E試圖用在火災發(fā)生率極高的時候讓客戶斷電的方法，來規(guī)避可能的風險，PG&E公司就曾為了防止老化的電纜引發(fā)更嚴重的野火而將電源切斷，導致加州約150萬人斷電數日。為了應對這種情況，何不利用電池和太陽能電池板幫助家庭和企業(yè)免于停電？從而維持客戶的生活工作正常運轉，情況將會大為不同。

逆變器是太陽能系統(tǒng)不可或缺的一部分

將光伏連接到電網的關鍵接口是逆變器。簡單來說，逆變器將直流電源轉換為交流電，并同步至電網的60Hz電氣頻率。光伏電池板的發(fā)電過程本質上效率低下，這對逆變器提出了更多要求，以最大程度地減少損耗并最大化可消耗的交流功率。

 全球太陽能逆變器市場到2023年有望增長到245億美元，復合年增長率為8.89％。安森美半導體提供領先行業(yè)的太陽能逆變器功率集成模塊（PIM），積極響應全球太陽能逆變器市場的增長趨勢。

安森美半導體的PIM，最高額定功率為100kVA，集成尖端技術如碳化硅（SiC）、超場截止IGBT及旁路二極管和NTC熱敏電阻，采用雙升壓和NPCT-Type及I-Type逆變器拓撲，提供領先業(yè)界的性能。

逆變器采用微處理器、適當的檢測和反饋及正確的算法，可以為電網提供各種服務，而不僅僅是存儲和釋放電能。一個例子是以電壓支持、頻率調節(jié)和諧波降低來保持電力質量。分布式能源可以減少輸電和配電網絡的負荷，因為電能在靠近發(fā)電的地方使用。這可以減少電網的緊張和擁擠，甚至推遲電力線的升級。 

當大量的電力通過逆變器時，交流和直流電源之間的轉換必須非常高效。事實上，商用逆變器的峰值效率在96-98%。但電網運營商想要更高的能效，特別是在公用事業(yè)規(guī)模上，因為能效的微小變化仍意味著很大的電力。

為了達到這些能效水平，功率器件必須具有非常低的損耗。如今，IGBT已成為這些應用的主力開關。但IGBT的傳導電流幾百安培，阻斷幾千伏特的電壓，它是采用類似于制造手機和數據中心高性能計算芯片所使用的工藝，由硅制成的。

SiC是未來的材料

然而，新材料有望實現更高的性能、更高的能效和更高的可靠性。具體地說，碳化硅（SiC）是未來的材料。SiC功率電子器件比類似的硅器件具有更低的傳導和開關損耗。此過渡的第一階段涉及低級二極管，如下圖所示，該二極管反向并聯連接至IGBT。將硅二極管替換為SiC二極管可降低損耗并減少開關期間的過沖，從而減少了逆變器上的應力。盡管SiC二極管比硅二極管更昂貴，但較小的散熱器和系統(tǒng)尺寸可降低整體系統(tǒng)成本。

SiC MOSFET是過渡的下一階段 

SiC MOSFET的開關速度比硅IGBT快得多，因此它們用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的升壓級帶來更大的優(yōu)勢。通常，使用DC-DC轉換器增加太陽能電池板的輸出電壓。SiC MOSFET更快地開關，因而減小了升壓級中昂貴的無源器件如電感器的尺寸，并提高了效率。 

安森美半導體提供各種IGBT、SiC二極管和SiC MOSFET，可滿足各種逆變器對電壓和電流的要求。

最受歡迎的是電源模塊 

將許多不同的電源開關和二極管封裝在一起，以實現小尺寸，易于設計和高效散熱。除主要的功率電子器件外，安森美半導體還提供門極驅動器、伽伐尼隔離和高性能運算放大器使系統(tǒng)完整。