在EUV光刻機(jī)方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī)，去年出貨26臺(tái)，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2022年開(kāi)始出貨。

根據(jù)ASML之前的報(bào)告，去年他們出貨了26臺(tái)EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)2020年交付35臺(tái)EUV光刻機(jī)，2021年則會(huì)達(dá)到45臺(tái)到50臺(tái)的交付量，是2019年的兩倍左右。

目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C，兩者基本結(jié)構(gòu)相同，但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計(jì)，維護(hù)更加便捷，平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8-10小時(shí)，支持7nm、5nm。

此外，NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH（每小時(shí)處理晶圓數(shù)）提升到了175WPH。

不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機(jī)還是第一代，主要特點(diǎn)是物鏡系統(tǒng)的NA（數(shù)值孔徑）為0.33。

ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列，NA指標(biāo)達(dá)到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時(shí)微電子中心。

與之前的光刻機(jī)相比，新一代光刻機(jī)意味著分辨率提升了70%左右，可以進(jìn)一步提升光刻機(jī)的精度，畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準(zhǔn)了2nm甚至極限的1nm工藝的。

不過(guò)新一代EUV光刻機(jī)還有點(diǎn)早，至少到2022年才能出貨，大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年，屆時(shí)臺(tái)積電、三星等公司確實(shí)要考慮3nm以下的制程工藝了。