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[導(dǎo)讀] 2019年9月2日,中國武漢,紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb T

2019年9月2日,中國武漢,紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存①,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存,該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。

長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓

長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer),長江存儲(chǔ)致力于為全球客戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù),并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心,以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。

長江存儲(chǔ)一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新,Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

今后,長江存儲(chǔ)仍將持續(xù)投入研發(fā)資源,以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代,使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,更好地滿足全球客戶的需求。

長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示:“通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展?!背绦l(wèi)華還提到,“隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來,閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長。長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。” ③

長江存儲(chǔ)核心廠區(qū)近況

注:

①每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存。

②特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存。

③長江存儲(chǔ)、YMTC,YM圖形徽標(biāo)和Xtacking是長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司或其分子公司在中國和/或其他國家/地區(qū)的商標(biāo)。

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