新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅(SCR)技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計(jì)工程師將會(huì)特別感興趣。該器件可實(shí)現(xiàn)極低電容(低至0.1 pF);極低鉗位電壓 動(dòng)態(tài)電阻低至0.1 ?)以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能(，最高可達(dá)20A 8/20 μs)。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider評(píng)論道：“為避免信號(hào)完整性問(wèn)題，PESD2V8R1BSF ESD保護(hù)二極管提供極低的插入損耗和相應(yīng)的低回波損耗，在10 GHz時(shí)分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護(hù)器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著，該器件可放置在USB Type-C®連接器后面，用于保護(hù)耦合電容，同時(shí)仍與USB3.2向后兼容。”

TrEOS保護(hù)二極管采用非常緊湊、非?？煽康腄SN0603-2 (SOD962)封裝。