傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，而FRAM是利用外部電場產(chǎn)生極化來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，因此它與傳統(tǒng)存儲器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫(yī)院工作的人經(jīng)常會看到，配置有電子標(biāo)簽的注射器具。手術(shù)器具要用伽瑪射線進(jìn)行消毒，能夠抵抗照射劑量高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的只有內(nèi)置FRAM（非易失性隨機(jī)存儲器）的電子標(biāo)簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品。

“其實(shí)，與傳統(tǒng)存儲器相比，F(xiàn)RAM不只是具有抗輻射的特性，高速/高讀寫耐久性（一萬億次以上）和低功耗的特性也是他能夠成為醫(yī)療應(yīng)用中最佳存儲器選擇的重要原因。” 富士通半導(dǎo)體株式會社系統(tǒng)存儲器事業(yè)部副總裁松宮正人在一次專程從日本飛來深圳的一場活動中如此表示。

FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）結(jié)合了閃存和E2PROM的非易失性，和SRAM的高速、隨機(jī)存儲的特長，為獨(dú)立存儲器芯片和嵌入式存儲器帶來一系列獨(dú)一無二的優(yōu)點(diǎn)。富士通開創(chuàng)了FRAM技術(shù)，并在此領(lǐng)域耕耘超過10年，從1999年開始量產(chǎn)， 到2013年累計銷售23億片F(xiàn)RAM產(chǎn)品，這其中在中國市場累計交貨達(dá)5300萬片。

雖然近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達(dá)到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM。排除一些低端應(yīng)用市場，F(xiàn)RAM在對需要非易失性、高可靠性、高安全性、高速寫入、低功耗、高讀寫耐久性和抗輻射性這些綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。在醫(yī)療領(lǐng)域，F(xiàn)RAM在尤其是在一些高端的重要場合，如呼吸機(jī)等設(shè)備中的應(yīng)用，更是引人注目。

松宮正人還分享介紹了FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀：“雖然FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域目前已經(jīng)商用了，但是從廣泛性的角度來看它還處于起步階段。相比日本和歐洲市場，F(xiàn)RAM在中國市場的認(rèn)知度還有待提高，而未來富士通半導(dǎo)體也會加大在醫(yī)療應(yīng)用方面的投入，幫助更多中國醫(yī)療設(shè)備廠商解決其在數(shù)據(jù)存儲方面所遇到的挑戰(zhàn)。”

下圖強(qiáng)調(diào)了FRAM所具備的三個適用于醫(yī)療應(yīng)用的關(guān)鍵優(yōu)勢，其中無需電池的特性使其特別適合便攜式醫(yī)療器械的使用，同時能夠減少設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)的費(fèi)用；而高速/高讀寫耐久性使得患者信息可以實(shí)時，頻繁的存儲記錄；抗輻射的特性更是滿足了醫(yī)療器械高可靠性的要求。

與傳統(tǒng)的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高速燒寫（是EEPROM的40，000 倍）、高耐久性（是EEPROM的1，000，000倍 ）和低功耗（是EEPROM的1/1，000 ）等方面。這些優(yōu)勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域所采用，比如計量儀表（三相電表以及水表、氣表等）、電力自動化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。

FRAM除了能夠在一些應(yīng)用中替代EEPROM外，更重要的是在一些關(guān)鍵醫(yī)療應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)EEPROM所不能實(shí)現(xiàn)的功能。例如，在涉及CT掃描X射線、用于消毒的紫外線和伽馬射線的醫(yī)學(xué)和生物處理領(lǐng)域中，如前所述，F(xiàn)RAM對輻射有很強(qiáng)的耐受性。基于FRAM的RFID可輕松通過標(biāo)準(zhǔn)醫(yī)療滅菌過程，而基于EEPROM的RFID在這一過程數(shù)據(jù)信息會被破壞。

對于FRAM的成本問題，松宮正人也闡述了他的觀點(diǎn)：“這是和存儲容量相關(guān)的，容量不同，價格不同，現(xiàn)在FRAM和EEPROM一般的價格差距在2～5倍，而在大容量方面，例如1M～2M的FRAM和EEPROM的價格差距就只有1～2倍，所以，在大容量應(yīng)用中，EEPROM的價格并不占優(yōu)勢，未來會被FRAM所替代。”

另一方面，由于控制著FRAM的整體開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序，加上多年的經(jīng)驗(yàn)，富士通半導(dǎo)體因而能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。富士通半導(dǎo)體還在低功耗制造工藝上不斷創(chuàng)新，進(jìn)一步降低成本價格，實(shí)現(xiàn)大容量化。而EEPROM的制造工藝卻長時間沒有變化，隨著時間的推移，EEPROM在成本上的優(yōu)勢將會逐漸減弱。

“排除非常便宜的一些低端應(yīng)用市場，在要求高可靠性，高速/高耐久性數(shù)據(jù)讀寫、低功耗、抗輻射等高端醫(yī)療設(shè)備中，F(xiàn)RAM有著100%的應(yīng)用。”松宮正人指出。