電磁加熱器，是如今工業(yè)領(lǐng)域和民用設(shè)備中最廣泛的一種加熱方式，采用電磁感應(yīng)加熱技術(shù)，是國(guó)家提倡的一種環(huán)保的加熱方案。然而也有朋友有疑問(wèn)：電磁加熱器IGBT逆變電路特性及溫度保護(hù)是什么?今天來(lái)介紹一下電磁加熱器，首先介紹一下電磁加熱器IGBT逆變電路特性。

一、電磁加熱器IGBT逆變電路特性

IGBT( (nsulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管，是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，它不僅有GTR特點(diǎn)：低導(dǎo)通壓降，也有MOSFET的特點(diǎn)：高輸入阻抗，兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 MOSFET的特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快，驅(qū)動(dòng)能力小，載流密度小，但導(dǎo)通壓降大;GTR的特點(diǎn)：載流密度大，飽和壓降低，但驅(qū)動(dòng)電流大。IGBT正是集中了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。因此該器件十分適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

要使管導(dǎo)通，則應(yīng)在此管的柵極G和發(fā)射極E之間加上導(dǎo)通電壓，這樣PNP晶體管的基極B與集電極C之間的阻抗值的大小將變得比較低，晶體管就得以導(dǎo)通;若要使此管截止，切斷此管E端的電流，則要在IGBT的發(fā)射極和柵極之間加上0V電壓。IGBT與場(chǎng)效應(yīng)管樣也是電壓控制型半導(dǎo)體器件，而且此晶體管的驅(qū)動(dòng)電流很小，只要在它的G極和E極之間加上十幾伏的電壓，然后當(dāng)漏電流流過(guò)時(shí)就可以驅(qū)動(dòng)，基本上不消耗功率。

當(dāng)加在IGBT的G端與E端的驅(qū)動(dòng)電壓比較低時(shí)，則此芯片就不能正常的運(yùn)作，但當(dāng)加在芯片上的電壓過(guò)高超過(guò)它的耐壓值時(shí)，則芯片將被永久性破壞;同理，當(dāng)加在芯片的C端與E端的電壓過(guò)高，超過(guò)它的耐壓幅值時(shí)，此時(shí)流過(guò)芯片C端一E端的電流就將超過(guò)允許電流的最大值，芯片工作的溫度將超過(guò)其允許的溫度，芯片也將被永久的破壞。

二、電磁加熱器溫度保護(hù)

溫度保護(hù)也就是功率模塊的過(guò)熱保護(hù)。IGBT工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)引起器件溫度的升高，當(dāng)溫度超過(guò)IGBT的允許最高溫度時(shí)，電子器件的許多性能和參數(shù)也會(huì)隨之改變，甚至溫度過(guò)高會(huì)損壞這些元器件。如果在溫度達(dá)到最高值之前將其關(guān)閉，使元器件的溫度不在上升，則就可以起到保護(hù)作用。在保護(hù)電路中，我們使用到熱敏電阻傳感器，在檢測(cè)溫度過(guò)程中，單片機(jī)會(huì)隨時(shí)讀取溫度，當(dāng)檢測(cè)到的溫度值超過(guò)預(yù)定值時(shí)，系統(tǒng)會(huì)發(fā)出一個(gè)報(bào)警信號(hào)，并關(guān)斷輸出脈沖，使系統(tǒng)入重啟動(dòng)狀態(tài)。

電磁加熱器是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)化為熱能的裝置，是隨時(shí)代發(fā)展需求而涌現(xiàn)的新型節(jié)能產(chǎn)品，較傳統(tǒng)工業(yè)加熱，可以說(shuō)是一次技術(shù)大變革。