EUV光刻機是制造7nm以下節(jié)點先進(jìn)工藝的必備工具，目前國內(nèi)還沒有EUV設(shè)備。作為國內(nèi)最先進(jìn)的晶圓代工廠，中芯國際董事長周子學(xué)日前表態(tài)，該公司已經(jīng)量產(chǎn)和研發(fā)的工藝還不需要EUV光刻機。

光刻是半導(dǎo)體芯片制造中最費時間也是最費成本的環(huán)節(jié)之一，而且它決定了芯片的工藝水平，常說的XXnm工藝主要是看光刻機水平，10nm工藝之后難度越來越大，光刻機也需要升級到EUV級別。

臺積電在第一代7nm工藝上沒有使用EUV光刻機，但是7nm之后的工藝就很難避開EUV光刻機了，理論上可以用多重曝光的方式制造5nm級別的芯片，但是成本、良率都是個問題，無法拒絕EUV光刻機。

目前EUV光刻機只有荷蘭ASML公司才能生產(chǎn)，單臺售價超過1.2億歐元，約合10億元一臺，此前報道稱中芯國際訂購了一臺EUV光刻機用于先進(jìn)工藝研發(fā)，本應(yīng)該在2019年交付，不過ASML公司一直沒被批準(zhǔn)出售。

日前在回應(yīng)投資者提問時，中芯國際董事長兼執(zhí)行董事周子學(xué)表示，關(guān)于設(shè)備采購公司依據(jù)相關(guān)商業(yè)協(xié)議進(jìn)行，不對單一設(shè)備的采購情況進(jìn)行評論。公司目前量產(chǎn)和主要在研項目暫不需用到EUV光刻機。

根據(jù)中芯國際之前所說，在14nm工藝之后，中芯國際還有N+1、N+2代工藝，其中N+1工藝相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％，SoC面積縮小55％，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些，這兩個工藝都不需要EUV光刻機。

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