安森美半導(dǎo)體繼續(xù)擴(kuò)充用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步幫助客戶解決他們的具體設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)正隨著工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)械人激增。這些系統(tǒng)要求在惡劣工業(yè)環(huán)境中達(dá)到高能效、精準(zhǔn)的測(cè)量、準(zhǔn)確的控制及高可靠性。要有效地開發(fā)應(yīng)用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體，需要先進(jìn)的設(shè)計(jì)、集成有源和無源器件的能力、精密的封裝包括基板材料，以及高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

安森美半導(dǎo)體推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分別為25、35和50 安培(A)版本的轉(zhuǎn)移成型功率集成模塊(TM-PIM)，用于1200伏(V)的應(yīng)用，提供轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動(dòng)(CIB)和轉(zhuǎn)換器-逆變器(CI)配置版本。這些模塊包括6個(gè)1200 V IGBT、6個(gè) 1600 V 整流器和一個(gè)用于系統(tǒng)級(jí)溫度監(jiān)控的負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻。CIB版本使用一個(gè)附加的1200 V IGBT和一個(gè)二極管。新推出的模塊采用轉(zhuǎn)移成型封裝，延長(zhǎng)溫度及功率的循環(huán)壽命。模塊尺寸僅為73 x 40 x 8毫米(mm)，具有可焊接引腳，CIB和CI版本均具有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的引腳輸出。

公司同時(shí)推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴(kuò)充了智能功率模塊 (IPM)產(chǎn)品陣容，包括額定電壓650 V和1200 V，以及額定電流10 A至75 A。這些三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門雙極晶體管(Trench IGBT)、快速恢復(fù)二極管、門極驅(qū)動(dòng)器、 自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護(hù)，通過一個(gè)額定2500 Vrms /分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL 1557認(rèn)證。 這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長(zhǎng)功率循環(huán)壽命和散熱能力。

通過片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門極驅(qū)動(dòng)器透過減低系統(tǒng)復(fù)雜性實(shí)現(xiàn)緊湊、高效和可靠的門極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。 這些器件分別提供4 A/6 A供應(yīng)電流和汲取電流，同時(shí)還集成了去飽和(DESAT) 、米勒鉗位、欠壓鎖定(UVLO) 保護(hù)、使能(Enable)和穩(wěn)壓VREF。

NCS21871 零漂移運(yùn)算放大器以一個(gè)45 μV低輸入偏置電壓提供精確的信號(hào)調(diào)節(jié)，同時(shí)從-40°C至+ 125°C維持該精度，低輸入偏置漂移為0.4 μV /°C。 這些參數(shù)使其非常適合用于低邊電流檢測(cè)。

NCP730 LDO穩(wěn)壓器提供150 mA，輸出電壓精度為±1%，工作輸入電壓范圍從2.7 V至38 V和具有低壓降。集成的軟啟動(dòng)可抑制涌入電流，在過載情況下提供短路和過熱保護(hù)，使器件非常適合用于工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用。