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當(dāng)前位置:首頁 > 半導(dǎo)體 > 安森美(onsemi)
[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商,是該技術(shù)的先鋒,并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù),全面的高能效電源方案,包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動器及集成模塊。

安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商,是該技術(shù)的先鋒,并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù),全面的高能效電源方案,包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動器及集成模塊。

安森美半導(dǎo)體推出了兩個新系列:1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。本文介紹該技術(shù),您可了解我們介紹的新的SiC MOSFET的用例,以及哪些終端應(yīng)用將得益于我們新的SiC方案。

1200 V SiC MOSFET

安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢

問:1200 V,20mΩ N溝道SiC MOSFET NTHL020N120SC1的主要特性是什么?

答:NTHL020N120SC1的設(shè)計旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。 此外,它被設(shè)計為以低內(nèi)部門極電阻(Rg =1.81Ω)和低輸出電容(Coss = 260pF)快速驅(qū)動。

問:相較安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有的SiC MOSFET (在推出NTHL020N120SC1前),NTHL020N120SC1有哪些改進(jìn)的特性?

答:這是我們的第一代SiC MOSFET,因此不能與以前的器件進(jìn)行比較。但是,我們的器件相對于市場上的其他器件具有一些優(yōu)勢-強(qiáng)大的氧化物性能(VGS額定值為+ 25V / -15V),無Vth漂移,無體二極管漂移,高開關(guān)速度,具有dv / dt控制的平滑門極驅(qū)動以及強(qiáng)大的體二極管用于硬開關(guān)。

問:NTHL020N120SC1提供什么有競爭力的規(guī)格?

答:我們的1200V SiC MOSFET器件在市場上非常有競爭力,滿足或超越大多數(shù)客戶的規(guī)格。每個應(yīng)用都關(guān)注不同的參數(shù),但總的來說,我們將我們的器件設(shè)計為可快速運(yùn)行,從而減少了開關(guān)和導(dǎo)通損耗。 為此,我們實現(xiàn)了較低的RDSon,并選擇了低的內(nèi)部門極電阻以快速開關(guān)。我們設(shè)計的器件強(qiáng)固耐用,具有超過100V / ns的快速瞬態(tài)抗擾度。

問:SiC的優(yōu)勢是什么?

答:SiC的優(yōu)勢在于材料本身具有比硅高10倍的介電擊穿場強(qiáng),高2倍的電子飽和速率,高3倍的導(dǎo)熱率。 系統(tǒng)優(yōu)勢是降低功率損耗,提高功率密度、工作頻率,耐受的工作溫度,降低EMI,最重要的是降低系統(tǒng)尺寸和成本,從而提供最高能效。

安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢

安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢

終端應(yīng)用:

問:有哪些終端應(yīng)用將充分利用NTHL020N120SC1的主要特性?

答:有多種終端應(yīng)用將顯著得益于減少物料單(BOM)成分以及增加功率密度。兩個尤為明顯的特定應(yīng)用是太陽能逆變器以及電動汽車(EV)充電樁。

問:為什么SiC MOSFET產(chǎn)品特別有利于太陽能逆變器和電動汽車充電樁? 這些應(yīng)用是否有強(qiáng)烈的尺寸/外形要求? 如果是這樣,您能告訴我們背景或需求嗎?

答:大多數(shù)PFC級通常都很復(fù)雜,頻率有限,能效從未超過98%。 使用SiC可以減少器件數(shù) (減少復(fù)雜性),減少無源器件,實現(xiàn)更好的散熱以及高于98%的能效。

問:對更小的太陽能逆變器和充電樁有很大的需求嗎?原因是什么?

答:

太陽能逆變器:

當(dāng)前,太陽能逆變器市場領(lǐng)域有兩個趨勢。安森美半導(dǎo)體估計占總目標(biāo)市場 (TAM)的30%。

1)每排面板的多個小于20kW的小型逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,然后饋入大型兆瓦級逆變器

小于20kW的小型逆變器通常會在PCF級中使用分立SiC。對于LLC,視乎時間表、成本和能效目標(biāo),結(jié)合使用超級結(jié)(SJ)和SiC。

如果客戶轉(zhuǎn)向SiC,則有很多優(yōu)點(diǎn),但是門極驅(qū)動電壓較高,因此必須重新設(shè)計電路是個缺點(diǎn)。

2)一些大于20kW的大型逆變器會占用多排面板,而不會饋入更大的逆變器中

大于20kW的較大型逆變器通常使用電源模塊。

以前是IGBT模塊,然后在過去的5年中向混合模塊(IGBT + SiC二極管)發(fā)展,現(xiàn)在我們看到使用SiC MOSFET模塊。

充電樁:

充電樁有4級功率。1級和2級是1/3相交流充電器。這些充電器不使用SiC,而是使用汽車的車載充電器(OBC)為電池充電。3級和4級的功率更高,并且在充電樁上使用AC - DC,因此,當(dāng)您連接到汽車時,它將直接為電池充電。

此外,我們將充電樁的3個“市場”細(xì)分

1) 住宅– 1級或2級充電器

2) 商業(yè)– 2級或3級(商場,工作場所,汽車停放處)

3) 高速公路– 3級或4級(將在此處使用SiC)

總之,充電市場特別是高功率仍在發(fā)展。在這里,由于功率高,我們看到其中大部分使用電源模塊,但也看到LLC或次級整流級使用分立器件。

安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢

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