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[導(dǎo)讀]QLC是繼TLC之后3D NAND新的技術(shù)形態(tài),具有大容量、高密度等特點(diǎn),適合于讀取密集型應(yīng)用。

4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度,以及最高單顆NAND閃存芯片容量。

與此同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片型號:X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

長江存儲推出128層QLC閃存!單顆容量1.33Tb,讀寫性能1.6Gb/s

長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊(Grace)表示:“作為閃存行業(yè)的新人,長江存儲僅用短短3年的時間,就實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚,也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking? 2.0時代的到來,長江存儲有決心、有實力、有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài),讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們的自身優(yōu)勢,達(dá)到互利共贏?!?/span>

Xtacking? 2.0進(jìn)一步釋放閃存潛能

得益于Xtacking? 架構(gòu)對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化,長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn),上市之后廣受好評。

在長江存儲128層系列產(chǎn)品中,Xtacking? 已經(jīng)全面升級至2.0,進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率,為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨(dú)立的制造工藝,CMOS電路可以選用更加先進(jìn)的制程,同時在芯片面積沒有增加的前提下,Xtacking? 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴(kuò)展性。未來,長江存儲將與合作伙伴攜手,構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài),共同推動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。

長江存儲通過對技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入,已經(jīng)成功研發(fā)出128層兩款產(chǎn)品,并確立了在存儲行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量,長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking? 架構(gòu)的前瞻性和成熟度,為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出了一條切實可行的路徑。

龔翊(Grace)強(qiáng)調(diào):“我們相信,長江存儲128層系列產(chǎn)品將會為合作伙伴帶來更大的價值,具有廣闊的市場應(yīng)用前景。其中,128層QLC版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級SSD,并逐步進(jìn)入企業(yè)級服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,以滿足未來5G、AI時代多元化數(shù)據(jù)存儲需求?!?/span>

X2-6070充分發(fā)揮QLC技術(shù)特點(diǎn)

據(jù)悉,QLC是繼TLC(3 bit/cell)之后3D NAND新的技術(shù)形態(tài),具有大容量、高密度等特點(diǎn),適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可以存儲4字位(bit)的數(shù)據(jù),共提供1.33Tb的存儲容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”,那么一顆長江存儲128層QLC芯片就相當(dāng)于提供了3,665億個房間,每個房間可住4“人”,共可容納約14,660億“人”居住,是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

閃存和SSD領(lǐng)域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為,QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)(Byte)的成本,更適合作為大容量存儲介質(zhì)。隨著主流消費(fèi)類SSD容量邁入512GB及以上,QLC SSD未來市場增量將非??捎^。

同時,Gregory Wong表示:“與傳統(tǒng)HDD相比,QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領(lǐng)域,QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲,使其更適用于AI計算、機(jī)器學(xué)習(xí)、實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用;在消費(fèi)類領(lǐng)域,QLC將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD中普及?!?/span>

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