在全球近幾十年的半導體發(fā)展中，硅基半導體，成為工業(yè)批量化生產的主要對象。而未來的發(fā)展建立在5G基礎，不管是人工智能，還是所謂云技術、物聯網，芯片將是所有技術實現的核心，是大腦主控中心。

要想成功生產半導體芯片，必須要經過濕洗、光刻、離子注入、干/濕刻蝕、等離子沖洗、快速熱退火、熱氧化、化學氣相沉積、物理氣相沉積、分子束外延、電鍍處理、化學機械處理、晶圓打磨和晶圓測試等過程，完成后再封裝和成品測試。

芯片的加工制造，流程復雜，標準嚴格。沒有強大的技術背景做支撐，是無法成功實現芯片加工的。正所謂沒有金剛鉆，不攬瓷器活。

光刻，是芯片制造中難度最大、耗時最久的工藝，成本超過整個芯片生產成本的30%，它也是我國高端芯片制造急需解決的主要問題之一。因為尚未完全掌握14nm以下芯片制造的核心技術，芯片加工只能依靠代工(光刻設備和光刻材料一直是被國外壟斷的)。

最近的華為芯片“斷供”，就是源于荷蘭ASML光刻機，特別是EUV設備，一直是世界技術壟斷的，如果不能突破這些技術，我們將受制于人。為了不被卡脖，我國光刻領域的科技公司---華卓精科，傳來了一個喜人的消息：華卓精科突破了光刻機雙工件的核心技術，打破ASML光刻機在工件臺上的全球技術壟斷，成為世界第二家掌握雙工件核心技術的科技公司，并且部分技術和設備已經達到世界領先水平。我國的科技公司，能夠打破ASML光刻機部分的技術壟斷，實乃振奮人心。

除了光刻機是核心要素之外，光刻機加工所必需的重要材料，光刻膠，也是制勝關鍵。

什么是光刻膠呢?光刻膠是一種對光敏感的混合液體，由光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、樹脂、單體、溶劑和其他助劑組成，又稱光致抗蝕劑。光刻膠可以通過光化學反應，通過曝光、顯影等光刻工序將所需要刻蝕的細微圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工硅基片上。光刻膠的作用，除了提高加工精度，它還可以保護硅基材免受腐蝕，阻止離子影響。

按照曝光光源的波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠(300-450nm)、深紫外光刻膠(DUV，160-280nm)、極紫外光刻膠(EUV，13.5nm)、X射線光刻膠等。通常情況下，在使用相同工藝方法的情況下，曝光波長越短，加工分辨率越好。

從產業(yè)分類上，目前半導體市場上主要使用的光刻膠，包括g線、i線、KrF、ArF等，其中g線、i線是最常見的，用量較大的比較低端的光刻膠。而KrF、ArF等則是比較高端，且光刻分辨率較高的光刻膠，基本被國外壟斷。

目前，全球光刻膠主要生產企業(yè)有日本合成橡膠JSR、東京應化TOK、富士電子、信越化學、美國羅門哈斯等，集中度非常高，主要是日本和美國企業(yè)，所占市場份額超過85%?？v觀近兩年全球半導體光刻膠市場，市場份額基本被日本廠商所占據，市占率約為70%。

據了解，我國半導體光刻膠生產和研發(fā)的企業(yè)主要有6家，分別為南大光電、蘇州瑞紅、北京科華、強力新材、容大感光、上海新陽等。國內半導體光刻膠廠商的市場份額，僅有2%左右，且還集中在技術水平相對較低的g線和i線半導體光刻膠。對于高端光刻膠(高分辨率)，它是半導體化學品中技術壁壘最高的材料，目前基本被國外壟斷。我國的半導體光刻膠技術發(fā)展，任重而道遠。

雖然被壟斷，但是我們還是在逆境中前行。不止光刻機，國產芯片又獲新突破。近日，在南大光電的互動平臺上得知，南大光電研發(fā)制造的應用于7nm工藝的ArF光刻膠技術已通過客戶測試，進入批量生產和銷售階段。這一信息，意味著我國的南大光電，7nm ArF光刻膠技術，成功打破了日本、美國的壟斷，不再受制于人。

從市場角度來看，光刻膠產業(yè)發(fā)展的潛力巨大，尤其是國內。據預測，半導體光刻膠在2020年國內市場規(guī)模將會超過16億美元(約112億元)，其中2020年EUV光刻膠的市場規(guī)模將會超過1000萬美元(約7000萬元)。未來幾年，EUV光刻膠年平均增長率將達到50%以上。